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[实用新型]一种带橡皮笔的橡皮-CN201922367154.5有效
发明人：陈南南 -专利权人：陈南南
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B43L19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带橡皮笔的橡皮，包括面积擦除橡皮和线条擦除橡皮组，所述线条擦除橡皮组包括线条擦除橡皮和包裹在线条擦除橡皮周向的橡皮笔，所述橡皮笔与橡皮帽连接后采用可拆除的方式扣盖在面积擦除橡皮一侧，本实用新型设置了面积擦除橡皮，面积擦除橡皮能大面积快速擦除所要擦除的图形，还设置了线条擦除橡皮和包裹在线条擦除橡皮周向的橡皮笔；线条擦除橡皮能擦除比较细小的地方，特别适合擦除离正确图形很近的错误，线条擦除橡皮包裹在橡皮笔内，橡皮帽扣盖在面积擦除橡皮的一侧，这样设置使得面积擦除橡皮与线条擦除橡皮连成一体，使用方便，并且当线条擦除橡皮使用完后，这种结构对于更换线条擦除橡皮也非常方便。
一种橡皮

[发明专利]闪存擦除方法-CN202210242827.8在审
发明人：郑隆吉;郭盈杉;黄俊尧;郑如杰;庄育铮 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存的块擦除方法，块擦除方法是对闪存的块进行块擦除，块具有一预定块。闪存的块擦除方法包括：在进行块擦除时，对块内的字节逐一进行擦除验证；当字节没有通过擦除验证时，检查字节的擦除次数；当字节的擦除次数超过一预定门坎值时，以低于预定块大小的分割块进行块擦除，并且返回擦除验证阶段继续执行擦除验证；以及当字节的擦除次数没有超过预定值时，继续以预定块大小进行块擦除，并且返回擦除验证阶段继续执行擦除验证。
闪存擦除方法

[发明专利]闪速存储器件及其擦除方法-CN200710151719.5在审
发明人：王钟铉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及闪速存储器件及其擦除方法。该擦除方法包括：针对包括一组页的存储单元块执行擦除操作；执行擦除验证操作并存储关于包括没有被正常擦除的未擦除存储单元的页的未擦除页信息；以及基于未擦除页信息，执行包括未擦除存储单元的页的另外的擦除操作。当未擦除单元存在时，擦除验证操作和另外的擦除操作被重复执行。
存储器件及其擦除方法

[发明专利]非易失性存储器件和存储器系统及管理、擦除和编程方法-CN201310291074.0有效
发明人：吴银珠;金钟河;孔骏镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件的擦除方法包括设置擦除模式，以及根据设置的擦除模式执行正常擦除操作和快速擦除操作之一。正常擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第一擦除验证电平的擦除状态。快速擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第二擦除验证电平的伪擦除状态。第二擦除验证电平高于第一擦除验证电平。 1
擦除擦除操作验证非易失性存储器件擦除模式擦除状态存储单元阈值电压存储器系统编程管理

[发明专利]一种NandFlash的擦除方法-CN201510952162.X在审
发明人：刘会娟 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种Nand Flash的擦除方法，该方法包括对待擦除块进行擦除验证；如果所述待擦除块通过擦除验证，则直接结束对待擦除块的操作；否则对待擦除块进行擦除操作。利用该方法可以避免对待擦除块的无效擦除，进而降低Nand Flash的无效擦除损耗，同时增大对Nand Flash的有效擦除次数，达到延长Nand Flash使用寿命的目的。
一种 nandflash 擦除方法

[发明专利]Nor Flash的擦除、升级方法及装置、计算机设备和存储介质-CN202111084814.4在审
发明人：柴昊 -专利权人：浙江大华技术股份有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及存储领域，特别是涉及一种Nor Flash的擦除、升级方法、装置、计算机设备和存储介质，擦除方法包括：基于获取的待擦除分区的起始地址的对齐方式以及空间大小，按照预设的规则确定对应的擦除指令；基于所述擦除指令对待擦除分区的对应空间进行数据擦除；重复确定擦除指令、数据擦除的步骤，直到待擦除分区完成数据擦除。本发明基于获取的待擦除分区的起始地址的对齐方式以及空间大小，按照预设的规则确定对应的擦除指令，对待擦除分区的对应空间进行数据擦除，能够有效提高Nor Flash空间使用率，且有效提高待擦除分区的擦除效率
nor flash 擦除升级方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片-CN202210292562.2有效
发明人：谢元禄;张君宇;呼红阳;刘璟;霍长兴;张坤;季兰龙;习凯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了固态硬盘闪存阵列的擦除方法、固态硬盘主控芯片，涉及固态硬盘技术领域。所述方法包括：在每次对闪存阵列中的Block进行擦除后，获取每次擦除对应的擦除参数，擦除参数包括擦除电流、擦除时间、Block已经经历过的总cycle次数中的任意一种、两种或三种；根据上一次擦除对应的擦除参数确定本次擦除Block的擦除电压，擦除电压大于预设电压阈值；基于擦除电压对Block进行本次擦除。本发明可在Block的损耗程度较大时采用较小的擦除电压，降低了擦除对Block造成的损耗，从而提高了闪存阵列的寿命。
固态硬盘闪存阵列擦除方法主控芯片

[发明专利]一种存储单元的擦除方法-CN201610529412.3在审
发明人：潘荣华;薛子恒 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元的擦除方法，该方法包括：根据擦除指令对当前擦除块地址对应的多个存储单元进行擦除操作；对所述擦除块地址对应的每一个存储单元进行擦除校验，检验所述每一个存储单元的当前状态是否为已经擦除成功，若是，则结束当前擦除操作，否则增大擦除电压的脉冲宽度，并返回执行所述对当前擦除块地址对应的多个存储单元进行的擦除操作，直至所述擦除块地址对应的每一个存储单元擦除成功。本发明实施例提供的存储单元的擦除方法，通过随着擦除次数的增加不断增大擦除电压的脉冲宽度，实现了对存储单元的快速擦除，提高了擦除速度。
一种存储单元擦除方法

[发明专利]nor flash的全片擦除方法、装置、设备及介质-CN202211229126.7有效
发明人：李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，具体公开了一种nor flash的全片擦除方法、装置、设备及介质，其中，该nor flash的全片擦除方法包括以下步骤：S1、对待擦除全片区域进行预编程；S2、利用阵列擦除模式对全片区域进行粗擦除操作；S3、基于块擦除模式或扇区擦除模式对全片区域进行精擦除操作；该nor flash的全片擦除方法集合了阵列擦除模式粗擦除效率高以及块擦除模式或扇区擦除模式的精擦除收敛效果好、收敛速度快的优势来对norflash的全片区域进行擦除，从而节省了整个全片区域的擦除所需的时间，并能提高擦除成功率，尤其适用于不同存储区域因使用程度或工艺等原因导致擦除性能差异较大的nor flash。
nor flash 全片擦除方法装置设备介质

[发明专利]快闪存储器整个芯片擦除方法-CN202310100273.2在审
发明人：汪齐方;冯国友 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种快闪存储器整个芯片擦除方法，先对各存储单元进行预编程，再对未设置擦除标记的各存储区块进行擦除，再依次对所有存储区块进行擦除验证判断，如果是已经擦除状态则对此存储区块设置标记；各存储区块均进行擦除验证后，如果还有未设置擦除标记的存储区块，则再依次进行擦除、擦除状态判断、擦除状态标记等循环，直到所有存储区块都全部设置擦除标记为止，进行整个芯片过擦除修复，完成整片擦除操作。该快闪存储器整个芯片擦除方法，可以大大缩短整片擦除时间。
闪存整个芯片擦除方法

[发明专利]非易失性存储器的擦除方法和装置以及电子设备-CN202310681484.X在审
发明人：安友伟 -专利权人：合肥博雅半导体有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器的擦除方法和装置以及电子设备，非易失性存储器的擦除方法，包括多个步骤：对多个扇区进行擦除校验并得到需要擦除扇区的擦除参数；根据每组所述擦除参数分别对未通过擦除校验的扇区进行擦除操作；更新所述擦除操作后扇区的擦除参数，其中，重复所述多个步骤直至所述多个扇区都通过擦除校验。本申请对不同磨损程度的扇区分别进行擦除操作，然后再对所有的扇区进行过擦除修复及擦除校验，减小各扇区的磨损程度以及擦除过程所需的时间。
非易失性存储器擦除方法装置以及电子设备

[发明专利]一种非易失性存储器的擦除方法-CN201410535686.4在审
发明人：胡洪;洪杰;张建军 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器的擦除方法，所述方法包括：S1依次判断存储块中每一个扇区是否通过擦除验证，若当前扇区通过擦除验证，则对通过擦除验证的当前扇区进行标记，对当前扇区的下一个扇区进行擦除验证；若当前扇区没有通过擦除验证，则对存储块中除通过擦除验证以外且包括当前扇区在内的剩余扇区进行擦除操作，S2对擦除操作后的剩余扇区过擦除验证，对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程。本发明能够防止通过擦除验证的扇区发生过擦除，且随着擦除次数的增加，存储块中通过擦除验证的扇区的数目逐渐增加，需要进行擦除操作的剩余扇区的数目越来越少，节省了过擦除编程的时间，提高了非易失性存储器的擦除速度
一种非易失性存储器擦除方法

[发明专利]一种控制擦除性能的方法以及装置-CN201910357581.7在审
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制擦除性能的方法以及装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、擦除操作状态机以及擦除存储单元，所述擦除操作状态机包括：计数器，所述方法包括：所述擦除操作状态机接收擦除操作指令，根据擦除操作指令执行擦除验证操作和擦除加压操作，擦除加压操作包括：接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度，根据工作温度调整单次擦除加压操作的时间，根据调整后的时间完成擦除加压操作。本发明在执行擦除加压操作时，擦除操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度，调整单次擦除加压操作的时间，完成擦除加压操作，控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的擦除性能
一种控制擦除性能方法以及装置

[发明专利]一种用于闪存存储器的擦除方法-CN201010609012.6无效
发明人：楼冰泳;肖磊;廖少武 -专利权人：上海复旦微电子股份有限公司
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种用于闪存存储器的擦除方法，该方法包含预编程校验—预编程、擦除校验—擦除、过擦除校验—过擦除纠正三个大的操作步骤，包含擦除标志位和过擦除标志位两个状态标志位，包含一个擦除—过擦除的回路，当回路的循环次数超过事先设定次数，则跳出擦除操作。本发明缩短了擦除时间。
一种用于闪存存储器擦除方法

[发明专利]非易失性存储器装置以及包括该非易失性存储器装置的数据存储装置-CN201610339281.2有效
发明人：严基杓 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种数据存储装置，其包括非易失性存储器装置；以及控制器，其适于向非易失性存储器装置提供正常擦除命令或者精细擦除命令，其中非易失性存储器装置根据正常擦除命令执行第一正常擦除循环，并且根据精细擦除命令执行第一精细擦除循环，其中，第一正常擦除循环中，第一正常擦除电压和擦除验证电压施加于擦除目标存储器单元，而第一精细擦除循环中，第一精细擦除电压和擦除验证电压施加于擦除目标存储器单元。
非易失性存储器装置以及包括数据存储