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- [发明专利]晶片形状数据化方法-CN201980057835.1在审
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大西理
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信越半导体株式会社
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2019-08-01
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2021-04-09
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H01L21/66
- 准备晶片（S1），对所准备的晶片，从晶片的中心开始将圆周360度分割为既定个数的角度，并测量每个角度半径方向的各个位置的厚度形状（S2、S3）。将由测量机所得的每个角度的厚度形状以6次以上的多项式进行近似，进行晶片厚度相对于半径方向的位置的函数化（S4）。将由测量机输出的厚度形状与由上述函数输出的厚度形状进行比较，确认在晶片全体为既定的误差以内（S5）。在此确认后，将每个上述角度的函数的信息作为表示晶片形状的数据添加至晶片提供给使用者（S6）。借此，提供一种能够降低晶片的形状数据的容量，且能够取得高精度的形状数据，且适用于取得晶片全体的形状的方法。
- 晶片形状数据方法
- [发明专利]晶片的形状评价方法及晶片以及晶片的拣选方法-CN02814731.6有效
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小林诚;小林修一
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信越半导体株式会社
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2002-09-06
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2004-10-06
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H01L21/66
- 本发明是要提供一种从与习知的SFQR等不同的观点来评价晶片的形状质量所用的晶片的形状评价方法及在曝光装置产生问题少的晶片，以及可拣选具有良好质量的晶片的拣选方法。为此，本发明乃作成以规定角度间隔从晶片中心部直至边缘部求出遍及晶片全周的多个晶片形状轮廓(形状)，且设定要算出在各每一轮廓的基准线用的第1区域于晶片中央侧，再在该第1区域外的晶片外周侧设定第2区域，并延长在该第1区域所算出的基准线直至该第2区域为止，以分析该第2区域形状(测定值)和在第2区域内的该基准线(基准值)的差(测定值—基准值)，而算出该值的最大值作为表面特性A及最小值作为表面特性B，并从该等遍及全周所获得的多个表面特性A及表面特性B来评价晶片的外周部分形状的均匀性。
- 晶片形状评价方法以及拣选
- [发明专利]凹口检测方法-CN202111224372.9在审
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野村安国;吉田真司
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株式会社迪思科
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2021-10-20
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2022-05-06
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H01L21/66
- 本发明提供凹口检测方法，能够正确地检测晶片的凹口。凹口检测方法对形成于晶片的外周部的凹口进行检测，其中，该凹口检测方法包含如下的工序：载置工序，将晶片载置在旋转工作台上；拍摄工序，获取晶片的外周部的图像；轮廓数据获取工序，根据图像而获取轮廓数据，该轮廓数据包含晶片的轮廓的坐标；假想圆计算工序，根据晶片的轮廓的坐标而计算近似于晶片的轮廓的假想圆；异形状区域判定工序，根据假想圆与晶片的轮廓在晶片的径向上的距离，对是否在晶片的外周部存在异形状区域进行判定；以及第1凹口判定工序，根据假想圆与异形状区域的前端在晶片的径向上的距离，对异形状区域是否是凹口进行判定。
- 凹口检测方法
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