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[发明专利]无孪晶单晶金属晶圆的制备方法-CN202210247183.1在审
发明人：刘忠范;竺叶澍;贾开诚;邵家新;李杨立志;孙禄钊;蔡阿利 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种无孪晶单晶金属晶圆的制备方法。通过磁控溅射的方法在蓝宝石单晶晶圆衬底上溅射一定厚度的金属薄膜。将溅射好的金属/蓝宝石晶圆放置于平面加热板上，在金属晶圆和加热板之间放置一个一定尺寸的石墨垫片。石墨垫片位于金属晶圆中心位置的正下方，使得在平面加热板的升温过程中，金属晶圆位于一个由中心到边缘梯度分布的温度场中进行退火单晶化。通过调节石墨垫片的尺寸和加热板的温度，可以显著降低单晶金属晶圆的面内孪晶密度。本发明解决了现有金属晶圆单晶化过程中存在的面内孪晶问题，可以实现无孪晶单晶金属晶圆的可控制备。
无孪晶单晶金属制备方法

[发明专利]适用于无孪晶单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法-CN202210090083.2在审
发明人：阎睿;曹轶森;唐际琳;杨雨佳;吕蓉;彭海琳;高翾;刘忠范 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于无孪晶单晶金属薄膜制备的蓝宝石晶圆衬底的退火方法，包括：在附着金属薄膜前，对蓝宝石晶圆衬底进行退火预处理。退火预处理期间采用水平放置且蓝宝石晶圆与板面完全接触的平板载具，解决了石墨烯薄膜制备过程中单晶金属薄膜晶圆中存在孪晶的问题，降低了孪晶的出现，提高了金属单晶薄膜晶圆的良率。
适用于无孪晶单晶金属薄膜制备蓝宝石衬底退火方法

[发明专利]一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法-CN201210306177.5无效
发明人：张振宇;张念民;李方元;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2012-08-26 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C21D7/02 文献下载
摘要：一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法，属于II-VI族软脆晶体纳米加工制造技术领域，特别涉及II-VI族软脆晶体的光电子器件制造的方法。其特征是采用表面粗糙度Ra≤1.5纳米的II-VI族软脆单晶体为样品，在≤1牛载荷下，用纳米压痕和纳米划痕制备单向、连续和无晶界纳米孪晶方法。制备的纳米孪晶结构为厚度在15-100纳米的大孪晶和小于15纳米的小孪晶交替分布模式。形成的纳米孪晶结构硬度可达80 GPa，为原单晶体的100倍，并具有良好的塑性，可承受300次的循环加载。本发明的效果和益处是实现了机械变形制备II-VI族软脆晶体超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法。
一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米方法

[发明专利]高强度单晶样纳米孪晶镍涂层及其制备方法-CN201980056487.6在审
发明人：李强;张星航;汪海燕;丁杰 -专利权人：普渡研究基金会
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C25D3/12 文献下载
摘要：公开了一种高强度涂层，和产生包含纳米孪晶和堆垛层错的单晶样镍的制造方法。通过使用具有在(111)取向铜上溅射和电化学沉积Ni的两个步骤，制造具有纳米孪晶的单晶样镍，以减少纳米孪晶材料中晶界的腐蚀。
强度单晶样纳米孪晶镍涂层及其制备方法

[发明专利]一种纳米孪晶铜膜转变为单晶铜膜的制备方法-CN202210739103.4在审
发明人：张志杰;施权;高幸;魏红;周旭;耿遥祥 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米孪晶铜膜转变为单晶铜膜的制备方法，包括以下步骤：(1)采用酸溶液对纳米孪晶铜膜进行预处理；(2)将预处理后的纳米孪晶铜膜沿厚度方向夹持于冷夹板和热夹板中进行热处理，冷夹板的温度为‑20℃至30℃，热夹板的温度为200‑300℃；(3)保持步骤(2)，待热处理结束后，即得单晶铜膜，所述纳米孪晶铜膜为沿厚度方向具有(111)择优晶体取向，所述单晶铜膜为沿厚度取向为(100)晶面取向。本发明所采用的制备方法可在低温下实现由纳米孪晶铜膜到单晶铜膜的转变，可避免热损失，简单易实现，成本低，适合大规模生产。
一种纳米孪晶铜膜转变为单晶铜膜制备方法

[发明专利]一种三孪晶硅及其制备方法-CN201310144811.4无效
发明人：张学锋;梁斌;刘健;石晓军;李明阳;邱英;金勇 -专利权人：宁夏东方钽业股份有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及光伏发电用的硅材料，尤其是一种三孪晶硅及其制备方法。其特点是：是由三个底面均为扇形的第一单晶硅柱体、第二单晶硅柱体和第三单晶硅柱体通过各自的侧面以孪晶晶界两两结合组成的圆柱体。本发明的三孪晶硅就是利用孪晶结构将晶面束缚在孪晶晶界上。这样的结构对原材料的要求降低、允许较高的生长速度、切片厚度可以降低到90μm以下、可以连续添料生长，在硅材料上总体成本降低30%左右。
一种三孪晶硅及其制备方法

[发明专利]超高硬度纳米孪晶金刚石块体材料及其制备方法-CN201310188507.X有效
发明人：田永君;黄权;于栋利;徐波;何巨龙;柳忠元;胡文涛;赵智胜 -专利权人：燕山大学
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高硬度纳米孪晶金刚石块体材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种含高密度孪晶的纳米晶金刚石块体材料及其合成方法，以无金刚石核的纳米球形碳(洋葱结构碳，以下简称无核洋葱碳)颗粒(优选地，粒径为5-70nm)为原料，通过高温高压合成了纳米孪晶金刚石块体所得到的纳米孪晶金刚石块的体积为1-2000mm³；维氏硬度为155-350GPa；努普硬度为140-240GPa；孪晶宽度为1-15nm。本发明与现有技术相比，所获得的纳米孪晶金刚石块体具有远高于金刚石单晶体和超硬多晶金刚石的硬度(金刚石单晶的维氏硬度仅为100GPa左右，超硬多晶金刚石的最高努普硬度为140GPa)，其最高的维氏硬度达到纳米孪晶金刚石块体在地质钻探、高速切削和精密与超精密加工等机械加工领域、磨料磨具和拉丝模及特种光学器件等领域具有广阔的应用前景。
超高硬度纳米金刚石块体材料及其制备方法

[发明专利]一种力热耦合消除NiMnGa单晶中孪晶的方法-CN201811381088.0在审
发明人：蒋成保;任莉;王敬民 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种力热耦合消除NiMnGa单晶中孪晶的方法，包括将NiMnGa单晶加热到150℃～200℃并保温5min～15min，然后在保持温度不变的情况下沿NiMnGa单晶的[100]方向施加单轴拉力，以在拉力作用下，在降温相变过程中消除NiMnGa合金T型结构马氏体单晶中的孪晶。本发明还公开了一种利用上述方法制备的NiMnGa去孪晶组织。本发明能有效消除合金中的孪晶，实现单变体组织，使材料具备各向异性，从而获得可回复的应力诱发和磁场诱发的大变形量。
单晶孪晶力热耦合合金大变形量工艺过程拉力作用相变过程应力诱发单变体马氏体单轴下沿制备磁场加热保温回复诱发施加

[发明专利]超高硬度纳米孪晶氮化硼块体材料及其合成方法-CN201210285274.0有效
发明人：田永君;于栋利;徐波;何巨龙;柳忠元;胡文涛;罗坤;高宇飞;赵智胜 -专利权人：燕山大学
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高硬度纳米孪晶氮化硼块体材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种含高密度孪晶的纳米晶立方氮化硼块体材料及其合成方法，以纳米球形氮化硼(圆葱头结构)颗粒(优选地，粒径为5-70nm)为原料，通过高温高压合成了纳米孪晶氮化硼块体。所获的纳米孪晶氮化硼块的体积为1-2000mm3；维氏硬度为60-120GPa；晶粒尺寸为5-100nm。本发明与现有技术相比，所获得的纳米孪晶氮化硼块具有远高于普通立方氮化硼单晶体的硬度(普通立方氮化硼单晶的硬度仅为49GPa左右)，其最高的维氏硬度达到120GPa，与金刚石单晶的硬度相当。纳米孪晶氮化硼块在高速切削和精密与超精密加工等机械加工领域、磨料磨具和拉丝模及特种光学器件等领域具有广阔的应用前景。
超高硬度纳米氮化块体材料及其合成方法

[发明专利]强磁场诱发获得大磁致应变NiMnGa单变体的方法-CN200710176147.6无效
发明人：蒋成保;李灼;王敬民;徐惠彬 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种强磁场诱发获得大磁致应变NiMnGa单变体的方法，是针对NiMnGa单晶材料，采用一种在室温25℃条件下，对NiMnGa单晶的马氏体状态下进行强磁场5～10T处理，通过马氏体孪晶再取向，诱发单变体的方法，其原理在于对NiMnGa单晶施加一个强磁场，使其在外磁场产生的静磁能强作用下，通过其与磁晶各向异性之间的耦合作用，产生切应力，大于其孪晶再取向应力，实现单晶内的马氏体孪晶再取向，从而诱发产生具有大磁致应变的马氏体单变体
磁场诱发获得大磁致应变 nimnga 变体方法

[发明专利]一种应用于单晶镍基合金与表面热障涂层间的扩散屏蔽层及其制备方法-CN202211020243.2在审
发明人：刘俊凯;周益春;杨丽;李聪;程春玉;孙宇;李桂芳;曹可 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种应用于单晶镍基合金与表面热障涂层间的扩散屏蔽层及其制备方法，先对单晶镍基合金表面进行预处理及离子刻蚀；再在单晶镍基合金表面喷涂ZrN扩散屏蔽层；然后在ZrN扩散屏蔽层外侧喷涂MCrAlY金属粘结层；最后对单晶镍基合金表面沉积的材料进行高温淬火热处理，得到涂层与基体间具有纳米孪晶ZrN扩散屏蔽层；利用在热障涂层与单晶镍基合金基体之间制备具有纳米孪晶结构的ZrN扩散屏蔽层以抑制热障涂层与基体之间的元素互扩散行为，具有优异的扩散屏蔽作用；对ZrN扩散屏蔽层进行淬火热处理生成纳米孪晶结构，起到增韧ZrN的效果，提高ZrN与内侧单晶基体及外侧热障涂层间的结合性能。
一种应用于单晶镍基合金表面热障涂层扩散屏蔽及其制备方法

[发明专利]一种半导体/金属/半导体量子阱结构、制备方法及其应用-CN202111211968.5在审
发明人：芦红;常梦琳;袁紫媛 -专利权人：南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体/金属/半导体量子阱结构，其特征在于，包括第一半导体层、金属Al薄膜层和第二半导体层，其中金属Al薄膜层夹杂在第一半导体层和第二半导体层之间，金属Al薄膜层为取向唯一的单晶且没有孪晶本发明利用两步法外延制备的金属Al薄膜表面平整，单晶质量高，无孪晶，光学损耗低，半导体/金属/半导体量子阱结构可用于半导体量子信息器件。
一种半导体金属量子结构制备方法及其应用

[发明专利]一种用于层状单晶样品退孪晶的装置及方法-CN202210401544.3有效
发明人：刘瑞鲜;鲁兴业 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于层状单晶样品退孪晶的装置及方法，该装置包括：具有内腔的金属外框；以及位于金属外框内腔中的金属片；所述金属片的两端与金属外框固定；所述金属外框的热膨胀系数小于金属片的热膨胀系数；所述金属片被配置为用以承载固定样品该装置不仅可以实现单晶样品退孪晶，还可以将剩余的单轴应变传递给单晶样品，使得样品在退孪晶的基础上具有一定的单轴应变。
一种用于层状样品退孪晶装置方法

[发明专利]一种制备紫杉醇单晶或无定型物的方法-CN201911039694.9在审
发明人：王健君;周昕;薛涵;吕健勇 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明涉及单晶制备技术领域，具体是涉及一种制备紫杉醇单晶或无定型物的方法。所述方法以溶液冻结诱导紫杉醇的成核与结晶，在溶液的冻结过程中实现溶解的紫杉醇的结晶，快速有效的制备紫杉醇的单晶或无定型物。同时，解决传统紫杉醇单晶培养中难以结晶分子的单晶或无定型物制备问题。所述方法首次实现极低溶液浓度下紫杉醇单晶或无定型物的获取；还解决了高浓度下由于紫杉醇的聚集过快而导致的单晶形成不易控制、易形成多晶，孪晶等问题。所述方法适用范围广。
紫杉醇单晶无定型物制备单晶培养单晶制备结晶分子溶液冻结成核多晶孪晶溶解诱导冻结

[发明专利]一种利用溶液冻结制备单晶或无定型物的方法-CN201911039687.9在审
发明人：王健君;范庆瑞;周昕;吕健勇 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明涉及单晶或无定型物的制备技术领域，具体是涉及一种制备拟结晶物质单晶或无定型物的方法。所述方法以溶液冻结诱导拟结晶物质的成核与结晶，在溶液的冻结过程中实现溶解的拟结晶物质的结晶，快速有效的制备拟结晶物质的单晶或无定型物。同时，解决传统拟结晶物质单晶制备与培养中难以结晶分子的单晶或无定型物制备问题。所述方法首次实现极低溶液浓度下拟结晶物质单晶或无定型物的获取；还解决了高浓度下由于拟结晶物质的聚集过快而导致的单晶形成不易控制、易形成多晶，孪晶等问题。所述方法适用范围广，对于现有的拟结晶物质均适用。
结晶物质单晶无定型物制备制备技术领域单晶制备结晶分子溶液冻结成核多晶孪晶溶解诱导冻结

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