专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1258839个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]烟梗表面抛光处理工艺-CN201010607692.8无效
  • 唐家林;覃光志 - 安徽中烟机械有限公司
  • 2010-12-27 - 2011-04-20 - A24B5/16
  • 本发明公开了一种烟梗表面抛光处理工艺,具体的工艺流程为:将烤后的烟梗首先送入烟梗抛光机的进料斗,通过烟梗抛光机的物料推进器送入抛光室内,通过抛光室内的抛光辊、凸棱与烟梗之间的摩擦和烟梗与烟梗之间的相互摩擦,将烟梗表面的附着物与烟梗分离,过程中通过抛光室内的红外温度感应器将烟梗温度控制在50-55℃,然后烟梗通过烟梗抛光机的出料槽出料,完成表面抛光过程。达到了去除烟梗残留烟叶、毛刺等表面附着物、提高成品烟梗表面光洁度的工艺加工技术,在烟梗表面加工过程中对烟梗流量、抛光抛光温度的参数进行控制,实现对烟梗表面抛光处理的质量控制。
  • 表面抛光处理工艺
  • [发明专利]一种高精密陶瓷植入粒子的方法-CN202011112154.1在审
  • 林建铃 - 苏州美丽澄电子技术有限公司
  • 2018-07-08 - 2021-01-08 - G02B21/32
  • 本发明公开了一种高精密陶瓷植入粒子的方法,所述实现方法的装置包括光辐射压力机、操作箱和电子显微目镜,所述光辐射压力机的内部设置有光压空腔,所述光压空腔的内部设置有光压发生器一,所述光压发生器一的一侧设置有光压发生器二,所述光辐射压力机的顶部焊接有操控台,所述操作箱设置在光辐射压力机的底部,所述移植方法包括陶瓷材料的染色、实验粒子的选取、陶瓷材料的制备、实验粒子的植入和实验的记录观察,该光镊粒子植入到高精密陶瓷的方法及装置设计新颖
  • 一种精密陶瓷植入粒子方法
  • [发明专利]一种用于玻璃的制作方法、玻璃以及电子设备-CN202110249632.1有效
  • 于洪洋 - 联想(北京)有限公司
  • 2021-03-08 - 2022-11-22 - C03C15/00
  • 所述制作方法包括以下步骤:获取所述玻璃,所述玻璃的表面至少包括弧面部分;对所述玻璃的表面的指定区域进行磨砂处理,所述指定区域至少包括所述弧面部分;对经过所述磨砂处理的所述指定区域中的至少所述弧面部分进行平面抛光处理本公开实施例基于玻璃的具有弧面部分的造型,采用磨砂处理尤其是高效率的喷淋式蒙砂处理实现玻璃的均匀的防眩光效果,然后开创式采用平面抛光的方式实现抛光处理,从而利用抛光面与玻璃的弧面部分之间的接触使得玻璃的不同位置具有不同的抛光
  • 一种用于玻璃制作方法以及电子设备
  • [发明专利]用于CdS晶片的抛光方法-CN201210445526.1有效
  • 李晖;徐永宽;程红娟 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
  • 2012-11-09 - 2013-03-27 - B24B37/04
  • 本发明公开了一种用于CdS晶片的抛光方法,包括:将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨,然后再进行精磨,其中,粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%,磨削液0.1~0.50wt%,助磨液0.1~0.50wt%,研磨液流量为1~50ml/min,研磨压力50~150g/cm2,转速40~80r/min,粗磨采用的研磨液的粒度为W7,精磨采用的研磨液的粒度为W1.5;最后将所述CdS晶片在合成革抛光垫上进行化学机械抛光抛光液的粒度的大小为10~100nm,pH值为9.5,抛光为60~120g/cm2,转速60~100r/min,所述抛光液包括:纳米磨料5~15wt%,氧化剂为1.5~3wt%,表面活性剂0.01wt
  • 用于cds晶片抛光方法
  • [发明专利]一种水性纳米抛光蜡及其制备方法-CN202310174143.3在审
  • 赫虎;张艳;潘汀 - 南通美光汽车用品有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-07-04 - C09G1/02
  • 本发明涉及一种水性纳米抛光蜡及其制备方法,属于精密抛光技术领域。该抛光蜡按照重量份计包括:纳米中空磨料12‑16份、油相15‑20份、去离子水18‑22份、光亮剂10‑15份、流变剂6‑9份、表面活性剂0.5‑0.8份和消泡剂1‑1.3份;其中,纳米中空磨料以球拟酵母为模板,在缺氧环境中培养产生二氧化碳,与氯化铈反应生成微纳结构的碳酸铈并原位附着在球拟酵母的表面,再通过高温焙烧形成中空的氧化铈球壳,粒径均匀且呈类球形,抛光更加均匀,球壳形结构不易对抛光面形成划伤,在抛光前期可对抛光面快速磨削,随着抛光的进行和抛光的变化,球壳结构破损,微纳结构的氧化铈掺杂在磨料中形成梯度抛光,提高抛光精度。
  • 一种水性纳米抛光及其制备方法
  • [发明专利]多层铜布线钴阻挡层表面粗糙度的控制方法-CN201610576241.X有效
  • 王辰伟;刘玉岭;岳昕;高宝红;牛新环 - 河北工业大学
  • 2016-07-19 - 2019-08-13 - C09G1/02
  • 本发明属于化学机械抛光领域,尤其涉及一种多层铜布线钴阻挡层表面粗糙度的控制方法,首先配置碱性抛光液,然后在流量100‑500ml/min,温度15‑30℃、抛头转速为57‑150rpm、抛盘转速为63‑150rpm,抛光为6.89‑27.56kpa的工艺条件下进行抛光1‑5min;所述的碱性抛光液包括:螯合剂用量占抛光液总质量的0.1%‑1%;非离子型表面活性剂的用量为抛光液总质量的1‑5%;所述的Si02用量占抛光液总质量的1%,所述的抛光液最终的pH值为8‑12;该方法克服了现有铜布线化学机械抛光过程中存在的控制钴阻挡层表面粗糙度多采用酸性抛光液且包含氧化剂的问题。
  • 多层布线阻挡表面粗糙控制方法
  • [发明专利]抛光-CN201110039127.0有效
  • 路新春;王同庆;何永勇;雒建斌 - 清华大学
  • 2011-02-16 - 2011-09-07 - B24B39/06
  • 本发明公开了一种抛光头,所述抛光头包括盖板;基座,所述基座固定在所述盖板的下表面上,所述基座的下表面形成有环形凹槽;柔性膜,所述柔性膜固定在所述基座的下表面上且覆盖在所述环形凹槽上以形成与外界连通的下腔室根据本发明实施例的抛光头可以提供更低的抛光
  • 抛光

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top