专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种复合高镍三元混磷正极材料的制备方法及应用-CN202110178358.3有效
  • 姚淦 - 横店集团东磁股份有限公司
  • 2021-02-09 - 2022-04-22 - H01M4/36
  • 本发明涉及锂离子电池技术领域,尤其涉及一种复合高镍三元混磷正极材料的制备方法及应用,包括以下步骤:(1)将镍、钴、锰熔融,喷雾造粒;(2)高温氧化;(3)加入氨水,在氩气气氛中同时加入镍盐、钴盐和锰盐的混合液及氨水和碱水的混合液,加热反应;(4)与氢氧化锂混合均匀,在氧气气氛中,高温烧结;(5)混合均匀,得复合高镍三元正极材料;(6)和磷酸混,球磨处理,即得复合高镍三元混磷正极材料。本发明在复合高镍三元正极材料中混了磷酸锂,所得正极材料具有良好的层状结构、高比容量,从而改善材料的电性能,并提高了材料的安全性、可靠性和放电平台,使得晶体结构能经受住锂离子的快速脱嵌。
  • 一种复合三元掺混磷铁正极材料制备方法应用
  • [发明专利]一种铀离子捕获剂的制备方法-CN201910445614.3有效
  • 黄涛;宋东平;刘万辉;刘龙飞;周璐璐;陶骏骏;徐娇娇 - 常熟理工学院
  • 2019-05-27 - 2021-12-07 - B01J20/22
  • 本发明公开了一种铀离子捕获剂的制备方法,包括:(1)将硫酸和硫酸亚铁溶于水中,密封搅拌,得到基溶液;将氢氧化钠和硫代乙醇酸钠溶于水中,密封搅拌,得到碱性巯基溶液;将基溶液和碱性疏基溶液混合,密封搅拌,分离、过滤、烘干、研磨,得到疏基绿锈粉末;(2)将疏基绿锈粉末置于低温等离子体仪中进行辉光放电处理,得到等离子体处理后的疏基绿锈粉末;(3)将等离子体处理后的疏基绿锈粉末加入装有螯合剂水溶液的试管中,密封进行接枝反应,得到螯合剂强化疏基绿锈混合物,分离、过滤、烘干、研磨,得到铀离子捕获剂。
  • 一种离子捕获制备方法
  • [发明专利]一种磁存储器及其制备方法-CN202111522263.5在审
  • 卢世阳;殷加亮;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 - 致真存储(北京)科技有限公司
  • 2021-12-13 - 2022-09-02 - H01L43/08
  • 本发明公开了一种磁存储器及其制备方法,涉及磁存储器领域,该磁存储器包括:电流写入层以及设置在之上的反耦合自由层,反自由层包括:反耦合层、第一翻转层以及第二翻转层,第一翻转层厚度小于第二翻转层,第一翻转层设于反耦合层与电流写入层之间,第二翻转层设于反耦合层之上,第一翻转层通过所述电流写入层产生的自旋累积实现翻转,翻转过程带动第二翻转层翻转,由于反耦合自由层厚度较单自由层高,因此提升了存储器的使用寿命,并且由于反耦合自由层的第一翻转层的厚度小于第二翻转层,可以实现优先翻转,并且带动第二翻转层翻转,翻转速度大于现阶段的翻转速度。
  • 一种磁存储器及其制备方法
  • [发明专利]致电阻器件、子场效应晶体管和子隧道结-CN201711415711.5有效
  • 韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 - 中国科学院物理研究所
  • 2017-12-25 - 2020-03-20 - H01L43/08
  • 本发明涉及巨致电阻器件、子场效应晶体管和子隧道结。一种巨致电阻器件可包括:第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上的非导电层;以及设置在所述非导电层上的第二绝缘层。一种子场效应晶体管可包括:第一磁区域、第二磁区域和第三磁区域,其每个由材料形成,其中所述第二磁区域由绝缘材料形成;第一反磁区域,位于所述第一磁区域和所述第二磁区域之间,由反材料形成;第二反磁区域,位于所述第二磁区域和所述第三磁区域之间,由反材料形成;以及栅极,覆盖所述第二磁区域。和反材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
  • 致电器件场效应晶体管隧道
  • [发明专利]致电阻器件、子场效应晶体管和子隧道结-CN202010108087.X有效
  • 韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 - 中国科学院物理研究所
  • 2017-12-25 - 2022-02-22 - H01L43/02
  • 本发明涉及巨致电阻器件、子场效应晶体管和子隧道结。一种巨致电阻器件可包括:第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上的非导电层;以及设置在所述非导电层上的第二绝缘层。一种子场效应晶体管可包括:第一磁区域、第二磁区域和第三磁区域,其每个由材料形成,其中所述第二磁区域由绝缘材料形成;第一反磁区域,位于所述第一磁区域和所述第二磁区域之间,由反材料形成;第二反磁区域,位于所述第二磁区域和所述第三磁区域之间,由反材料形成;以及栅极,覆盖所述第二磁区域。和反材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
  • 致电器件场效应晶体管隧道
  • [发明专利]一种利用反材料产生可控自旋流的方法、异质结构器件和自旋电子学器件-CN202211402840.1在审
  • 宋成;白桦;潘峰 - 清华大学
  • 2022-11-10 - 2023-02-24 - H10N50/10
  • 本发明公开了一种利用反材料产生可控自旋流的方法、异质结构器件和自旋电子学器件。本发明方法包括:通过多场操纵反自旋源/功能层异质结构器件的反磁矩,利用反磁矩与自旋的相互作用调控自旋流的自旋极化方向和/或调节自旋流强度;反自旋源/功能层异质结构器件包括由下至上依次层叠且构成异质结构的衬底层、反层和层;反层的材质为共线反材料或非共线反材料;层为垂直磁化的层或面内磁化的层。本发明异质结构器件能够产生可控自旋极化方向的自旋流,以实现相邻层高效的磁化翻转并带来器件低功耗的优势,其临界自旋流密度相比于传统非自旋源可降低一个数量级。
  • 一种利用反铁磁材料产生可控自旋方法结构器件电子学
  • [发明专利]一种半导体的制备方法-CN201410270448.5有效
  • 刘天府;魏晨燕;邵青龙;张媛 - 北京理工大学
  • 2014-06-17 - 2017-01-04 - H01F1/40
  • 本发明涉及一种半导体的制备方法,该方法如下:将硝酸锌和硝酸镍的混合物和丙二酸在醇溶液中溶解后加入三乙胺调节pH至出现沉淀,分离出沉淀,用醇溶液洗涤,干燥得到丙二酸配合物,将所述配合物在空气气氛中于400~800℃下煅烧≥2h,得到一种半导体Zn1‑xNixO,0.05≤x≤0.2。所述方法利用配合物合成达到在氧化锌中均匀掺杂过渡金属镍,煅烧后可获得具有较好磁学性能的半导体材料。
  • 一种半导体制备方法
  • [发明专利]一种具有双间隔层并可形成或反耦合的多层膜-CN201710565827.0有效
  • 赵巍胜;赵晓璇;彭守仲 - 北京航空航天大学
  • 2017-07-12 - 2020-01-10 - H01L27/22
  • 本发明一种具有双间隔层并可形成或反耦合的多层膜,至少包括第一层、第二层,在第一层、第二层之间,采用两个间隔层使两个层通过层间耦合或反地耦合在一起;所述的多层膜为可呈现垂直各向异性,所述的多层膜为可呈现面内各向异性,该多层膜从下到上依次是第二层、第二间隔层、第一间隔层、第一层;其所述的第一层和第二层指材料形成的薄膜层,在同一结构中,上下两个层可通过层间耦合作用,或反地耦合在一起,通过选取具有不同性质的间隔层材料,使多层膜结构具有不同的优势,可用于实现具有强各向异性、低阻尼系数、高隧穿磁阻比率值等优点的自旋电子器件。
  • 一种具有间隔形成反铁磁耦合多层

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