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[发明专利]一种动态迁移方法及装置-CN201710631917.5有效
发明人：来炜国 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态迁移方法及装置，其中该方法包括：确定源硬盘的源扩展区和目的硬盘的目的扩展区之间的对应关系；从第一个源扩展区开始到最后一个源扩展区结束，依次将每M个源扩展区作为当前级扩展区，将每个当前级扩展区均拆分为数量为N的子源扩展区；对于每个当前级扩展区，均从该当前级扩展区的第一个子源扩展区开始到最后一个子源扩展区结束，依次将每一个子源扩展区作为当前级子扩展区，读取当前级子扩展区对应的待迁移数据，并基于对应关系将待迁移数据写到对应的目的扩展区
一种动态迁移方法装置

[发明专利]数据渲染方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202111127017.X在审
发明人：高奋博;肖荣兰;苏妮妮;郭志伟 -专利权人：金蝶软件（中国）有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：该方法包括：获取打印模板，打印模板包含用于划分出第一扩展区域的区域关键字和位于第一扩展区域的数据关键字；根据打印模板中设置的处理参数，将数据关键字对应的表体数据分类于不同的扩展区域；扩展区域包括第一扩展区域和第二扩展区域；基于数据关键字将对应于第一扩展区域的表体数据渲染至第一扩展区域中；在渲染对应于第二扩展区域的表体数据时，复制未渲染表体数据的第一扩展区域得到第二扩展区域，并基于第二扩展区域中的数据关键字，将与第二扩展区域对应的表体数据渲染至第二扩展区域中
数据渲染方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310093055.0在审
发明人：苏奕哲 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体层在有源区形成有掺杂区，以及在终端区还形成有扩展区，掺杂区与扩展区相连。掺杂区的离子掺杂浓度大于扩展区的离子掺杂浓度。其中，扩展区包括第一扩展区和第二扩展区。在沿远离掺杂区的方向上，第一扩展区与掺杂区相连，第二扩展区与第一扩展区相连。半导体层具有远衬底的表面。在远离表面的方向上，第一扩展区具有第一厚度，第一厚度保持一致。第二扩展区具有第二厚度，第二厚度沿远离掺杂区的方向逐渐减小。通过上述方式，本申请能够简化终端区域的结构，降低设计和工艺难度，降低成本。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种图像超分辨率处理方法及装置-CN201310450691.0有效
发明人：叶昕;郭一民;刘敏;潘石柱;张兴明 -专利权人：浙江大华技术股份有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G06T5/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像超分辨率处理方法及装置，包括针对组成待处理图像的大小相同的每个图像块，确定该图像块与其周围预设范围内的像素点组成的区域，作为该图像块对应的扩展区域；分别将每个图像块对应的扩展区域作为当前扩展区域，基于当前扩展区域和每个扩展区域的亮度特征信息，从该区域集合中选择满足预设亮度相似条件的扩展区域，作为当前扩展区域的相似扩展区域；基于当前扩展区域和相似扩展区域包括的像素点的亮度值，针对当前扩展区域对应的图像块进行超分辨率处理
一种图像分辨率处理方法装置

[发明专利]视频处理方法及相关装置-CN201880036750.0在审
发明人：郑萧桢 -专利权人：深圳市大疆创新科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H04N19/597 文献下载
摘要：该方法包括获取待扩展图像，待扩展图像是由曲面图像经多面体映射之后得到的多个分区拼接而成的平面图像，多个分区共形成多个待扩展区域，每个待扩展区域包括多个分区中的至少一个分区，且每个待扩展区域中的图像内容连续；将多个待扩展区域的边界向外扩展一周，得到与多个待扩展区域一一对应的多个扩展后的区域，每个待扩展区域的每条边与相应的扩展后的区域的对应边相互平行，且每个待扩展区域与相应的扩展后的区域的形状相同；根据多个扩展后的区域拼接而成的目标图像进行预测采用均匀扩展方式对待扩展区域进行统一地扩展，可以提高预测效率，简化编码实现。
扩展区域分区扩展图像编码实现扩展方式目标图像平面图像区域拼接曲面图像视频处理图像内容相关装置多面体预测条边映射拼接平行统一

[发明专利]一种高压功率器件的阶梯结终端扩展结构-CN201811208426.0有效
发明人：王颖;黄意飞;曹菲;于成浩 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种高压功率器件的阶梯结终端扩展结构，包括二极管，所述二极管从下至上依次设有阴极、浓度N型掺杂SiC衬底、低浓度N型掺杂SiC外延层、高浓度P型掺杂SiC欧姆接触区、P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区、阳极和氧化层，所述P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区由高浓度结终端扩展区和低浓度结终端扩展区组成，所述高浓度结终端扩展区和低浓度结终端扩展区均为阶梯型；本发明提出通过结终端扩展结构中一个具有阶梯型的双区结终端扩展区，在工艺不变的情况下提高了双区P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区结构的稳定性，使得本发明的结构耐压能力好，同时能够容忍更高浓度的结终端扩展区。
一种高压功率器件阶梯终端扩展结构

[发明专利]电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法-CN03142614.X有效
发明人：刘文安;刘金华;黄如;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-06-03 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种感应源漏扩展区MOS晶体管结构及其制备方法。该结构采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极；感应源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时沟道区利用倒置多晶硅侧墙形成；栅电极和倒置多晶硅侧墙之间有二氧化硅隔离层；栅极和倒置多晶硅侧墙下面均有氧化层；沟道区和感应源漏扩展区独立掺杂。采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极，解决了缩短电学感应源漏扩展区长度的困难；采用沟道区和感应源漏扩展区独立掺杂，实现了沟道区和感应源漏扩展区各自阈值电压的优化。其制备是利用倒置多晶硅侧墙图形转移实现沟道区和利用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅电极实现电学感应源漏扩展区，从而最终实现MOS器件。
电学感应扩展 mos 晶体管及其制作方法

[发明专利]空间高效的高压终端及其制造工艺-CN201980096746.8在审
发明人： A·格恩德伦-汉森;D·丝助拉 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件的高压终端，该高压终端包括：衬底；注入器件区；浅沟槽，该浅沟槽与该注入器件区相邻；和掺杂扩展区，该掺杂扩展区位于该注入器件区与该浅沟槽的与该注入器件区相邻的第一边缘之间。在该浅沟槽中形成结终端扩展区，该结终端扩展区接触该扩展区并延伸经过该浅沟槽的与该注入器件区相对的第二边缘。在该扩展区的至少一部分上和该结终端扩展区上形成绝缘层。在该绝缘层上形成金属层。
空间高效高压终端及其制造工艺

[发明专利]基于扩展区的存储架构-CN201280021084.6有效
发明人：里卡德·E·费丝;苏布拉马尼亚姆·佩里亚甘拉姆;桑迪普·亚达夫;阿希什·普拉卡什;布莱克·刘易斯;杰夫·基梅尔;史蒂夫·丹尼尔 -专利权人：美国网域存储技术有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：基于扩展区的存储架构由存储服务器实施，所述存储服务器从客户端接收对扩展区的读取请求，其中所述扩展区包含邻接块的群组且所述读取请求包含文件块编号。所述存储服务器从第一经分类数据结构检索扩展区识别符，其中所述存储服务器使用所述所接收文件块编号来遍历所述第一经分类数据结构直到所述扩展区识别符。所述存储服务器从第二经分类数据结构检索对所述扩展区的参考，其中所述存储服务器使用所述所检索扩展区识别符来遍历所述第二经分类数据结构直到所述参考，且其中所述第二经分类数据结构跨越多个卷为全局的。所述存储服务器使用所述参考从存储装置检索所述扩展区并将所述扩展区返回到所述客户端。
基于扩展存储架构

[实用新型]一种高散热的多芯片封装引线框架-CN202221256995.4有效
发明人：郭俊;贾军;黄关君 -专利权人：东科半导体（安徽）股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：第一载体包括第一基岛、第一扩展区；第二载体包括第二基岛、第二扩展区；第一扩展区及第二扩展区用于与外部电路连通；第一基岛与第二基岛相邻设置，第一扩展区沿第一基岛远离第二基岛的一侧向外延伸；第二扩展区沿第二基岛远离第一基岛的一侧向外延伸；第一扩展区的长度不小于第一基岛的长度，且不大于塑封体的长度；第二扩展区的长度不小于第二基岛的长度，且不大于塑封体的长度；第一扩展区及第二扩展区的厚度均等于塑封体的厚度。
一种散热芯片封装引线框架

[发明专利]存储设备的扩展地址空间-CN202211289621.7在审
发明人：代亮亮;高鹏;汤峰 -专利权人：上海忆芯实业有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：提供了存储设备的扩展地址空间。提供的访问存储设备的扩展地址空间的方法，包括：获取访问扩展地址空间的写扩展区命令；将写扩展区命令对应的数据写入第一物理地址；根据写扩展区命令生成写镜像区命令；将写镜像区命令对应的数据写入第二物理地址；以及指示写扩展区命令处理完成
存储设备扩展地址空间

[发明专利]存储设备的扩展地址空间-CN201811074911.3有效
发明人：代亮亮;高鹏;汤峰 -专利权人：上海忆芯实业有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：提供了存储设备的扩展地址空间。提供的访问存储设备的扩展地址空间的方法，包括：获取访问扩展地址空间的写扩展区命令；将写扩展区命令对应的数据写入第一物理地址；根据写扩展区命令生成写镜像区命令；将写镜像区命令对应的数据写入第二物理地址；以及指示写扩展区命令处理完成
存储设备扩展地址空间

[发明专利]游泳眼镜-CN02108084.4有效
发明人：川岛春雄;深泽俊二 -专利权人：田畑股份有限公司
申请日： 2002-01-10 - 公布日： 2002-10-09 - 主分类号： A63B33/00 文献下载
摘要：每一个透镜部件2在其周壁12上具有分别有通孔26,27的后扩展区21,24以及一个位于这些后扩展区21,24前面的前扩展区,以便覆盖通孔26,27。弹性材料32填入通孔26,27和后扩展区21,24和前扩展区之间的空间,并覆盖通孔26,27附近的后扩展区21,24。
游泳眼镜

[实用新型]一种可灵活扩展容量的存储卡-CN202021428502.1有效
发明人：刘纯彬 -专利权人：深圳市益友创新科技有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H04M1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可灵活扩展容量的存储卡，包括手机壳、手机扩展区和摄像头口，摄像头口设置在手机壳中上部，手机扩展区内包括有IC芯片、与手机电源数据线插口位置对应且可以相接的插接公头、与插接公头线连接的位于手机扩展区侧边的插接母头以及位于手机扩展区侧边的第一手机内存卡座和第二手机内存卡座，手机扩展区内设置有声放孔和两侧的通孔和固定孔，手机壳底部设置有螺纹孔，固定孔和螺纹孔对应设置，并通过螺杆对手机壳和手机扩展区进行固定。本实用新型设置有手机扩展区，在手机扩展区设置有装放不同容量的第一手机内存卡座和第二手机内存卡座，增加容量，方便切换。
一种灵活扩展容量存储

[实用新型]一种控制模块可扩展的控制箱-CN201921829270.8有效
发明人：蔡磊;吴奇旦;于翔;李金辉 -专利权人：无锡爱德为科技有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H05K7/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种控制模块可扩展的控制箱，属于滤波器调试机的技术领域，旨在提供一种便于扩展更多电机模块的控制箱，其技术方案要点是包括箱体和铰接在箱体上的箱门，所述箱体内设有安装支架，所述安装支架上设有主控模块区、开关电源区和控制模块扩展区，所述控制模块扩展区包括基础扩展区和叠合在基础扩展区上的衍生扩展区，所述基础扩展区包括设置在箱体内壁的基础扩展底板和环绕基础扩展底板设置的基础扩展框架，所述衍生扩展底板和衍生扩展框架可拆卸地安装在基础扩展框架上通过扩展框架的设置，能够起到对控制箱的区域充分利用，不需要再增设主控模块和开关电源，从而降低生产成本的效果。
一种控制模块扩展控制箱

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