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[发明专利]一种太阳能电池智能扩散工艺-CN202310915187.7在审
发明人：梁玲;郭岂宏;王超;张波;赵科巍;杨旭彪;吕涛 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池生产领域，一种太阳能电池智能扩散工艺，获取数据库中评分最高的扩散工艺的设定参数；在扩散炉中，按照扩散工艺的设定参数进行扩散，实时检测扩散过程中的尾气中的气体组成和浓度；根据扩散工艺的设定参数、扩散过程中的尾气中的气体组成和浓度获得扩散过程中气体实时的消耗量；根据扩散过程中气体实时的消耗量，实时调整扩散工艺的气体流量的设定参数；将调整后的扩散工艺的气体流量的设定参数作为扩散工艺的设定参数，返回步骤二按照扩散工艺的设定参数继续进行扩散，直至完成整个扩散工艺；检测扩散完成后太阳能电池片的扩散情况，将评分及其对应的扩散工艺的设定参数反馈回数据库中。
一种太阳能电池智能扩散工艺

[发明专利]一种高效低成本太阳电池扩散工艺-CN201310740741.9无效
发明人：石劲超 -专利权人：百力达太阳能股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效低成本太阳电池扩散工艺，是在小流量保护氮气下的多步变温扩散和退火工艺，其特征在于在小流量保护氮气下，采用了八步扩散过程，第一步为超低温进舟工艺，第二步为恒定温场工艺，第三步为变温氧化工艺，第四步为定温扩散工艺，第五步为变温扩散工艺，第六步为推结扩散工艺，第七步为变温退火工艺和第八步超低温出舟工艺。本发明提供的高效低成本太阳电池扩散工艺相比传统的恒温扩散工艺，减少了扩散工艺时间，降低了工艺气体成本，提高了扩散方阻的均匀性和重复性，优化了表面掺杂浓度和结深，改善了蓝光响应，并减少了硅片内部缺陷，提高了太阳电池的转换效率
一种高效低成本太阳电池扩散工艺

[发明专利]一种高方阻晶体硅电池低压扩散工艺-CN201410582186.6有效
发明人：姬常晓;刘文峰;郭进;成文 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公布了一种高方阻晶体硅电池低压扩散工艺，为有效提高扩散管产能从而降低单片扩散成本，并且提高量产电池性能均匀性以提高量产电池整体性价比，本发明采用减压扩散工艺，对原有常压扩散工艺进行较大变革。和常压扩散工艺相比，本工艺可有效减小小氮总流量和总时间，能较好的控制扩散掺杂浓度纵向分布，并且可有效提高片内及片间扩散方阻均匀性。本发明的扩散工艺应用于减压扩散炉，该工艺与减压扩散炉匹配性强，适用于产业化生产，可大幅度提高产能，从而大规模应用于晶体硅电池生产线。
一种高方阻晶体电池低压扩散工艺

[发明专利]一种选择性发射极太阳电池制造过程中的重扩散和轻扩散工艺-CN200910037425.9有效
发明人：李静;周鹏宇 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极太阳电池制造过程中的重扩散和轻扩散工艺，重扩散工艺应用在电极栅线下及其附近，轻扩散工艺应用在非电极栅线区域，通过改变两步扩散工艺的温度，气流量和工艺时间使得在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区，在非电极栅线区域形成低掺杂浅扩散区。本发明解决了传统一步扩散工艺无法同时降低硅片表面接触电阻和减少死层的问题，对晶体硅太阳能电池整体性能的提高有着重要的作用。
一种选择性发射极太阳电池制造过程中的扩散工艺

[发明专利]石英舟及太阳能电池扩散工艺-CN201710338389.4有效
发明人：刘源;廖章斌 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英舟及太阳能电池扩散工艺，该石英舟包括至少三根槽棒，每一根槽棒上设有若干相对应的用于放置硅片的齿槽，槽棒上相邻齿槽之间的齿间距以进气端第1个齿间距为基准成等比数列递增。太阳能电池扩散工艺包括进舟工序、恒温工序和扩散工艺。本发明的石英舟可提高硅片在扩散管内不同区域接触扩散源几率的一致性，且本发明太阳能电池扩散工艺，不仅可以降低扩散氮源的用量，还能提高片内、片间扩散掺杂纵向浓度分布的一致性进而提高量产电池转换效率的一致性。相比常规扩散工艺，采用本发明石英舟和扩散工艺进行扩散后制成的电池片的平均效率提高了0.05％，同时电池转换效率＜18.0％的低效电池片比例降低了1.5％。
石英太阳能电池扩散工艺

[发明专利]一种P型双面晶硅电池的制作方法-CN201710649732.7有效
发明人：张东;张大雨;马立元;杨雄磊 -专利权人：巨力新能源股份有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明公开一种P型双面晶硅电池的制作方法，先将硅片利用传统的制绒工艺进行双面制绒，再采用以固态杂质源为主要成分的浆料印刷工艺和链式水平扩散工艺，然后再进行双面镀膜、双面印刷正银电极和烧结。采用本发明的方法制备双面电池工艺较常规双面电池工艺流程简单，尤其是双面印刷工艺和链式扩散工艺，保证了边缘不同扩散源的不相互掺杂，同时减少了成品电池漏电率；链式扩散工艺较传统的管式扩散工艺扩散时间大大缩短
一种双面电池制作方法

[发明专利]一种流量控制方法及流量控制装置-CN201711456622.5有效
发明人：吴华德;熊光涌;蒋方丹;邢国强;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种流量控制方法及流量控制装置，该流量控制方法包括：获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数；根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及当前扩散工艺的运行序数，得到当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值；按照当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值，向扩散炉输入小氮。本发明实施例提供的流量控制方法不需要进行人工调节，有利于自动化生产，解决了现有技术中向扩散炉中通入恒定流量的小氮，再通过调节推进温度调节方阻，增加人力成本但得到的硅片方阻波动大，批次间硅片方阻均匀性差的问题
一种流量控制方法装置

[发明专利]太阳能电池的低压扩散工艺及利用其制备得到的太阳能电池-CN201711398699.1有效
发明人：李邦勇;马晓林;潘岳林;费正洪;党继东 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的低压扩散工艺及利用其制备得到的太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，该太阳能电池的低压扩散工艺，扩散过程完成后采用氧气进行回压然后再进行氧化处理。利用该低压扩散工艺能够缓解现有技术的低压扩散工艺造成的氧化层形成速度慢、厚度薄以及由此导致的太阳能电池效率低的技术问题，达到了提高电池片转换效率的技术效果。
太阳能电池低压扩散工艺利用制备得到

[发明专利]一种扩散炉工艺自诊断优化方法及装置-CN201810812242.9在审
发明人：汪已琳;任哲;舒勇东 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C30B31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种扩散炉工艺自诊断优化方法，包括以下步骤：S01、对硅片进行扩散工艺后的数据进行检测；S02、将检测数据与预设标准阈值进行对比，并根据对比结果自动优化下一次硅片扩散工艺参数。本发明还相应公开了一种扩散炉工艺自诊断优化装置，包括第一模块，用于对硅片进行扩散工艺后的数据进行检测；以及第二模块，用于将检测数据与预设标准阈值进行对比，并根据对比结果自动优化下一次硅片扩散工艺参数。本发明的扩散炉工艺自诊断优化方法及装置均具有自动化程度高、提高生产效率以及产品质量等优点。
扩散炉自诊断对比结果硅片扩散检测数据扩散工艺预设标准自动优化硅片优化第一模块生产效率优化装置检测自动化

[发明专利]一种制备高方阻电池片的减压扩散工艺-CN201410489842.8有效
发明人：郭进;成文;刘文峰;汪已琳;姬常晓 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种减压扩散工艺，它包括恒温降压过程、前氧化过程、升温过程、深扩散过程、磷推进过程、后氧化处理和降温升压过程。相对于常压扩散工艺，本发明的减压扩散工艺引入扩散过程中压力这个变量，降低扩散炉管内压力，同时调节温度、时间、气流量来使扩散方块电阻均匀性更好，所制备的电池片光电转换效率更高，同时提高设备单位时间的产量与节省扩散磷源的用量
一种制备高方阻电池减压扩散工艺

[发明专利]扩散方阻的智能调控方法、系统、设备及可读存储介质-CN202111564196.3在审
发明人：晋亚铭;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种扩散方阻的智能调控方法，包括：根据预设的工艺参数运行太阳能电池扩散工艺，工艺参数包括扩散温度信息、扩散时间信息及气体流量信息；检测经太阳能电池扩散工艺扩散处理后的目标硅片的当前方阻信息；判断当前方阻信息是否在预设的方阻规格范围内；判断为是时，保持工艺参数，并根据工艺参数继续运行太阳能电池扩散工艺；判断为否时，根据当前方阻信息、预设的目标方阻信息及理论模拟模型更新工艺参数，并根据新的工艺参数运行太阳能电池扩散工艺本发明还公开了一种扩散方阻的智能调控系统、一种计算机设备及一种计算机可读存储介质。采用本发明，可实现工艺参数的自动调节，灵活性强，准确性高。
扩散智能调控方法系统设备可读存储介质

[发明专利]磷硼同步一次扩散缓变结芯片的扩散工艺-CN202011471400.2有效
发明人：汪良恩;张小明;安启跃 -专利权人：安徽安芯电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明公开了磷硼同步一次扩散缓变结芯片的扩散工艺，涉及半导体器件加工技术领域。本发明主包括装舟过程、扩散过程、扩散后清洗过程、P/N两面喷砂过程，选择合适的扩散条件，所形成的扩散后基片可满足整流芯片的全部电特性的要求。本发明通过将传统工艺磷、硼二次扩散工艺合并为磷硼同步一次扩散工艺，使得工艺流程简单，生产周期短，良品率高，反向漏电流小，器件在高低温循环使用过程中寿命长，且成本降低，相较于传统工艺，能够节约三、四天，另外，采用碳化硅粉作为硼铝纸源用的分离剂，不会对磷产生吸附作业，耐高温能力(HTRB能力)相对较高，可靠性高，在缓变结扩散工艺过程中硅片不易腐蚀。
同步一次扩散缓变结芯片工艺

[发明专利]一种用于稳压管制造的扩散工艺及其扩散设备-CN202210330077.X有效
发明人：王黎明 -专利权人：江苏晟驰微电子有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于稳压管制造的扩散工艺，包括以下工作步骤：步骤一：扩散前处理；步骤二：磷预扩处理；步骤三：背面化腐；步骤四：背面补硼；步骤五：磷主扩处理；步骤六：沟槽光刻；步骤七：电泳钝化；步骤八：金属光刻本发明通过特殊的磷预扩和主扩散工艺降低动态电阻，针对市场应用的特点，低中压选用专用合适的P型衬底新材料，使用特殊预扩和主扩散工艺降低动态电阻提升良率。
一种用于稳压制造扩散工艺及其设备

[发明专利]一种缩短扩散工艺时间增加扩散产能的方法-CN201510590350.2在审
发明人：曹江伟;张广路;杨晓琴;张财;李晗;陈园;黄明 -专利权人：江西展宇新能源股份有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种缩短扩散工艺时间增加产能的方法，属于光伏技术领域。将扩散后氧化步、推进步和冷却步的时间适当降低，适当增加扩散温度，这样缩短了扩散工艺时间，增加了扩散产能，降低了扩散成本，同时光电转换效率也没有下降。
一种缩短扩散工艺时间增加产能方法

[发明专利]一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用-CN202210297638.0有效
发明人：任勇;何悦;任海亮;郭帅;王在发;李增彪 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用。所述制备方法包括扩散工艺和链式氧化工艺；所述扩散工艺包括低温扩散和高温推进，所述链式氧化工艺包括高温链式氧化。本发明首先通过扩散工艺的优化，制备了0.15um深的低掺杂扩散浅结，同时，利用高温链式氧化的光子热激活辐射能，在扩散层表面形成一定剂量浓度的掺杂，来解决后续与银浆形成合金欧姆接触的失配问题，最终获得了较高的光电转换效率提升
一种扩散发射极太阳能电池制备方法及其应用

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