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[发明专利]类单晶晶体品质评估方法及系统-CN202011292055.6在审
发明人：王全志;陈伟;李林东;唐珊珊;张光春 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种类单晶晶体品质评估方法及系统，该方法包括：获取类单晶晶体开方后得到的多个晶体块的头料和尾料；对获取到的多个头料和多个尾料的横截面分别进行PL检测；将多个头料和多个尾料对应的PL检测结果按照预设方向进行原位置拼接，对应得到晶体块的头部检测结果和尾部检测结果；根据头部检测结果和尾部检测结果对类单晶晶体品质进行评估。本发明采用晶体块头部位置和尾部位置的横截面的检测结果来评估类单晶晶体的品质，从而能够准确、高效地表征表征类单晶晶体的品质，并有效规避掉对籽晶尺寸的依赖。
类单晶晶体品质评估方法系统

[发明专利]含能晶体材料的高品质细颗粒制备方法-CN201110160995.4有效
发明人：康彬;徐瑞娟;黄辉;姜燕;陈娅;夏云霞 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： C30B30/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种含能晶体材料的高品质细颗粒制备方法，核心内容是在降温结晶过程中引入功率超声技术，采用超声降温结晶方法制备平均粒径约10μm至50μm的含能晶体材料的高品质细颗粒产品。即：(1)将普通含能晶体材料高温溶解于不同溶剂中形成饱和结晶溶液；(2)将结晶溶液按一定速率降温，同时搅拌并超声处理；(3)等结晶溶液温度接近设定温度时，停止超声、降温和搅拌，过滤，洗涤，干燥，得到含能晶体材料的高品质细颗粒产品采用本发明的超声降温结晶方法制备的含能晶体材料的高品质细颗粒产品晶体缺陷少，晶体表观密度达到晶体理论密度的99.9％以上，颗粒形态好，球形度高，粒度分布窄，冲击波感度显著降低。
晶体材料品质颗粒制备方法

[发明专利]一种高品质球形HATO炸药晶体的制备与粒度调控方法-CN202310210541.6在审
发明人：廖东桀;安崇伟;陈娇;李世蛟;石宋超;徐传豪;叶宝云;王晶禹 -专利权人：中北大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C06B49/00 文献下载
摘要：本发明属于含能材料制备技术领域，具体涉及一种高品质球形HATO炸药晶体的制备与粒度调控方法；包括以下步骤：（1）侵蚀溶剂/炸药晶体悬浮体系的配置；（2）高品质球形HATO炸药晶体的制备与粒度调控；（3）球形HATO炸药晶体的过滤与干燥。本发明可实现高品质球形HATO炸药晶体的制备与粒度调控，所得HATO晶体粒度均一，球形化程度极高，晶体形态规整，表面光滑，流散性好；所涉及的球形化工艺安全性高，简单易于控制，结晶母液可循环使用，有利于降低成本减少污染
一种品质球形 hato 炸药晶体制备粒度调控方法

[发明专利]一种基于品质特征全息相关存储技术的红枣品质快速无损识别方法-CN201610101937.7有效
发明人：罗华平;郭玲;吴明清;柴学平;王丽 -专利权人：塔里木大学
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于品质特征全息相关存储技术的红枣品质快速无损识别方法，使用CCD相机、以波长对应红枣品质因子信息，采集不同品种、不同等级的红枣图像，依次对红枣品质因子信息进行二维编码，通过特征滤波器将所得二维编码形成二维数据页，将二维数据页进行数字化空间平面编码，存储在光折变全息晶体中形成光折变全息晶体红枣品质特征存储数据库；然后基于所得红枣品质全系存储数据晶体库，将待检测红枣样品的CCD相机相干图像作为输入图像与光折变晶体中存储的红枣品质全系存储数据进行相关程度比较本发明充分利用光学全息相关高速并行处理优势，可用于红枣品质的实时在线快速识别和品质分级。
一种基于品质特征全息相关存储技术红枣快速无损识别方法

[发明专利]一种高品质含能晶体材料细颗粒制备方法-CN201110160871.6有效
发明人：徐瑞娟;康彬;黄辉;姜燕;陈娅;夏云霞 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C06B21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高品质含能晶体材料细颗粒制备方法，在传统溶析结晶过程中采用超声溶析结晶方法，可制备多种高品质含能晶体材料，如太安(PETN)、黑索金(RDX)、奥克托今(HMX)、六硝基六氮杂异伍尔兹烷(采用本发明制备的高品质含能晶体材料细颗粒产品，其颗粒形态接近球形，粒度分布窄，平均粒径约5μm至50μm，晶体透明，颗粒密度高，达到晶体理论密度的99.9％以上，用于浇注或压装PBX炸药，冲击波感度显著降低本发明制备高品质含能晶体材料细颗粒的方法工艺流程简单，反应条件温和，适宜于大规模工业化生产。
一种品质晶体材料颗粒制备方法

[发明专利]一种高品质BBO晶体生长方法-CN201911181805.X在审
发明人：王昌运;陈伟;谢发利;张星;陈秋华 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高品质BBO晶体生长方法，采用硼酸、碳酸钡为原料，氟化钠为助熔剂，铂金坩埚和改造的提拉炉为生长装置，在晶体生长过程冲入流动气体CF4，生长得到高品质BBO晶体。
一种品质 bbo 晶体生长方法

[发明专利]一种晶体生长用智能控制系统-CN202211063600.3在审
发明人：罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长用智能控制系统，涉及晶体生长控制技术领域，包括晶体生产模块、信号验证模块、生产优化模块以及人员评估模块；晶体生产模块包括晶体生产炉、执行控制单元以及信号收发单元；执行控制单元用于接收信号收发单元的信号对晶体生产炉进行控制；信号验证模块用于实时验证信号收发单元的通信状态，保证控制精度；生产优化模块用于对引晶过程中的加热功率以及提拉速度进行优化分析；当Pzt超过品质系数阈值预设比例时，将品质系数Pzt最大值所对应的提拉速度标记为优化提拉速度；人员评估模块用于根据晶体成品的品质系数对操作员的操作状态进行评估，判断是否需要对操作员进行轮换，提高晶体生长效率。
一种晶体生长智能控制系统

[实用新型]一种制备高品质碳化硅晶体的热场结构-CN201821802315.8有效
发明人：李长进;李加林;李宏刚;刘家朋;孙元行;刘鹏飞;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种制备高品质碳化硅晶体的热场结构，该热场结构在石墨坩埚内放置碳化硅粉料的高度大致对应的石墨坩埚外壁的位置设置第一套环，石墨坩埚内放置碳化硅籽晶的高度大致对应的石墨坩埚外壁设置第二套环，第一套环和第二套环可调节碳化硅晶体长晶时的热场分布。本实用新型提供的制备高品质碳化硅晶体的热场结构，通过控制石墨坩埚内部的温场，减少碳化硅粉料气相携带碳颗粒的能力，保证晶体生长界面温场的均一，控制晶体的生长速率及应力释放，降低晶体开裂风险，避免了碳包裹体缺陷的产生，提高了碳化硅晶体品质。
碳化硅晶体热场结构套环石墨坩埚高品质制备石墨坩埚外壁本实用新型碳化硅粉料温场晶体生长界面碳化硅籽晶控制晶体热场分布应力释放可调节碳包裹碳颗粒体缺陷均一生长携带保证

[发明专利]一种有机非线性光学晶体用籽晶的生长方法-CN201710160821.5在审
发明人：曹丽凤;滕冰;钟德高;纪少华;马玉哲;韩世国 -专利权人：青岛大学
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种籽晶的生长方法，尤其是一种有机非线性光学晶体用籽晶的生长方法，用于高质量有机晶体生长场合，解决自发成核过程中晶核品质和数量难以控制，晶核之间易粘连的难题，实现自发成核过程中晶核品质和数量可控，有效避免晶核之间的粘连，提高籽晶的品质；先将有机晶体原料与有机溶剂混合，再进行抽滤和热处理，然后在育晶缸中保温，再缓慢降温，当溶液温度降至亚稳区间时，放入晶体薄片，并进一步降低降温速率，制得籽晶，其原理可靠，操作简单，品质好，效率高，对于光电子类新材料制备领域具有举足轻重的作用，能够用于制备光电子器件，具有良好的经济效益和广阔的市场前景。
一种有机非线性光学晶体籽晶生长方法

[发明专利]高品质因数光子晶体传感器、其制备方法及传感检测方法-CN202211546356.6有效
发明人：高丽;曹欣怡;董奇奥;赵慧娟;肖依博 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：高品质因数光子晶体传感器、其制备方法及传感检测方法，结合了软纳米压印技术和刻蚀工艺，制备了厘米级高品质因数的光子晶体，同时该结构具有高分辨率、高灵敏度的优点；该方法极大地优化了工艺过程，提高生产效率，降低了工艺成本；厘米级高品质因数光子晶体传感器用于传感不同折射率溶液，实现最高灵敏度为1703nm/RIU。
品质因数光子晶体传感器制备方法传感检测

[发明专利]一种基于光子晶体耦合三腔的光频梳产生方法与系统-CN202210938001.5在审
发明人：张晓东 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G02F1/365 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光子晶体耦合三腔的光频梳产生方法与系统，包括光子晶体薄板，所述光子晶体薄板上设有第一光子晶体波导、第二光子晶体波导、第三光子晶体波导、第一光子晶体微腔、第二光子晶体微腔和第三光子晶体微腔；本发明采用的光子晶体微腔具有品质因子与模式体积之间比值较大的特点，能够增强腔内的量子点非线性效应，降低实现波长漂移所需的功耗而且具有更小的器件尺寸；本发明基于耦合三腔系统在亮态和暗态间切换的原理进行调制，在微腔品质因子较低时仍然能保持高的调制深度，确保光频梳的平坦性和梳齿数量不受影响。
一种基于光子晶体耦合光频梳产生方法系统

[发明专利]SiC单晶体的品质评价方法及利用该方法的碳化硅单晶锭的制造方法-CN201880002188.X有效
发明人：中林正史;牛尾昌史 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供一种能够通过非破坏且简便的方法对SiC单晶的品质进行评价的SiC单晶的品质评价方法及利用该品质评价方法能够再现性良好地制造位错少、品质高的SiC单晶锭的SiC单晶锭的制造方法。是根据与测定点的位置的关系通过多项式近似地表示利用X射线摇摆曲线测定获得的峰位移值并基于对该第1多项式进行微分而获得的第2多项式的曲线图对SiC单晶体的品质进行评价的SiC单晶体的品质评价方法，另外，是使用以上述的方式进行了评价的SiC单晶体作为籽晶并通过升华再结晶法来制造SiC单晶锭的SiC单晶锭的制造方法。
sic 单晶体品质评价方法利用碳化硅单晶锭制造

[发明专利]一种高品质半导体硅材料耗材生长方法-CN201911362831.2有效
发明人：李辉;秦英谡;张熠;穆童;郑锴 -专利权人：南京晶升能源设备有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C30B15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高品质半导体硅材料耗材生长方法，包括化料、晶体生长、等径生长、冷却的步骤。其中采用在坩埚下方来制造过冷度，避免了坩埚上方热场件上的沉积物散落进坩埚内的可能，避免造成污染，提高晶体品质；整个晶体生长过程中，通过下降坩埚以及控制多段加热器的降温比例，共同营造出一个合理的固液生长界面，有利于结晶时排杂的同时，提高了晶体品质、通过对坩埚下降速度、多段加热器的降温比例及降温速度的调节，保持固液生长界面形状及相对加热器位置不变，保证固液生长界面处的热场环境的稳定，有利于晶体生长，便于工艺控制；整个晶体生长降温过程，采用功率控制方式，较传统温度控制方式更直接、更准确。
一种品质半导体材料耗材生长方法

[发明专利]一种晶体硅切割废料制备高品质碳化硅的方法-CN201711059532.2有效
发明人：邢鹏飞;姜胜南;崔晓华;刘洋;都兴红;高波;李大刚 -专利权人：东北大学
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明属于二次资源利用的技术领域，涉及一种晶体硅切割废料制备高品质碳化硅的方法。其解决了对晶体硅切割废料处置的问题，其特征是将晶体硅切割废料、碳源和净化剂按比例称料混合、压制球团、干燥、高温冶炼制得SiC结晶块，再破碎、酸洗、干燥制得高品质碳化硅粉。本发明不仅对原料的利用率高，生产成本低，而且生产的碳化硅纯度高、品质好。
晶体硅切割废料高品质碳化硅制备生产成本低碳化硅纯度比例称料高温冶炼碳化硅粉结晶块净化剂球团酸洗资源利用破碎压制生产

[发明专利]一种提升显示品质的栅极电路及驱动方法-CN202011472328.5在审
发明人：谢建峰;熊克 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种提升显示品质的栅极电路及驱动方法，其中栅极电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、电容C1和电容C2。上述技术方案通过控制Q’节点的电压，使得晶体管T5和晶体管T7不发生漏电。Q节点没有了漏电路径，Q节点就不发生漏电，栅极线g(n)的输出波形就不会失真。本申请提供一个实现高清晰度的显示面板的解决方案，可以改善显示面板的显示品质，提升显示面板的观感，进而提高显示面板的竞争力。
一种提升显示品质栅极电路驱动方法

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