“晶圆边界”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果759705个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]定位晶圆的中心点的方法、装置、存储介质以及电子设备-CN202211215700.3在审
发明人：曾兵兵;张彩虹;陈思乡;潘剑凯;刘军 -专利权人：杭州长川科技股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种定位晶圆的中心点的方法、装置、存储介质以及电子设备。其中，该方法包括：获取晶圆边界图像中第一目标位置对应的第一晶圆边界点集合，以及第二目标位置对应的第二晶圆边界点集合；将第一晶圆边界点集合中的第一晶圆边界点与第二晶圆边界点集合中的第二晶圆边界点进行随机组合，得到多组边界点对；确定多组边界点对中每一对边界点之间的连线得到多条连线；获取多条连线中各个连线对应的各中垂线，根据各中垂线交点确定晶圆的中心点。本申请解决了由于晶圆边缘自身为不规则形状采用最小二乘法或者霍夫圆法等直接进行晶圆的中心的定位，造成晶圆的中心点位置定位不精确的技术问题。
定位中心点方法装置存储介质以及电子设备

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202310147709.3在审
发明人：立花文人;植茶雅史;南云裕司 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在一种半导体装置的制造方法中，制备其中形成多个半导体元件(3)并且具有彼此相反的第一表面(2a)和第二表面(2b)的晶圆(2)，以及沿着所述多个半导体元件中相邻半导体元件之间的边界(4)在所述晶圆的所述第一表面上形成凹槽以所述晶圆的所述第一表面面向支撑板(31)的方式将所述晶圆附接到所述支撑板，以及沿着所述边界将刻划刀片(33)压靠所述晶圆的所述第二表面以沿着所述边界在所述晶圆内部形成竖直裂纹(5)。然后，沿着所述边界将分断刀片(34)压靠所述晶圆以沿着所述边界劈开所述晶圆。
半导体装置制造方法

[发明专利]确定焦点边界、判断晶圆是否需要返工的方法-CN202110104698.1有效
发明人：蔡孟勳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种确定晶圆焦点边界、判断晶圆是否需要返工的方法，属于半导体技术领域。其中，确定晶圆焦点边界方法包括获取曝光前晶圆局部区域平坦度信息及位置信息；获取异常晶粒分布信息、异常晶粒对应的制程信息和晶圆良率相关数据信息；根据所述晶圆局部区域平坦度信息及位置信息、所述异常晶粒分布信息、所述异常晶粒对应的制程信息和晶圆良率相关数据信息，确定不同制程对应的焦点边界。本公开提供的确定晶圆焦点边界的方法，可针对光刻技术中不同的制程，确定相对应的焦点边界，使得在半导体光刻技术整个进程中，焦点控制更加精细，有助于进一步提高产品良率。
确定焦点边界判断是否需要返工方法

[发明专利]面向晶圆显微检测的分级变吸力伯努利吸盘装置及其应用方法-CN202011365265.3有效
发明人：孙进;雷震霆;刘芳军;杨志勇;张道周;张洋 -专利权人：扬州思普尔科技有限公司;扬州大学
申请日： 2020-11-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：面向晶圆显微检测的分级变吸力伯努利吸盘装置及其应用方法，属于图像识别和晶圆检测技术领域。本发明首先使用工业相机采集晶圆图像然后把晶圆图像二值化，接着用相邻阻断法加上八邻域边界跟踪对晶圆进行边界跟踪，其次得到晶圆边界坐标。最后通过格林公式和欧式距离公式计算目标区域晶圆周长与面积，进行比值得到半径R。从工业相机中获得晶圆的半径，用装置改变分级吸盘的大小，改变吸力调节器的位置，从而改变气体的流量大小，进而改变吸盘的吸力大小；改变吸盘的方向，使工业相机可以对准晶圆的平缺口；最后手持吸盘吸取晶圆。
面向显微检测分级吸力伯努利吸盘装置及其应用方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202310136493.0在审
发明人：高畑弘幸;南云裕司;植茶雅史 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：制备具有其上形成多个半导体元件(3)并且支撑板(12)通过粘合剂(11)附着到其上的第一表面(2a)的晶圆(2)；在所述支撑板附接至所述晶圆的第一表面的状态下，对所述晶圆的与所述第一表面相反的第二表面(2b)进行研磨；通过将刻划轮(32)沿着所述相邻半导体元件之间的边界压靠所述晶圆，在所述晶圆内部并沿着所述边界形成竖直裂纹；将所述支撑板与所述晶圆分离，同时将所述粘合剂留在所述晶圆的所述第一表面上；通过在所述粘合剂上方沿着所述边界将分断杆压靠所述晶圆，以沿着所述边界劈开所述晶圆；从已经通过所述劈开从所述晶圆分开的至少一个所述半导体元件去除所述粘合剂。
半导体装置制造方法

[发明专利]晶圆定位方法与晶圆加工设备-CN202210901186.2在审
发明人：高峰 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司;合肥颀中科技股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请公开一种晶圆定位方法与晶圆加工设备，所述晶圆定位方法包括固定晶圆后，先控制机头移动至所述晶圆最后一行芯片的上方；获取所述晶圆最后一行芯片的边界位置，所述边界位置是指正常芯片与缺陷芯片的邻接位置；再控制机头移动至所述晶圆的初始加工位置本申请晶圆定位方法及晶圆加工设备能够更准确地对初始加工位置进行定位，减少人工操作，提高现场效率，更好地满足晶圆加工需求。
定位方法加工设备

[发明专利]用于在衬底晶圆上沉积外延层的方法-CN202180055480.X在审
发明人： T·施泰特纳;M·文鲍尔 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于由气相在衬底晶圆上沉积外延层的方法，包括：测量衬底晶圆的边缘几何形状，其中所述边缘几何形状基于边缘位置将厚度特征值指派给衬底晶圆的边缘；将衬底晶圆放置在用于沉积外延层的装置的基座的袋状部中，其中袋状部被具有圆形的圆周的边界包围；加热衬底晶圆；以及使工艺气体在衬底晶圆上方通过；其特征在于，衬底晶圆被放置在袋状部中，使得在具有较厚边缘的厚度特征值的边缘位置处从衬底晶圆到袋状部的边界的距离比在具有较薄边缘的厚度特征值的边缘位置处从衬底晶圆到袋状部的边界的距离小
用于衬底晶圆上沉积外延方法

[发明专利]用于校准光刻工具的装置及方法-CN200910057967.2有效
发明人：陈群琦;林世鸿;朱伟;陈钦裕 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：校准晶圆可载有一个或多个不同的标记类型，以利于光刻工艺的检查。第一标记类型可位于晶圆的外围部分上，以指示边缘球状物去除(EBR)区域的期望边界。第二标记类型可位于晶圆的外围部分上，以指示晶圆边缘暴露区域(WEE)的期望边界。第三标记类型可指示晶圆的期望载有晶圆标识标记的部分的边界。第四标记类型可位于晶圆的中心，可使得将液体抗蚀剂材料准确并均匀地施加于晶圆。在对光刻工艺的各个阶段的准确度进行快速简便的评估的方法中可采用校准晶圆。
用于校准光刻工具装置方法

[发明专利]检测晶边洗边边界的方法-CN201811477063.0有效
发明人：冯亚丽 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测晶边洗边边界的方法，涉及半导体制造工艺，包括提供包括探测器的晶圆扫描机台；定位探测器的镜头，使探测器镜头能够扫描到晶圆厚度方向的一个特定厚度Δd的图像，然后旋转晶圆，使探测器镜头以特定厚度Δd为扫描范围扫描晶圆一周，并对扫描得到的图形做近似矩形处理，得到一个宽为Δd＇、长为晶圆周长C的矩形扫描图像；将矩形扫描图像分成M个单元，每个单元分成N个像素，对N个像素做卷积处理，得到洗边边界特征数据库，其中，M1，N1；设定晶圆洗边边界阈值，对洗边边界特征数据库相邻两行的数据做差计算，当相邻两行的差值大于阈值时，认为是洗边边界，并报告出洗边边界，以精确检测晶边洗边边界。
检测晶边洗边边界方法

[发明专利]警报装置及其警报方法-CN202110792570.9有效
发明人：董学儒;蔡奉儒 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G08B21/18 文献下载
摘要：图像撷取单元经配置以撷取晶圆输送系统的至少一个图像；处理单元经配置以：从图像撷取单元取得至少一个图像；在至少一个图像中定义一第一边界；在至少一个图像中识别晶圆输送系统的晶圆载台；判断晶圆载台是否与至少一个图像中的第一边界相交；当判断晶圆载台与至少一个图像中的第一边界相交时，通过输入/输出单元将警报信号发送到该晶圆输送系统。
警报装置及其方法

[发明专利]晶圆预校准方法及装置-CN202211628038.4在审
发明人：王晓尉 -专利权人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆预校准方法及装置，属于晶圆制造领域，该方法包括：通过位移传感器，获取晶圆边缘与传感器测量范围边界线之间的距离信息；根据距离信息确定边缘构成的曲线沿第二坐标轴方向的极值点，根据极值点对应的第二坐标轴的取值确定晶圆在第二坐标轴的偏移量；在晶圆基于偏移量进行第二坐标轴的校准后，根据传感器测得的边界线内晶圆最大宽度，和基于转台中心确定的第一坐标轴方向的边界线内晶圆最大宽度，确定第一坐标轴的偏移量，以基于第一坐标轴的偏移量进行校准。该方法基于晶圆边缘和传感器边界的距离实现，可通过一次位移采集足量的有效信息，从而提高晶圆校准过程的效率，且不需要旋转一周或一周以上，进一步提高校准效率。
晶圆预校准方法装置

[实用新型]一种减小芯片尺寸的封装结构-CN202221053866.5有效
发明人：彭祎;方梁洪;任超;严晨虎 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请涉及一种减小芯片尺寸的封装结构，其包括晶圆，所述晶圆上设置有钝化层和与晶圆电连接的焊盘，所述钝化层设置有第一开口，以供焊盘露出；再布线层，所述再布线层设置于钝化层远离晶圆的一侧，所述再布线层的一端延伸至第一开口内与焊盘电连接；以及金属凸点，所述金属凸点设置于再布线层远离焊盘的一端且与再布线层电连接，所述金属凸点呈四分之一圆柱型设置，所述金属凸点靠近晶圆边界的侧壁和晶圆的边界平行且位于晶圆的边界角处。改善了现有的封装方式限制了尺寸往更小的方向发展的问题，本申请具有芯片尺寸有效缩小，提高了晶圆的封装效率的效果。
一种减小芯片尺寸封装结构

[发明专利]一种适用于超导探测器玻璃窗的制备工艺-CN202011076966.5在审
发明人：宋艳汝;杨瑾屏;刘志 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于超导探测器玻璃窗的制备工艺，其特征在于，在玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧切割出芯片边界切割槽一，并完全刻蚀芯片边界切割槽一内的硅或氮化硅及截止层；将玻璃窗晶圆的玻璃窗一侧与承载晶圆键合；在键合晶圆的硅层一侧刻蚀玻璃窗，并在对应芯片边界切割槽一的位置刻蚀出芯片边界切割槽二，露出截止层；采用氧气等离子体清洗残留的光刻胶；使用有机溶剂分离玻璃窗晶圆与承载晶圆，将含玻璃窗的芯片与玻璃窗晶圆分离。采用本发明提供的适用于宇宙微波背景辐射探测的超导探测器玻璃窗的制备方案，可将制备含探测器图形的玻璃窗的成功率提高到100％，含玻璃窗的芯片从玻璃窗晶圆上分离的成功率同样达到100％。
一种适用于超导探测器玻璃窗制备工艺

[发明专利]一种超薄晶圆的双面加工工艺-CN202211395811.7在审
发明人：严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆加工技术领域，具体的是一种超薄晶圆的双面加工工艺，其特征在于，所述双面加工工艺包括如下步骤：S1、将超薄晶圆键合在环形玻璃载盘上；S2、在超薄晶圆的上方均匀涂布聚酰亚胺，固化得到聚酰亚胺层；S3、清洗去除超薄晶圆上方的聚酰亚胺层，漏出超薄晶圆的一面；S4、利用夹辊对聚酰亚胺层和环形玻璃载盘进行夹持，固定超薄晶圆；S5、对超薄晶圆进行双面，实现双面加工的操作。本发明双面加工工艺，其中设计环形玻璃载盘对超薄晶圆进行支撑固定，通过聚酰亚胺层对超薄晶圆的边界进行包裹保护，避免夹辊直接夹持导致的超薄晶圆边界破裂，对超薄晶圆进行固定，同时不妨碍双面加工，适合应用于超薄晶圆生产加工中
一种超薄双面加工工艺

[实用新型]用于检测晶圆吸盘残留异物的线扫描光学检测系统-CN202022487411.1有效
发明人：谭培汝;沈铭兴;陈建宾 -专利权人：致茂电子(苏州)有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：一种用于检测晶圆吸盘残留异物的线扫描光学检测系统，利用一移动模块使晶圆吸盘沿一移动方向移动。当晶圆吸盘移动至被检测光束所照射的位置时，利用一线扫描图像获取模块沿一扫描线对晶圆吸盘进行线扫描以获取一晶圆吸盘检测图像。若晶圆吸盘上残留有异物时，检测光束投射至异物与晶圆吸盘的至少一交界边缘后，因异物与晶圆吸盘的反射条件不同而在晶圆吸盘检测图像中呈现出至少一异物边界轮廓，藉由晶圆吸盘检测图像是否存在异物边界轮廓，可判断晶圆吸盘上是否仍残留有异物藉由将本实用新型，可在现有晶圆处理制程设备狭窄的内部空间中精确检测出晶圆吸盘上是否存在异物，使异物清除工作能更有效率地进行。
用于检测吸盘残留异物扫描光学系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top