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[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN201310078720.5有效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳控股株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN200480042537.9无效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳油墨制造株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法及转印掩模的制造方法-CN201210129722.8有效
发明人：堀井克彦;浅川敬司 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
抗蚀剂膜剥离方法掩模基板制造转印掩模

[发明专利]抗蚀剂膜剥离方法、掩膜基板的制造方法及转印掩膜的制造方法-CN200780017495.7有效
发明人：堀井克彦;浅川敬司 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
抗蚀剂膜剥离方法掩膜基板制造转印掩膜

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010623056.4无效
发明人：畑光宏;夏政焕 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，该方法包括以下步骤(A)至(D)：(A)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物以形成第一光致抗蚀剂膜，将第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，然后用碱性显影液将曝光的第一光致抗蚀剂膜显影，从而形成第一光致抗蚀剂图案；(B)使第一光致抗蚀剂图案对以下步骤(C)中的辐射惰性，使第一光致抗蚀剂图案不溶于碱性显影液或者使第一光致抗蚀剂图案不溶于在以下步骤(C)中使用的第二光致抗蚀剂组合物；(C)在步骤(B)中获得的第一光致抗蚀剂图案上，涂覆第二光致抗蚀剂组合物以形成第二光致抗蚀剂膜，将第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤，和(D)用碱性显影液将曝光的第二光致抗蚀剂膜显影，从而形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200610063946.8有效
发明人：石桥健夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在衬底(1)的主表面上形成绝缘膜(7)。在绝缘膜(7)上形成导电膜(8)，在该导电膜(8)上形成下层抗蚀剂膜(9)、中间层(10)、防反射膜(11)和上层抗蚀剂膜。通过检测该上层抗蚀剂膜的高度来检测曝光时的焦点位置。在检测曝光时的焦点位置之际，使焦点检测光照射到上层抗蚀剂膜。在检测了焦点位置以后，使上层抗蚀剂膜曝光、显影，形成抗蚀剂图形(12a)。以抗蚀剂图形(12a)为掩模，将中间层(10)和防反射膜(11)制成图形，使下层抗蚀剂膜(9)显影。以这些图形为掩模对导电膜(8)进行蚀刻，形成栅电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]蚀刻方法-CN202210440462.X在审
发明人：铃木大地;森川泰宏;土居谦太;中村敏幸 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的蚀刻方法具有：抗蚀剂图案形成工序，在被处理体上对由树脂构成的抗蚀剂层形成抗蚀剂图案；蚀刻工序，经由具有所述抗蚀剂图案的所述抗蚀剂层对所述被处理体进行蚀刻；以及抗蚀剂保护膜形成工序，在所述抗蚀剂层上形成抗蚀剂保护膜在反复进行多次所述蚀刻工序之后，进行所述抗蚀剂保护膜形成工序。
蚀刻方法

[发明专利]图案形成方法-CN200410049548.1无效
发明人：远藤政孝;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-06-16 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种图案形成方法，在基板(101)上形成抗蚀剂膜(102)，对形成的抗蚀剂膜(102)选择性地照射曝光光线进行曝光。对进行了图案曝光的抗蚀剂膜(102)进行显影，形成第一抗蚀剂图案(102b)，接着在基板(101)上遍及含有第一抗蚀剂图案(102b)的全部表面上形成水溶性膜，该水溶性膜中含有与抗蚀剂构成材料交联的交联剂及促进该交联剂交联反应的作为交联促进剂的酸进而通过加热使水溶性膜(105)和在第一抗蚀剂图案(102b)的侧面上接触部分之间交联反应后，除去水溶性膜(105)中与第一抗蚀剂图案(102b)未反应的部分，以形成从第一抗蚀剂图案(102b)在其侧面上由水溶性膜(105)残存而成的第二抗蚀剂图案(107)。使得到的抗蚀剂图案形状良好。
图案形成方法

[发明专利]抗蚀剂图案形成方法-CN200510131034.5无效
发明人：八木巧司 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀剂图案形成方法。在已形成了CCD图像传感器的基本结构的半导体基板(60)上涂敷彩色抗蚀剂，形成抗蚀剂膜(62)。进而在该抗蚀剂膜(62)上成膜升华防止膜(64)。以使升华防止膜(64)具有阻止包含于抗蚀剂膜(62)的颜料等向外部升华的功能的方式选择材料及厚度。将已形成升华防止膜(64)的半导体基板(60b)载置于曝光装置中，通过光掩膜(66)照射紫外线，进行抗蚀剂(62)的曝光。通过曝光后进行的抗蚀剂膜(62)的显影处理除去升华防止膜(64)。因此，可以防止在用彩色抗蚀剂形成固体摄像元件的彩色滤光器之际、在曝光时颜料从抗蚀剂升华并附着在曝光装置内的现象。
抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置-CN202111230313.2在审
发明人：片山晃男;长田崇一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置。提供能够制造图案直线性高的电路布线的干膜抗蚀剂。一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置，所述干膜抗蚀剂为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。
干膜抗蚀剂电路布线制造方法输入装置显示装置

[发明专利]干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置-CN201610919906.2有效
发明人：片山晃男;长田崇一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置。提供能够制造图案直线性高的电路布线的干膜抗蚀剂。一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置，所述干膜抗蚀剂为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。
干膜抗蚀剂电路布线制造方法输入装置显示装置

[发明专利]制造厚膜化的抗蚀剂图案的方法、厚膜化溶液、以及制造经加工基板的方法-CN202180084405.6在审
发明人：长原达郎;山本和磨 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：[问题]本发明提供一种制造厚膜化的抗蚀剂图案的方法。[解决方案]一种制造厚膜化的抗蚀剂图案的方法，其包括以下步骤：(1)将抗蚀剂组合物施用于基板的上方，由所述抗蚀剂组合物形成抗蚀剂层；(2a)对抗蚀剂层进行曝光；(2b)在抗蚀剂层上施用含有聚合物(A)和溶剂(B)的厚膜化溶液，形成厚膜化层；以及(3)对抗蚀剂层和厚膜化层进行显影。
制造厚膜化抗蚀剂图案方法溶液以及加工

[发明专利]元件的制造方法-CN200510082642.1无效
发明人：河村大辅;三本木晶子;佐藤隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种元件的制造方法，其中包括，在基板上形成抗蚀剂膜，准备具备投影光学系统的曝光装置，准备形成掩模图形的光掩模，在所述曝光装置上，搭载形成所述抗蚀剂膜的基板及所述光掩模，为在所述抗蚀剂膜上形成潜像，以在所述抗蚀剂膜和所述投影光学系统之间，存在含有氧化性物质的溶液的状态，在所述抗蚀剂膜上复制形成在所述光掩模上的掩模图形，加热形成有所述潜像的抗蚀剂膜，显影所述加热的抗蚀剂膜。
元件制造方法

[发明专利]使用溶剂显影用形成含硅抗蚀剂下层膜的组合物的半导体装置的制造方法-CN201380007256.9有效
发明人：武田谕;中岛诚;菅野裕太;若山浩之 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在将抗蚀剂曝光后，用有机溶剂显影来形成抗蚀剂图案方面良好的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：工序(A)，将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在基板上，进行烘烤来形成抗蚀剂下层膜，所述形成抗蚀剂下层膜的组合物包含水解性硅烷、其水解物2)所示的硅烷和式(3)所示的硅烷，在全部硅烷中以摩尔％计下述式(1)所示的硅烷:下述式(2)所示的硅烷:下述式(3)所示的硅烷为45～90:6～20:0～35的比例含有各硅烷；工序(B)，在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜；工序(C)，将上述抗蚀剂膜进行曝光；工序(D)，曝光后将抗蚀剂膜用有机溶剂显影，获得被图案化了的抗蚀剂膜；和工序(E)，利用被图案化了的抗蚀剂膜对上述抗蚀剂下层膜进行蚀刻，利用被图案化了的抗蚀剂下层膜对基板进行加工
使用溶剂显影形成含硅抗蚀剂下层组合半导体装置制造方法

[发明专利]显影方法和显影装置-CN201510336734.1有效
发明人：竹口博史;井关智弘;寺下裕一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成CD分布均匀性足够高的抗蚀剂的显影方法。本发明涉及的显影方法，其用于对基板表面上的曝光后的抗蚀剂膜进行显影来形成抗蚀剂图案，依序具有如下步骤：(A)向旋转的基板供给显影液的步骤；(B)使抗蚀剂膜与显影液反应的步骤；和(C)为了使抗蚀剂膜与显影液的反应停止而从抗蚀剂膜表面除去显影液的步骤，在(A)步骤中，使用接液喷嘴，该接液喷嘴具有显影液的排出口和从排出口在横向扩展且与抗蚀剂膜相对的面，并且在(C)步骤中，使除去了显影液的抗蚀剂膜表面的反应停止区域和与显影液的反应持续进行的抗蚀剂膜表面的反应进行区域的边界从抗蚀剂膜的中心部向周缘部移动
显影方法装置