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[发明专利]半导体器件的高氧含量硅单晶基片制法-CN86106346.5无效
发明人：铃木利彦;加藤弥三郎;二神元信 -专利权人：索尼公司
申请日： 1986-10-31 - 公布日： 1992-04-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：硅基片的生产方法，包括在较高生产速度下生长硅单硅体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米3。
半导体器件含量硅单晶基片制法

[其他]半导体器件的高氧含量硅单晶基片及其制法-CN86106346无效
发明人：铃木利彦;加藤弥三郎;二神元信 -专利权人：索尼公司
申请日： 1986-10-31 - 公布日： 1987-06-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：硅基片的生产方法，包括在较高生长速度下生长硅单晶体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米。
半导体器件含量硅单晶基片及其制法

[发明专利]晶体硅块的切割方法-CN201110460018.6有效
发明人：冯文宏 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅块的切割方法，包括：检测所述晶体硅块，去除晶体硅块的头尾；将固化组分和溶解组分按一定的比例进行混合，制取硅胶；将夹板放置在切割平台上；采用硅胶将若干晶体硅块紧挨布置、并粘接在夹板上，在相邻的两个晶体硅块间的缝隙内填充满所述硅胶；刮平晶体硅块与所述夹板间、晶体硅块间多余的硅胶；待粘接晶体硅块与夹板和位于所述缝隙内的所述硅胶晾干后，切割晶体硅块。本发明提供的晶体硅块的切割方法中，将相邻的晶体硅块间的缝隙用硅胶填满，消除了晶体硅块间的缝隙，使得钢线在切入晶体硅块的过程中受力较均匀，从而避免了由于晶体硅块间的缝隙导致钢线切斜、跳线的问题，进而提高了切割晶体硅块的合格率
晶体切割方法

[实用新型]湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置-CN201820576495.6有效
发明人：蒋新;刘礼勇;魏凯;施利君 -专利权人：苏州晶洲装备科技有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，它包括水槽，所述水槽具有承托面和开口；晶体硅花篮，所述晶体硅花篮置放于所述水槽中的所述承托面上，所述晶体硅花篮的长度方向上并列设置有多个用于插置晶体硅的插置槽，每个所述插置槽中可同时插入两片相叠的晶体硅；超声波组件，所述超声波组件用于驱动所述水槽中的水朝向所述晶体硅花篮流动进入双层晶体硅之间以分离晶体硅，所述超声波组件包括超声波发生器和与所述超声波发生器连接的至少一个超声波换能器超声波换能器驱动水槽中的水朝向晶体硅花篮流动，水进入双层叠合的晶体硅之间使得晶体硅分离，能使晶体硅柔性分离，碎片率低。
晶体硅水槽花篮超声波组件双层叠合超声波发生器超声波换能器湿法分离装置插置槽湿制程本实用新型并列设置分离晶体驱动承托面碎片率插置承托流动相叠置放开口

[发明专利]光电转换装置及其制造方法-CN03120662.X有效
发明人：寺川朗;浅海利夫 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种可以提高晶体硅类半导体和非晶体硅类半导体的界面特性，改善结合特性的光电转换装置。这种光电转换装置可以按照夹持着i型非晶体硅制薄层(12)的方式，叠层设置有n型单晶体硅制基板(11)和p型非晶体硅制薄层(13)，在单晶体硅制基板(11)的内面侧处还通过i型非晶体硅制薄层(14)，设置有n型非晶体硅制薄层(15)，而且在单晶体硅制基板(11)与i型非晶体硅制薄层(12)、(14)间的界面处，存在有其浓度比i型非晶体硅制薄层(12)、(14)中的氧原子浓度高的氧原子。
光电转换装置及其制造方法

[发明专利]一种晶体硅棒的预处理方法-CN201711194346.X在审
发明人：熊震;李飞龙;谷宁宁;郭庆红;朱军;邢国强 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅棒的预处理方法，将电源与晶体硅棒连接并通电加热，调整电源电压，使晶体硅棒内的电流维持稳定以加热至目标温度，待晶体硅棒自然冷却至室温后切割。当晶体硅棒通电时，晶体硅棒作为导体，温度将逐渐升高，电流维持稳定将使晶体硅棒按照一定的温升速率均匀升温，晶体硅棒内部由于局部应力分布不均或其他缺陷等原因，将产生微小的电阻率和导电性差异，这些差异将导致局部温度升高，从而使晶体硅棒自身调节降低局部的应力，减小内部热应力，从而降低晶体硅棒硬度及加工难度，减少金刚线切割单片用线量，从而降低金刚线切片加工成本；且通过通电加热晶体硅棒，晶体硅棒内外温度均匀，显著提高了晶体硅棒的加热速率
一种晶体预处理方法

[发明专利]一种硅晶体的破碎方法及热处理装置-CN201910411874.9有效
发明人：宫尾秀一 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： B02C23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶体的破碎方法及热处理装置，硅晶体的破碎方法包括：对硅晶体进行热处理，所述硅晶体至少包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的温度差大于温差阈值，将热处理后的硅晶体进行破碎处理根据本发明的硅晶体的破碎方法，对硅晶体进行热处理后，使得硅晶体上的第一区域和第二区域的温度差大于温差阈值以产生热应变，使得硅晶体容易破碎，硅晶体上的温度不同时便于将热处理后的硅晶体进行破碎处理，热处理时所需温度低，破碎后的硅晶体上不易产生裂纹，避免后续的蚀刻工序中杂质与试剂液进入裂纹层，避免杂质与试剂液污染裂纹层，提高破碎后的硅晶体的纯度。
一种晶体破碎方法热处理装置

[实用新型]一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置-CN201820576365.2有效
发明人：蒋新;刘礼勇;魏凯;施利君 -专利权人：苏州晶洲装备科技有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，它包括：水槽，所述水槽具有承托面和开口；晶体硅花篮，所述晶体硅花篮置放于所述水槽中的所述承托面上，所述晶体硅花篮的长度方向上并列设置有多个用于插置晶体硅的插置槽，每个所述插置槽中可同时插入两片相叠的晶体硅；高压喷水组件，所述高压喷水组件安装在所述水槽中，所述高压喷水组件包括布置在所述晶体硅花篮侧方的高压水管，所述高压水管上开设有多个面向所述晶体硅花篮的喷水开口从喷水开口中喷出的高速水流驱动水槽内的水向晶体硅花篮上放置的晶体硅流动，水进入双层叠合的两片晶体硅之间促使双层叠合的晶体硅分离，再通过相应的水下取片装置或水上取片装置将晶体硅取出。
晶体硅水槽花篮双层叠合高压喷水湿法分离装置高压水管取片装置开口插置槽湿制程本实用新型并列设置高速水流组件安装组件包括承托面侧方插置承托喷出相叠置放取出驱动流动

[发明专利]一种晶体硅的制备方法及晶体硅-CN201610227154.3在审
发明人：钟德京;刘存健;熊艳荣;张涛;邹军 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到晶体硅铸锭炉或单晶炉的坩埚内；在保护气体存在下，加热使所述多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体，调节晶体硅生长参数，使所述硅熔体开始生长晶体，在生长晶体的过程中，当晶体的电阻率达到临界电阻率时，向坩埚内剩余的硅熔体中补加所述多晶硅料形成新的硅熔体，使晶体的电阻率被调控到目标电阻率，所述新的硅熔体继续长晶，待坩埚内的硅熔体结晶完毕后，得到目标收率的晶体硅本发明的方法可以解决现有技术中制得的晶体硅的电阻率偏低区域较多、电阻率分布不集中、晶体硅收率较低的问题。本发明还提供了一种晶体硅。
一种晶体制备方法

[发明专利]一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法-CN201610136770.8有效
发明人：钟德京;邱家梁;张涛;黄伟冬;邹军 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，包括以下步骤在晶体硅生长过程中，向铸锭炉中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体随着晶体硅的生长在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，得到富含氧元素的富氧层，长晶完成后得到晶体硅，根据富氧层的生长界面获得晶体硅的生长界面，根据富氧层在晶体硅中的高度或富氧层的厚度计算得到晶体硅的生长速度。本发明在晶体硅生长过程中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，氧元素在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，从而在晶体中形成富氧层，根据富氧层可以表征晶体硅生长界面和生长速度，表征精确度较高。
一种表征晶体生长界面速度方法

[发明专利]一种晶体硅的粘胶方法-CN201710260882.9有效
发明人：付红平;章金兵 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅的粘胶方法，用于粘接晶体硅和工件板，包括：提供工件板，在工件板的一个表面涂布胶水；提供晶体硅，晶体硅设有倒角，将晶体硅的待粘胶面与工件板涂布有胶水的表面接触，以实现晶体硅与工件板的粘接；提供填充剂，将填充剂填充在倒角与工件板之间形成的空隙处和/或晶体硅和工件板粘接过程中晶体硅超出工件板边缘形成的悬空区域处，固化后，将粘接在一起的晶体硅和工件板上机切割；填充剂包括固化后邵氏D硬度大于80本发明提供的晶体硅的粘胶方法可提高晶体硅的切割良率。
一种晶体粘胶方法

[发明专利]一种晶体硅块切割方法-CN200910098541.1无效
发明人：吴云才;刘伟;刘文涛;聂帅 -专利权人：浙江昱辉阳光能源有限公司
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅块切割方法，将被切割晶体硅块置于切片机平台，若干条水平布设的线状锯，线状锯喷洒砂浆，对晶体硅块实施切割，其特征在于晶体硅块切割前对晶体硅块的两端面打磨平整，线状锯等距平行布设，宽度小于被割晶体硅块的长度通过本发明的技术方案，改善了晶体硅块切割过程中的“爬坡”现象，较好地解决了晶体硅块切割过程中产生的硅碎片掉入线状锯网或导轮而引起的断线、跳线问题。
一种晶体切割方法

[发明专利]晶体硅卸料装置、晶体硅截断机及晶体硅截断方法-CN201710835465.2在审
发明人：卢建伟;李鑫 -专利权人：浙江集英精密机器有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本申请公开一种晶体硅卸料装置、晶体硅截断机及晶体硅截断方法，该晶体硅截断机包括：工件承载装置线、切割装置，以及晶体硅卸料装置，其中，晶体硅卸料装置包括的设于基座上的主体夹具和边料夹具，用于对晶体硅经切割后形成的主体段和边料进行夹持和分类
晶体硅卸料装置截断机截断边料夹具主体段工件承载装置切割装置分类夹持夹取切割申请

[发明专利]一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件-CN201910287804.7在审
发明人：常纪鹏;卢刚;何凤琴;孟庆平 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种全旁路保护晶体硅太阳电池组件，N片串联的晶体硅太阳能电池片一，N≥2，每片晶体硅太阳能电池片一用于将吸收的太阳能转化为对外输出的电能，其特征在于，还包括N片晶体硅太阳能电池片二，N片晶体硅太阳能电池片二仅作为PN结分别并联在N片晶体硅太阳能电池片一上，仅当晶体硅太阳能电池片一被遮挡时，并联在当前晶体硅太阳能电池片一上的晶体硅太阳能电池片二导通，对当前晶体硅太阳能电池片一起到旁路保护作用。本发明极大减少了现有晶体硅太阳电池组件由于阴影遮挡造成的功率损失，提升了晶体硅组件在有阴影遮挡下的发电量。
晶体硅太阳能电池片晶体硅太阳电池组件旁路保护阴影遮挡晶体硅组件太阳能转化功率损失导通发电量遮挡串联输出吸收

[发明专利]一种晶体硅及其制备方法-CN201710200003.3在审
发明人：陈红荣;胡动力;徐云飞;孙庚昕;何亮 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括在坩埚中填装熔融状态的硅熔体，然后调节温度，进入长晶阶段，在长晶过程中，向坩埚内持续或间断地通入空气直至长晶结束，所述空气的流量为1L/min‑6L/min，经退火冷却后，得到晶体硅。本发明提供的晶体硅的制备方法，通过在晶体硅制备的长晶阶段通入空气，减少了晶体硅中的碳和碳化硅杂质含量，提高了晶体硅的出材率，降低了晶体硅的位错。本发明还提供了一种晶体硅，该晶体硅位错较少，少子寿命较高，质量较好。
一种晶体及其制备方法

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