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- [发明专利]接近传感器-CN201310514177.9有效
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P·海姆利希尔
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奥普托塞斯股份有限公司
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2013-10-28
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2018-02-06
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H03K17/95
- 本发明涉及一种接近传感器,其具有用于产生磁场的线圈(15)和用于检测由外部物体引起的磁场变化的传感器电路(62),传感器电路(62)包括至少一个半导体部件(36、37、67、69、70及71),所述至少一个半导体部件安装在电路板为了改善接近传感器对有害外部影响(例如高温)的抵抗力和延长其寿命周期,本发明建议在密封的并且固定在电路板(17)的表面(18、19)上的包罩(20)中包括半导体部件(36、37、67、69、70及71)
- 接近传感器
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