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[发明专利]基于多模态数据的芯片抗辐照性能参数选型系统-CN202310538725.5在审
发明人：鲍军鹏;何超;马俊杰;贺永宁;赵小龙 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F18/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多模态数据的芯片抗辐照性能参数选型系统，包括参数采集模块、芯片抗辐照多模态性能参数关联关系发现模块、芯片抗辐照性能参数选型模块和可视化展示模块，本发明的选型系统可产生所查芯片相关的全部抗辐照性能参数，并对其进行关联分析，提供抗辐照性能较好的芯片列表供研发人员进行选择，通过采集芯片抗辐照的多模态数据，并自动发现其中的关联关系，实现了抗辐照性能参数选型的自动化和智能化；基于深度学习技术的抗辐照性能参数选型，可以提高芯片抗辐照性能参数选型工作的速度和准确性，通过智能化分析处理多模态数据，减轻了研发人员查询比较分析工作，降低了芯片研发成本和时间，提高了工作效率。
基于多模态数据芯片辐照性能参数选型系统

[发明专利]PLL电路抗辐照性能评估方法-CN201710522652.5有效
发明人：刘红侠;杜守刚;王树龙;王倩琼 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G01R31/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种宇航用抗辐照PLL锁相环电路抗辐照性能评估方法，主要解决现有技术在辐照环境下对电路的功能和性能评估不全面的问题，其技术方案为：从工程试验结果及电路内部设计原理出发，根据PLL锁相环电路在地面加速工程辐照试验时所表征出来的功能及性能的变化，结合不同层面用户的需求，提出用PLL单粒子伪失锁截面、PLL单粒子失锁截面、PLL单粒子功能错误截面和PLL单粒子失锁恢复截面四个评估参数所组成的评估列表综合表征宇航用抗辐照PLL电路的抗辐照性能，从而更加系统合理地解决了PLL电路抗辐照性能评估不全面的问题，为宇航用抗辐照PLL锁相环电路的空间工程应用及地面抗辐照加固设计提供参考依据。
pll 电路辐照性能评估方法

[发明专利]一种评估钨酸铅晶体的抗辐照性能的检测方法-CN200810203917.6有效
发明人：熊巍;袁晖;陈良 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2008-12-03 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种评估钨酸铅晶体的抗辐照性能的检测方法，本发明利用PWO晶体在特定γ射线辐照剂量下与紫外线辐照下的辐照诱导吸收系数之间的线性关系，通过紫外线辐照晶体结果直接估算该晶体在γ射线辐照后的辐照诱导系数，从而对PWO晶体的抗γ射线辐照性能进行快速评估。本发明提供的方法采用简便、安全的紫外线辐照来模拟γ射线辐照效果，大大简化了PWO晶体抗辐照性能的检测过程。
一种评估钨酸铅晶体辐照性能检测方法

[实用新型]一种新型塑料封装的抗辐照材料结构-CN202121967358.3有效
发明人：李守委;颜炎洪;徐衡;谢永亮;陈鹏;沈雄 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型塑料封装的抗辐照材料结构，涉及抗辐照材料相关技术领域，包括新型塑料封装的抗辐照封基板，新型塑料封装的抗辐照封基板顶端中部安装有半导体芯片，半导体芯片两侧连接有键合丝，半导体芯片与新型塑料封装的抗辐照封基板之间设置有粘结材料，新型塑料封装的抗辐照封基板顶部设置有复合包封料，通过以上各装置之间的配合使用可以使得包封料在保证其物理性能的同时，可以加固塑封基板、包封料内部有机聚合物的抗辐照性能，提升封装料的抗辐照能力，有效防止封装体在长期遇到冲击后发生损坏，从而使得封装体的抗辐射性能和整体强度大大提升。
一种新型塑料封装辐照材料结构

[发明专利]一种陶瓷、塑料封装的抗辐照结构-CN202110037418.X在审
发明人：李守委;黄彦 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开一种陶瓷、塑料封装的抗辐照结构，属于集成电路封装领域。本发明提供的一种抗辐照结构不局限于陶瓷封装结构，亦可用于塑料封装结构。选用有机聚合物材料，并通过掺杂无机非金属材料来加固有机材料涂层的抗辐照性能，在电路内外表面选用涂覆的方式进行覆盖，对电路整体的抗电子辐照、伽马射线辐照性能等抗辐照性能进行加固。
一种陶瓷塑料封装辐照结构

[实用新型]一种新型抗辐照聚酰亚胺材料结构-CN202121967385.0有效
发明人：李守委;陈旭;颜炎洪;徐衡 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型抗辐照聚酰亚胺材料结构，涉及集成电路的封装技术领域，在聚酰亚胺中通过掺杂无机非金属材料(例如碳、硼等材料)保证其光敏性能的同时，来增加聚酰亚胺内部材料的抗辐照性能；主要应用于单芯片及多芯片堆叠的抗辐照问题，通过将碳、硼等无机非金属材料掺杂进聚酰亚胺，涂覆固化后形成一层保护膜，具有优越的高耐辐射性能，还具有低介电性能、高耐热性、良好的化学稳定性以及耐湿热性。同时对芯片的抗电子辐照、伽马射线辐照性能等抗辐照性能进行加固，工艺可行性较高。
一种新型辐照聚酰亚胺材料结构

[发明专利]一种闪烁体抗辐照性能实时测量方法及预测方法-CN202211171239.6在审
发明人：卢毅;宋朝晖;郝帅;孙薇;李刚;易义成 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种闪烁体抗辐照性能实时测量方法及预测方法，解决现有测量闪烁体抗辐照性能的方法，只能在辐照结束后测量闪烁体整体光输出变化的情况，且测量结果是单个有限点的问题，及每次测量时需要重新组装探测器该闪烁体抗辐照性能实时测量方法，包括以下步骤：A1)搭建闪烁体抗辐照性能实时测量系统；A2)获得探测器输出电流随辐照时间的变化曲线；A3)得到待测闪烁体的相对光输出变化曲线；A4)计算待测闪烁体的相对光输出变化曲线中待测闪烁体的不同辐照时间对应的辐照剂量，获得待测闪烁体相对光输出随辐照剂量的变化曲线，完成待测闪烁体抗辐照性能实时测量。
一种闪烁辐照性能实时测量方法预测方法

[发明专利]一种抗辐照高熵合金、包壳管及其制备方法-CN201910779393.3在审
发明人：要玉宏;杨小光;吕煜坤;陈建;吴天栋;梅金娜 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐照高熵合金、包壳管及其制备方法，抗辐照高熵合金的分子式为FeCrNiMnZr_0.5；本发明的抗辐照高熵合金具有极好的抗辐照行能，以及满足现有包壳管材料所需的力学性能，可应用于第四代反应堆包壳管材料，通过抗辐照试验，测试结果表明该高熵合金在高温(773K)下，辐射剂量超过60dpa时，材料结构仍未发生变化，这表明材料具有良好的抗辐照性能。
辐照高熵合金包壳管制备抗辐照性能材料结构辐射剂量辐照试验力学性能反应堆应用

[发明专利]一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构-CN202111575963.0在审
发明人：梁琳;尚海 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗电子辐照的MOSFET加固封装结构，属于电子电力器件技术领域，具体包括：第一抗辐照导电片、第二抗辐照导电片和缓冲导电片；第一抗辐照导电片和第二抗辐照导电片覆盖MOSFET芯片；且第一抗辐照导电片和第二抗辐照导电片均为高Z材料；第一抗辐照导电片的一端通过缓冲导电片与MOSFET芯片上方的源极连接；第二抗辐照导电片的一端与MOSFET芯片下方的漏极连接；第一抗辐照导电片用于抵挡MOSFET芯片上方的电子辐照；第二抗辐照导电片用于抵挡MOSFET芯片下方的电子辐照。本发明实现了抗辐照性能、体积、重量乃至成本的折中。
一种电子辐照 mosfet 加固封装结构

[发明专利]一种具有抗辐照功能的8B/10B编解码电路-CN202110029507.X在审
发明人：陈飞翔;谢小东;王佳辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H03M9/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有抗辐照功能的8B/10B编解码电路，包括抗辐照输入D触发器组、抗辐照输出D触发器组、抗辐照8B/10B编码组合逻辑电路以及抗辐照8B/10B解码组合逻辑电路，所述抗辐照输入D触发器组分别与所述抗辐照编码组合逻辑电路、所述抗辐照解码组合逻辑电路的输入端相连，所述抗辐照编码组合逻辑电路、所述抗辐照解码组合逻辑电路的输出端与所述抗辐照输出D触发器组的输入端相连。本发明具有成本低、抗辐照性能好以及灵活性高等优点。
一种具有辐照功能 10 解码电路

[发明专利]一种抗辐照老化聚丙烯合金的制备方法-CN200910067229.6有效
发明人：李敏;殷敬华;栾世方 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2009-07-06 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： C08L51/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗辐照老化聚丙烯合金制备方法。通过反应挤出方法在聚丙烯分子链上接枝反应型受阻胺类稳定剂，以提高其合金辐照灭菌后材料的抗老化性能。用反应接枝法制备抗辐照老化聚丙烯合金具有稳定剂分散均匀、不易析出、抗老化性能持久等优点。该类抗辐照老化聚丙烯合金制备方法简单、对环境无污染、易于实现大规模连续生产。本发明制备的抗辐照老化聚丙烯合金可用于医疗输注器械、食品包装和药品包装等领域，在采用辐照灭菌方法灭菌后及一年储存期内，产品的断裂伸长率降低小于50％，拉伸强度降低小于2MPa，黄度指数增加小于1。因此该类抗辐照老化聚丙烯具有很强的抗辐照老化性能。
一种辐照老化聚丙烯合金制备方法

[发明专利]一种抗辐照老化聚丙烯的制备方法-CN200910067231.3有效
发明人：李敏;殷敬华;栾世方 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2009-07-06 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐照老化聚丙烯的制备方法。通过反应挤出方法在聚丙烯分子链上接枝反应型受阻胺类稳定剂，以提高其经过辐照处理后材料的抗老化性能。与传统物理共混方法制备的抗辐照老化聚丙烯相比，具有稳定剂分散均匀、不易析出、抗老化性能持久等优点。该类抗辐照老化聚丙烯制备方法简单、对环境无污染、易于实现大规模连续生产。本发明制备的抗辐照老化聚丙烯可用于医疗输注器械、食品包装和药品包装等领域，在采用辐照灭菌方法灭菌后及一年储存期内，产品的断裂伸长率降低小于50％，拉伸强度降低小于2MPa，黄度指数增加小于1。因此该类抗辐照老化聚丙烯具有很强的抗辐照老化性能。
一种辐照老化聚丙烯制备方法

[发明专利]半导体激光器抗辐照性能的无损预估方法-CN202211662858.5在审
发明人：曹军胜;王双争;于松群 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器抗辐照性能的无损预估方法，通过搭建预估电路，利用前置放大器将半导体激光器的电噪声放大，将放大后的电噪声输入低频频谱分析仪生成电噪声数据，并获取辐照前的闪烁噪声幅度，再施加微量辐照获取辐照后的闪烁噪声幅度，计算闪烁噪声幅度的变化率即可判断半导体激光器的抗辐照性能。本发明通过对半导体激光器施以微小剂量的辐照，在常规光电参数几乎不发生变化的前提下，依据半导体激光器的闪烁噪声幅度在辐照前后的变化率表征半导体激光器的抗辐照性能，实现了半导体激光器抗辐照性能的有效、无损筛选
半导体激光器辐照性能无损预估方法

[发明专利]一种InAs量子点嵌入HEMT结构的抗辐照测试方法-CN202111610382.6在审
发明人：刘丽双;王瑞荣;王晨光;林绍卓;王启;罗正杰 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于InAs量子点嵌入HEMT结构的抗辐照测试方法，利用量子点抗辐照特性，通过微纳工艺完成将InAs量子点嵌入HEMT结构，以增强其抗辐照的特性。并对InAs量子点嵌入HEMT结构和HEMT结构利用60Co‑γ射线进行辐照前后的性能对比，验证其抗辐照性能，利用该方法可以对HEMT器件的制备提供关键技术支持和约束条件
一种 inas 量子嵌入 hemt 结构辐照测试方法

[发明专利]一种自适应偏置的抗辐照射频SOI功放-CN202310036410.0在审
发明人：王政;牛文浩;段轩;谢倩;朱伟强;韩婷婷;李志坚;田密;姚艳;戴沛霞;王昀;解东亮;王鑫;高海强;李由 -专利权人：电子科技大学;中国航天科工集团八五一一研究所
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种自适应偏置的抗辐照射频SOI功放的电路，属于射频集成电路领域，包括抗辐照自适应偏置电路和四堆叠功放。抗辐照自适应偏置电路的包括辐照检测电路与偏置产生电路，四堆叠功放的包括四堆叠晶体管、外部栅极电容、偏置电阻以及射频扼流电感。由于总剂量辐照效应，当辐照照射时，晶体管的性能会下降，功放的性能也因此下降，本发明通过在传统四堆叠功放中添加抗辐照的自适应偏置网络，在辐照情况下自适应地调整四堆叠功放的偏置，能够明显提高功放的抗辐照性能在10 GHz的工作频率处，本发明相比于传统的四堆叠功放，其增益、功率附加效率和饱和输出功率在300 krad的辐照环境下均有明显的改善。
一种自适应偏置辐照射频 soi 功放

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