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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210812003.X在审
发明人：徐崇威;江国诚;黄懋霖;朱龙琨;余佳霓;卢俊甫;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法，包括：在第一区域中的第一沟道区域上方和第二区域中的第二沟道区域上方形成第一介电层；将第一偶极子元素引入第一区域中的第一介电层中，以在第一区域中形成第一含偶极子栅极介电层；在第一含偶极子栅极介电层上方形成第二介电层；将氟引入第二介电层，以在第一含偶极子栅极介电层上方形成第一含氟栅极介电层；以及在第一含氟栅极介电层上方形成栅电极。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]全景图像映射方法-CN201610543056.0有效
发明人：王荣刚;王悦名;王振宇;高文 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：本发明公布了一种全景图像映射方法，针对分辨率为2M×M的矩形映射全景图像，根据纬度设置映射区域和非映射区域，只将设置的映射区域映射为方形区域包括：对于所述方形区域上的点，计算得到该点到方形区域中心的垂直距离和水平距离，取其中较大者记为m；计算得到该点到同心方形上第零个点的距离n；计算得到该点所对应的经度和纬度；计算得到该点反映射到矩形映射全景图像中所对应的位置(X,Y)；再给该点赋值。
全景图像映射方法

[实用新型]一种汽车车门加工用快速定型模具-CN202022693873.9有效
发明人：李彦青 -专利权人：天津艾尔特精密机械有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及车门生产附属装置的技术领域，特别是涉及一种汽车车门加工用快速定型模具，可通过机械手段自动对板材进行摆正；包括底板、横板、左支撑板、右支撑板、定模、动模、气缸和移动板，横板顶端中央区域纵向设置有伸缩孔，气缸底部输出端设置有伸缩杆；还包括左滑动柱、右滑动柱、左弹簧、右弹簧、左压板、右压板、左拉绳和右拉绳，左支撑板和右支撑板左侧壁中央区域分别横向设置有左方形孔和右方形孔，左方形孔内部上半区域和下半区域分别可转动设置有第一左导轮和第二左导轮，右方形孔内部上半区域和下半区域分别可转动设置有第一右导轮和第二右导轮。
一种汽车车门工用快速定型模具

[发明专利]碳化硅外延衬底和碳化硅半导体器件的制造方法-CN201980048360.X在审
发明人：神原健司;伊东洋典;堀勉 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在利用面积为Acm2的多个第一正方形区域划分中心区域的情况下，多个第一正方形区域具有存在宏观缺陷的第一区域和不存在宏观缺陷的第二区域。在利用面积为Bcm2的多个第二正方形区域划分中心区域的情况下，多个第二正方形区域具有存在宏观缺陷的第三区域和不存在宏观缺陷的第四区域。在将第二区域的数量除以第一区域的数量与第二区域的数量的合计数量所得的值设为第一无缺陷区域率，将第四区域的数量除以第三区域的数量与第四区域的数量的合计数量所得的值设为第二无缺陷区域率，并将宏观缺陷的数量除以中心区域的面积所得的值设为
碳化硅外延衬底半导体器件制造方法

[发明专利]形成电子器件的方法-CN201910565797.2在审
发明人： A·巴纳尔吉;P·范米尔贝克;P·莫恩斯;M·塔克;全祐哲;A·萨利 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：所述方法可包括在衬底上方形成沟道层以及在所述沟道层上方形成阻挡层。在一个实施方案中，所述方法还可包括在所述阻挡层上方形成p型半导体层，对所述p型半导体层进行图案化以限定晶体管结构的栅极电极的至少一部分，以及在所述阻挡层上方形成访问区域层。在另一个实施方案中，所述方法还可包括在所述阻挡层上方形成蚀刻停止层，在所述蚀刻停止层上方形成牺牲层，对所述蚀刻停止层和所述牺牲层进行图案化以限定栅极区域，在对所述蚀刻停止层和所述牺牲层进行图案化之后在所述阻挡层上方形成访问区域层，以及在所述栅极区域内形成p型半导体层。
阻挡层蚀刻停止层图案化牺牲层电子器件访问区域栅极区域沟道层晶体管结构栅极电极衬底

[发明专利]一种增加室内空间利用率的建筑室内布局设计方法-CN202211011743.X在审
发明人：陈志鑫 -专利权人：深圳清大环境艺术设计有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： E04H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加室内空间利用率的建筑室内布局设计方法，包括以下步骤；S1：按设定约束条件，在保证室内房间合理布局的前理下，首先将室内的根据需求划出不同区域，区域的边界均由直线构成；S2：若室内空间存在弧线，则在弧线的两端设置中空的方形立柱，以将墙板和弧线之间的空间形成可储藏的墙体；S3：在区域的边界的端点上设置可拆卸的方形立柱，所述方形立柱为中空结构，方形立柱上设置开拆卸门板；门板可以连通方形立柱内部和外界；S4：随后在相邻的方形立柱之间设置可拆卸的或者可折叠的墙板；墙板折叠后可储存到方形立柱内部；S5：在对室内空间的区域划分完后，根据在室内不同的地方来采用不同的色彩运用，本发明可以有效提高室内的设计感以及空间利用率
一种增加室内空间利用率建筑室内布局设计方法

[发明专利]TDI相机、超分辨率图像的获取方法-CN202211686037.5在审
发明人：顾骏;徐健;刘耀阳 -专利权人：上海精积微半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H04N23/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种TDI相机、超分辨率图像的获取方法，所述TDI相机，包括：若干长方形像素单元，所述长方形像素单元包括感光区域和电路区域，所述长方形像素单元的长度为宽度的两倍；所述若干长方形像素单元呈阵列排布，奇数列的所述长方形像素单元构成第一像素阵列，偶数列的所述长方形像素单元构成第二像素阵列，且相邻两列的像素阵列中，所述第一像素阵列中的感光区域与所述第二像素阵列中的电路区域沿着所述像素单元的宽边方向对齐紧贴排布；若干沿45°倾斜的正方形微透镜单元，所述微透镜单元覆盖于所述第一像素阵列和所述第二像素阵列之上。
tdi 相机分辨率图像获取方法

[发明专利]一种基于连续波调频激光测距的大尺寸触摸屏-CN201510008191.0有效
发明人：李银林;张伟;黄忠华;吴宇航;李萌 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明提供一种基于连续波调频激光测距的大尺寸触摸屏，主要由方形触摸检测区域、边框及两个FMCW激光测距系统组成；其中边框位于方形触摸检测区域的四周，两个FMCW激光测距系统分别位于方形触摸检测区域上方左右两个顶角方位，两个FMCW激光测距系统包括一共用的微控制器，且两个FMCW激光测距系统的前端到相应顶点的距离等于C/2ΔF，其中C为光速，ΔF为调频带宽；两FMCW激光测距系统，用于测量方形触摸检测区域内触摸点到方形触摸检测区域上方两个顶点的距离，根据所述距离计算触摸点在触摸检测区域中的物理坐标，根据触摸点物理坐标产生触控指令并将其传输出去。
一种基于连续调频激光测距尺寸触摸屏

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010224796.0无效
发明人：庄学理;朱鸣;张立伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，以降低半导体装置中的电感与基板的耦合效应，上述具有降低基板耦合效应的半导体装置的制造方法包括提供一基板，其具有第一区域和第二区域。于第一区域上方形成第一栅极结构，且于第二区域上方形成第二栅极结构，其中每一个第一和第二栅极结构包括虚设栅极。于基板上方形成层间电介质，且于第二栅极结构上方形成光致抗蚀剂层。从第一栅极结构移除虚设栅极，因而形成沟槽，且于沟槽中形成金属栅极以于包括金属栅极的第一区域中形成晶体管元件，且于不包括金属栅极的第二区域上方形成电感元件。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种室内定位方法、系统及电子设备-CN201910232716.7有效
发明人：赵毓斌;李芳敏;须成忠 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01S5/14 文献下载
摘要：所述方法包括：根据信号传播损耗公式计算出至少三个已知节点与未知节点之间的距离；以所述距离为半径，在至少三个已知节点周围得到至少三个方形区域，并根据所述至少三个方形区域的重叠部分得到最小重叠区域；以所述最小重叠区域的几何中心为中心对最小重叠区域进行等比例缩小，得到一个新的方形区域；根据迭代最小二乘法迭代计算得到所述新的方形区域的最优顶点位置；以所述最优顶点位置作为新的中心点，在其周围重新形成一个新的更小区域，并将所述更小区域的最优顶点位置作为未知节点的估计位置
一种室内定位方法系统电子设备

[实用新型]一种可拆卸式接骨板-CN201521125191.0有效
发明人：高军 -专利权人：天津捷森特医疗器械制造有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： A61B17/80 文献下载
摘要：本实用新型属于医疗器械技术领域且公开了一种可拆卸式接骨板，包括接骨钢板、耳状形接骨区域、第一连接板、锁定装置、正方形接骨区域、脚掌形接骨区域、第二连接板和锁芯，所述接骨钢板上设有正方形接骨区域以及设置在正方形接骨区域一侧的脚掌形接骨区域，所述正方形接骨区域与所述脚掌形接骨区域之间固定连接有第二连接板，所述接骨钢板一侧设有第一连接板以及设置在第一连接板两端的耳状形接骨区域，所述接骨钢板与所述第一连接板之间通过锁定装置连接，所述锁定装置内部设置有锁扣和锁芯
一种可拆卸接骨

[实用新型]双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器-CN201920425005.7有效
发明人：李正;熊波 -专利权人：湖南正芯微电子探测器有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器，渐变形探测器单元正面和渐变形探测器单元背面位于高阻硅基底相对的两平面上；渐变形探测器单元正面包括第一渐变式P+阴极螺旋环和嵌于其内的N+收集阳极，第一渐变式P+阴极螺旋环由正面圆形区域、正面渐变区域和正面方形区域组成；渐变形探测器单元背面包括第二渐变式P+阴极螺旋环，第二渐变式P+阴极螺旋环由背面圆形区域、背面渐变区域和背面方形区域组成；第二渐变式P+阴极螺旋环中心设有中间电极。正面渐变区域和背面渐变区域均由圆形渐变为方形，且两者方形四角指向圆形的区域相邻两P+阴极螺旋环间设有弧长渐变的悬浮中间电极。减小了探测器阵列的死区面积。
阴极螺旋渐变式背面探测器单元渐变区域渐变形方形区域圆形区域中间电极硅漂移探测器本实用新型探测器阵列方形四角双面阴极阳极螺旋环渐变高阻硅基弧长减小死区悬浮指向

[实用新型]一种方形料盘-CN201721734869.4有效
发明人：纪合溪 -专利权人：纪合溪
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： A23P30/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方形料盘，用于生产方形紫菜料饼，其包括方形定型框体、方形盘底、排水孔和刺针，方形盘底设置于方形定型框体的底部，排水孔分布于方形盘底，刺针设置于方形盘底内侧，且在方形盘底的边缘区域设置多个刺针本实用新型提供的方形料盘，其方形定型框体对鲜紫菜进行定型，使得后续工序得到的初级料饼呈符合一定规格尺寸的方形料饼，不需要人工裁剪，避免人工裁剪带来的卫生问题；其刺针设置于方形盘底内侧且刺针在方形盘底的边缘区域设置多个
方形盘刺针料饼定型框料盘本实用新型边缘区域排水孔紫菜裁剪烘干过程后续工序生产过程体积减小卫生问题初级料鲜紫菜定型嵌入收缩生产

[发明专利]一种半导体芯片的切割方法-CN201510635391.9有效
发明人：彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;何安和;郑建森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：包括以下工艺步骤提供一半导体晶圆片及一提供激光的激光器；在所述半导体晶圆片上定义出切割道，并形成掩膜层；所述激光穿过与切割道位置上下对应的掩膜层，用于切割半导体晶圆片，形成半导体芯片；所述用于切割半导体晶圆片的激光为多单元方形激光束，所述掩膜层分为M个区域，每个区域包括N个单元，且每个区域对应一次待方形激光切割。将传统的半导体芯片线性激光切割改为方形激光切割，并且在半导体芯片与方形激光间增设具有若干个区域的掩膜层，每个区域对应一次待方形激光切割，即一次性达成多个芯片单元的切割工艺，增加单位时间产能。
一种半导体芯片切割方法

[实用新型]一种导航终端-CN202221102878.2有效
发明人：殷辉;周伟杨;曹戎格 -专利权人：北斗星通智联科技有限责任公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01C21/34 文献下载
摘要：，涉及车载设备技术领域，包括：PCB主板，设置在PCB主板的边缘处的多个USB HSD插座，以及设置在PCB主板上的USB芯片；每个USB HSD插座通过USB信号线与USB芯片连接；还包括：一个分割区域，所述分割区域上不设置覆铜层；其中，分割区域为内长方形和外长方形之间的区域，内长方形的一条长边和外长方形的一条长边位于PCB主板的板边上；所述USBHSD插座在PCB主板的金属部分，以及与USB信号线相连的静电管均在内长方形内；所述USB芯片在外长方形的外部。
一种导航终端