专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]新型混铁炉-CN200920258310.8无效
  • 冯周阳;赵建立;白周义;张新生 - 巩义市益丰耐火材料有限公司
  • 2009-11-23 - 2010-08-25 - C21C1/06
  • 本实用新型公开了一种新型混铁炉,包括圆形炉体,炉体顶壁设有进铁口,炉体侧壁上设有出铁口,炉体侧壁由内向外包括有工作层、永久层和保温层,工作层中下部设有返平层,工作时与工作层接触的炉内铁水液面形成线,返平层之上的工作层向内凸起形成工作层的部分,部分的顶部不低于线的最高点。工作层的部分厚度较以往大大增加,使得该处的工作层能够在更长的时间内承受线的侵蚀,有效延长了工作层线部位的使用寿命,从而消除了混铁炉的寿命瓶颈,在整体上延长了混铁炉的使用寿命。
  • 新型混铁炉
  • [发明专利]光学校准盘-CN201280068846.8在审
  • N·仓高;G·高兹纳;Z·于 - 希捷科技有限公司
  • 2012-12-04 - 2014-10-29 - G11B5/855
  • 一种用于光学校准盘的系统和方法包括在衬底的一部分上分配剂层。衬底的表面和模板的预定对象的形貌图案化表面接触到一起,其中接触使得衬底部分和模板之间的剂层与形貌图案化表面共形,并且剂层包括纳米尺度孔隙。纳米尺度孔隙通过更长的扩散时间、更薄的剂以及通过使用去步骤对残留剂层连同孔隙的去除而减少。剂层被硬化成形貌图案化表面的负像,其中所述负像包括可用于被光学读取器单独测量的表面。衬底和模板被分离,其中剂层附着于衬底的表面。
  • 光学校准
  • [发明专利]光致剂以及结构体的制造方法-CN200480033386.0无效
  • 中村雅则;森伸浩 - 积水化学工业株式会社
  • 2004-11-17 - 2006-12-13 - G03F7/023
  • 本发明提供可以通过低浓度碱水溶液或中性水显影,并可以容易地通过臭氧水剥离,另外,不易残留残渣,可以减少成本和环境负担的正光致剂以及通过使用该光致剂的图案形成电路的结构体的制造方法。所述光致剂是含有具有结合了2个或2个以上羟基的苯核,且重均分子量为1000~20000的范围的酚醛清漆树脂的正光致剂,所述结构体的制造方法是通过使用该正光致剂的图案形成电路的结构体的制造方法,该方法具有以下工序:使用上述正光致剂在基板表面上形成膜的工序;对上述膜进行曝光、显影的工序;使用显影的图案形成电路的工序;除去膜的工序。
  • 正性光致抗蚀剂以及结构制造方法
  • [发明专利]掩模组件的制造方法-CN201810089595.0有效
  • 金桢国;任星淳;黄圭焕;金圣哲;文英慜 - 三星显示有限公司
  • 2018-01-30 - 2021-12-03 - C23C14/30
  • 本发明涉及能够提升图案精度的掩模组件的制造方法,该方法包括以下步骤:准备载体衬底;在载体衬底上涂覆第一光致剂;对第一光致剂进行图案化以形成第一光致剂图案;在载体衬底和第一光致剂上涂覆第二光致剂;对第二光致剂进行图案化以形成第二光致剂图案;在载体衬底上沉积金属层;去除布置在第一光致剂图案和第二光致剂图案上的金属层;以及将载体衬底与金属层分离以制造分割掩模,其中,第一光致剂为正(positive)光致剂,而第二光致剂为负(negative)光致剂。
  • 模组制造方法
  • [发明专利]干膜剂及其制备方法-CN202111415164.7在审
  • 朱薛妍;严晓慧;李伟杰;张浙南 - 杭州福斯特电子材料有限公司
  • 2021-11-25 - 2022-03-01 - G03F7/027
  • 本发明提供了一种干膜剂及其制备方法。干膜剂包括支撑层和剂层,形成剂层的原料包括碱溶性树脂、可光聚合单体和光引发剂,其特征在于,剂层为预交联层,剂层的交联度为2%~15%。将剂层设置为预交联层,即在收卷之前其为经过部分交联的结构,经过预交联后剂层的流动得到了有效控制,且通过对抗剂层交联度的控制又保证了其具有足够的追随。同时,上述交联度为2%~15%的剂层,其具有足够的解析度和显影,不影响其后续图形化使用要求。
  • 干膜抗蚀剂及其制备方法
  • [发明专利]以激光为基础的集成电路的修理或重新构型的方法和系统-CN97181218.7有效
  • 爱德华·J·斯文森;孙云龙;理查德·S·哈里斯 - 电子科学工业公司
  • 1997-10-29 - 2003-10-08 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种用各自定向的激光脉冲(74,94)从多个靶位置(150)照射在一个或更多集成电路(IC)芯片上的剂材料的方法和系统。然后,定位数据指向光敏剂材料上的多个位置(150),指引具有预定参数的每个激光输出脉冲(94),其中预定参数的选择用来使光敏剂材料曝光。由于非烧加工不产生屑,可将一光学元件(148)放在刻蚀保护层(90)的10mm以内,以使激光输出脉冲聚焦成一个小于激光输出(140)的波长的两倍的光斑尺寸。光敏剂层(90)被显影后,可接近的刻蚀靶(92)能被刻蚀以修理或再构造IC器件。在另一实施例中,可采用稍高一点的紫外能量激光输出脉冲(74),来烧蚀刻蚀保护层(70),所以,采用任何类型的刻蚀保护覆盖层,如非光敏剂材料,具有明显的制造和成本效益。
  • 激光基础集成电路修理重新构型方法系统
  • [发明专利]形成图的方法-CN03108318.8无效
  • 山下正美 - 日本电气株式会社
  • 2003-03-27 - 2003-10-08 - H01L21/027
  • 一种形成图的方法,在图的再流动过程中,该方法可以有效地控制图修正的方式/形式和修正量,即使在再流动过程中图的变形量增加,仍然可以以理想的精度实现理想的图。第二层形成在第一层之上,并且第一图形成在第二层之上。利用第一图作为掩模可以有选择性地蚀刻第二层。之后,根据第一图调节第二或者第一层的至少部分暴露的面积的可湿,从而形成调节了可湿的部分。修正第一图,利用有机溶剂使得第一图发生再流动以扩展到调节了可湿的面积上,因此形成了第二图,用来有选择地蚀刻第一或第二层。
  • 形成抗蚀图方法

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