专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种柔性储能材料及其制备方法和用途-CN202210552352.2有效
  • 潘锴;邓思凤;李佳琪;欧云;山东良;刘运牙;谢淑红 - 湘潭大学
  • 2022-05-20 - 2023-08-15 - C08J5/18
  • 本发明涉及一种柔性储能材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1:采用溶液‑凝胶法并结合静电纺丝和煅烧工艺,将无机陶瓷材料的前驱体溶液制成二维纳米片,所述二维纳米片具有由取向微纳米纤维或微纳米条带构成的多级结构,且尺寸相对均匀;步骤2:将制备的无机陶瓷二维纳米片在溶剂中与聚合物混合均匀,得到无机陶瓷二维纳米片/聚合物混合液,再采用涂布法将所述的混合液制备得到相应的湿膜,并对其进行干燥、热处理,最后得到对应无机陶瓷二维纳米片本发明制备的无机陶瓷二维纳米片/聚合物复合膜具有优异的击穿强度和较高的储能密度,因而在储能领域具有广阔的应用前景。
  • 一种柔性介电储能材料及其制备方法用途
  • [发明专利]半导体结构-CN201310087323.4有效
  • 余宗玮;舒芳安;蔡耀州;林冠峄 - 元太科技工业股份有限公司
  • 2013-03-11 - 2014-02-12 - H01L29/786
  • 本发明是有关一种半导体结构,包括一栅极、一氧化物通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一堆叠层。栅极配置于一基板上。氧化物通道层与栅极彼此上下堆叠。栅绝缘层配置于栅极与氧化物通道层之间。堆叠层配置于基板上,且包括多层具有一第一折射率的第一无机层以及多层具有一第二折射率的第二无机层。第一及第二无机层交替堆叠。至少一第一无机层直接覆盖源极、漏极与氧化物通道层的部分。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体装置-CN201610023690.1有效
  • 施信益;吴铁将 - 美光科技公司
  • 2016-01-14 - 2019-05-17 - H01L23/495
  • 本发明公开了一种半导体装置,包含一芯片,具有一有源面以及一相对于所述有源面的背面;一模塑料,覆盖并包覆所述芯片;以及一重分布层,设于所述有源面以及所述模塑料上,其中所述重分布层是与所述芯片连接,所述重分布层包含至少一有机层以及一无机硬掩膜层,设于所述有机层上,其中所述重分布层还包含一金属结构,设于所述有机层以及所述无机硬掩膜层中。
  • 半导体装置

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