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[发明专利]固定磨粒钢线及线锯并用的工件的切断方法-CN201580025826.6有效
发明人： 加藤忠弘 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：本发明为一种固定磨粒钢线，于芯线的表面固着有磨粒，其中于该芯线的表面中，其每单位面积的该磨粒的个数的磨粒数密度为1200个/mm²以上，且全部的各磨粒间的重心间距离的分布当中，全磨粒的平均圆相当直径以下者所占据的比例为2％以下。如此一来，借由提供一种固定磨粒钢线及线锯并用的工件的切断方法，能抑制工件切断中的固定磨粒钢线的蛇行，并能改善自工件所切出的晶圆的TTV、Warp。
固定磨粒钢线并用工件切断方法

[发明专利]倒角加工装置及无切口晶圆的制造方法-CN201480064323.5有效
发明人： 加藤忠弘 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明是一种倒角加工装置(1)，其由倒角加工部(4)、清洗部(5)、及倒角形状测定部(7)构成，该倒角加工部(4)去除晶圆(W)的切口，该清洗部(5)进行晶圆的清洗和干燥，该倒角形状测定部(7)进行倒角形状的测定；其中，在倒角加工部、清洗部及倒角形状测定部，分别具备保持晶圆的旋转台和控制旋转台与晶圆的旋转位置的控制装置；旋转台具有旋转开始时的旋转位置的基准位置，并保持相对于该基准位置的旋转开始时的旋转位置在所有的旋转台上都是相同的旋转位置，控制装置控制晶圆的旋转开始时的旋转位置与旋转结束时的旋转位置，使其总是位于特定的位置。由此，即使是对于无切口晶圆也能适当地进行反馈控制，并能抑制倒角形状尺寸的偏差，能实现所希望的晶圆倒角部的剖面形状精度。
倒角加工装置切口制造方法

[发明专利]圆板形工件用外周研磨装置-CN201380023886.5有效
发明人： 加藤忠弘;江成昭敏;五十子光孝 -专利权人：信越半导体股份有限公司;快递股份有限公司
申请日： 2013-02-14 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： B24B9/00 文献下载
摘要：提供一种外周研磨装置，能够对坡口角度不同的工件的边缘进行研磨。对工件(W)的表面侧及背面侧的边缘(Ea、Eb)进行研磨的边缘研磨单元(2A、2B)具有：研磨部件安装体(11)，其安装有研磨部件(10)；安装体支承部件(12)，其倾转自如地支承该研磨部件安装体(11)；安装体用角度调整机构(13)，其调整所述研磨部件安装体(11)的倾斜角度；摆动支承基座(15)，其以沿着摆动直线摆动自如的方式支承所述安装体支承部(12)；基座支承部(17)，其倾转自如地支承该摆动支承基座(15)；基座用角度调整机构(18)，其以与所述工件(W)的边缘(Eb)平行的方式调整所述摆动支承基座(15)的倾斜角度；以及基台部(19)，其以能够在垂直方向和水平方向上进行位置校正的方式支承所述基座支承部(17)。
圆板形工件用外周研磨装置

[发明专利]贴合晶片的制造方法-CN201080062579.4有效
发明人： 加藤忠弘 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种贴合晶片的制造方法，至少贴合外周经过倒角的结合晶片和基体晶片，并将所述结合晶片薄膜化，由此来制造贴合晶片，所述贴合晶片的制造方法的特征在于，所述结合晶片的薄膜化具有：第1工序，将所述结合晶片平面磨削至第1特定厚度；第2工序，去除所述经过平面磨削的结合晶片的外周部；及，第3工序，将所述结合晶片平面磨削并薄膜化至第2特定厚度。由此，本发明提供一种贴合晶片的制造方法，可以在短时间内制造一种贴合晶片，不改变基体晶片的形状，结合晶片的直径减少得以被尽量抑制，并且在SOI层等经过薄膜化的结合晶片外周部上无豁口，而且不会剥落。
贴合晶片制造方法

[发明专利]晶片的倒角加工方法-CN201080012079.X有效
发明人：石政幸男;片山一郎;加藤忠弘;大西邦明 -专利权人：日商·大都电子股份有限公司;信越半导体株式会社
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： B24B9/00 文献下载
摘要：在以往的晶片倒角加工中，虽然晶片周的倒角形状(截面形状)均匀，但在晶片制造的倒角工序处理中，均匀的倒角形状随圆周位置而产生了变化，所以，本发明提供一种对晶片制造的倒角工序处理中的变形进行了估计的晶片倒角加工方法。本发明的晶片的倒角加工方法使无槽砂轮接触在晶片的边缘(周端部)而对晶片进行倒角；其特征在于：将使上述晶片与砂轮在Z轴及Y轴方向上相对移动而在晶片整周形成相同的截面形状的移动轨迹作为基准，为了相应于晶片旋转角度位置在Z轴或Y轴中的至少一轴方向上使晶片与砂轮的相对位置从上述基准轨迹位置变动地进行加工动作，使用压电致动器，相应于晶片的旋转角度位置形成不同的截面形状。
晶片倒角加工方法

[发明专利]两头磨削装置及芯片的制造方法-CN200980116945.7有效
发明人：小林健司;加藤忠弘 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： B24B7/17 文献下载
摘要：本发明是一种两头磨削装置，至少具备：环状且可作自转的保持器，其对于具有用以表示结晶方位的凹槽的薄板状芯片，具有与上述凹槽卡合的突起部，且沿着径向从外周侧来支撑该芯片；一对砥石，其同时磨削已通过上述保持器而被支撑的芯片的两面；在上述保持器上，除了与上述结晶方位用的凹槽卡合的突起部以外，至少设有一个以上的突起部，并使该突起部与已形成于上述芯片上的芯片支撑用的凹槽卡合，来支撑芯片且使其旋转，并利用上述一对砥石，同时磨削上述芯片的两面。由此，可提供一种两头磨削装置及芯片的制造方法，在两头磨削中，能抑制芯片的凹槽周边的变形来改善纳米形貌，且降低芯片及保持器的破损率，并能提高制品的成品率与降低装置成本。
两头磨削装置芯片制造方法

[发明专利]工件的双面磨削装置及工件的双面磨削方法-CN200980104427.3有效
发明人： 加藤忠弘;小林健司 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： B24B7/17 文献下载
摘要：本发明是一种工件的双面磨削装置，至少具备：可自转的工件保持器，其沿着径向，从外周侧来支撑薄板状的工件；一对静压支撑构件，其位于该工件保持器两侧，沿着自转的轴向，从两侧通过流体的静压，非接触支撑工件保持器；以及一对砥石，其同时地磨削被上述工件保持器支撑的工件的两面；其特征在于：上述工件保持器与上述静压支撑构件的间隔是50μm以下，且上述静压支撑构件以0.3MPa以上的上述流体的静压，来支撑上述工件保持器。由此，提供一种工件的双面磨削装置及双面磨削方法，在工件的双面磨削中，可使成为工件的纳米形貌恶化的重要原因的沿着从外周侧来支撑工件的工件保持器的自转的轴向的位置稳定化。
工件双面磨削装置方法

[发明专利]利用线锯的工件的切断方法及线锯-CN200880116667.0有效
发明人：北川幸司;加藤忠弘;糸井征夫;须藤富一 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： B24B27/06 文献下载
摘要：本发明是一种线锯，通过将切断用钢线卷绕在多个滚筒的周边上而形成钢线列，所述切断用钢线在轴方向被往复驱动，一边供给浆液至该切断用钢线，一边对于所述钢线列切入进给工件，由此将该工件同时在轴方向并列的多处切断，其特征在于：该线锯控制成为在所述工件切断后，在由所述钢线列拔出该工件时，一边使钢线以2m/min以下的速度行进，一边拔出工件。由此提供一种线锯，利用简单的结构，便不会对于通过线锯的钢线列切断的工件的切断面造成不良影响，而从所述钢线列拔出已经完成切断的工件。
利用工件切断方法

[发明专利]改善晶片表面的纳米形貌的方法及线锯装置-CN200680031869.6有效
发明人：大石弘;加藤忠弘 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2006-08-09 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： B24B27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种改善晶片表面的纳米形貌的方法，用于改善通过线锯装置切割晶棒而成的晶片表面的纳米形貌的方法，改善线锯装置所具备的进给平台的进给直线度，该进给平台是用以将晶棒往将钢线卷绕在多个滚轮之间所形成的钢线列进给；以及提供一种用来切割晶棒以制造晶片的线锯装置，其具备：将钢线卷绕在多个滚轮之间而形成的钢线列，用以固定晶棒而将其往钢线列进给的进给平台，以及用以将进给平台直线状地导引的直线导轨；进给平台的进给直线度，其波长20～200mm的成分满足PV值≤1.0μm。由此，提供一种通过消除具有周期性的切片波纹度而改善晶片表面的纳米形貌的方法及线锯装置。
改善晶片表面纳米形貌方法装置

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