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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]重放设备-CN200310112956.2有效
发明人： 铃木利彦 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H04N5/91 文献下载
摘要：本发明提供一种重放设备，一览显示记录在记录媒体中的片段的代表图像，从记录媒体中再生一部分图像数据，存入存储器中，该一部分图像数据是从与该一览显示的代表图像中被选择的代表图像相对应的片段的起始处开始的。并且，在收到重放开始指示后，开始读出存储在存储器中的一部分数据。
重放设备

[发明专利]记录装置-CN02142209.5无效
发明人： 铃木利彦 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2002-08-23 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： G11B20/24 文献下载
摘要：本发明提供一种记录装置，其在记录由装置内置的摄像机单元和话筒得到的图像、声音数据的摄像模式中，以与摄像模式相对应的第1速度移动读写头元件，在记录由装置外部输入的图像、声音数据的外部输入模式中，以与外部模式相对应的第2速度移动读写头机构。
记录装置

[发明专利]半导体器件的高氧含量硅单晶基片制法-CN86106346.5无效
发明人： 铃木利彦;加藤弥三郎;二神元信 -专利权人：索尼公司
申请日： 1986-10-31 - 公布日： 1992-04-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：硅基片的生产方法，包括在较高生产速度下生长硅单硅体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米3。
半导体器件含量硅单晶基片制法

[发明专利]单晶生长装置-CN85101043.1无效
发明人： 铃木利彦;星金治;伊沢伸幸;大久保安教 -专利权人：索尼公司
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1991-12-25 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：为了增加单晶生长速率。必要增加固-液交界面的固相单晶内的温度梯度(dT/dX)。因为提拉单晶总是受到来自加热器的辐射热。所以最好要降低加热器的温度。尽管如此，当这里加热器的温度降低了，便存在一个课题，即熔融液体表面很容易在液体与坩埚内壁连接的部位发生凝固。为了克服上述问题，加热器设计成使得熔融液体的上部加热到比熔融液体下部的温度要高。
生长装置

[发明专利]掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法-CN86107824.1无效
发明人：加藤弥三郎;铃木利彦;伊沢伸幸;神户秀夫;浜崎正治 -专利权人：索尼公司
申请日： 1986-11-12 - 公布日： 1990-01-17 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元索Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρ，为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底按上述方法制造一个具有个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。
掺杂均匀分布固体摄像及其制造方法

[其他]半导体器件的高氧含量硅单晶基片及其制法-CN86106346无效
发明人： 铃木利彦;加藤弥三郎;二神元信 -专利权人：索尼公司
申请日： 1986-10-31 - 公布日： 1987-06-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：硅基片的生产方法，包括在较高生长速度下生长硅单晶体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米。
半导体器件含量硅单晶基片及其制法

[其他]掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法-CN86107824无效
发明人：加藤弥三郎;铃木利彦;伊沢伸幸;神户秀夫;浜崎正治 -专利权人：索尼公司
申请日： 1986-11-12 - 公布日： 1987-06-03 - 主分类号： H01L21/72 文献下载
摘要：一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元素Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρs为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底，按上述方法制造一个具有多个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。
掺杂均匀分布固体摄像及其制造方法

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