专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]果实和种子形成过程的教学模型-CN201720041984.7有效
  • 石羽成;檀霞 - 石羽成;檀霞;北海市第五中学
  • 2017-01-14 - 2017-09-12 - G09B23/38
  • 本实用新型公开的是果实和种子形成过程的教学模型,包括底板及模型,底板上设置有模型凹槽,包括花蕾模型凹槽、花模型凹槽、花瓣凋落模型凹槽、雄蕊凋落模型凹槽、柱头凋落模型凹槽、果实形成模型凹槽、果实成长模型凹槽和果实成熟模型凹槽,所述模型包括花蕾模型、花模型、花瓣凋落模型、雄蕊凋落模型、柱头凋落模型、果实形成模型、果实成长模型及果实成熟模型模型通过贴粘搭扣而固定在相对应的模型凹槽内,成为完整的教学模型
  • 果实种子形成过程教学模型
  • [发明专利]人性行为模型分析自画系统-CN201911144662.5在审
  • 何国玉;梁淑仪;刘蕾;肖伟;邹关健 - 北京中人网信息咨询股份有限公司
  • 2019-11-20 - 2020-08-04 - G06Q50/00
  • 本发明公开了人性行为模型分析自画系统,包括:自画像,个人性格判断,分析画像模型;行为事件,对个人行为事件和经历行为作出判断;多面印象,帮助性画像并且利用外界人员进行打标签;语文分析,与外界沟通记录,通过言语和文字沟通技术分析;上述分析后通过模型分析得到个人画像和分析个人成长建议。本发明便于认识自己,全方位了解自己灵性、感性、理性、天性特质,记录成长轨迹;觉察自我,随时觉察及释放情绪能量,以快速回归平和的能量状态;激发自我,在爱里成长,在奉献的过程中激发高维能量;成就他人,基于懂得
  • 人性行为模型分析系统
  • [发明专利]一种科技租赁信用风险计量方法及系统-CN202110640395.1在审
  • 何融峰;王丽丽;黄泽淼;王珏 - 中关村科技租赁股份有限公司
  • 2021-06-09 - 2021-08-27 - G06Q40/02
  • 本发明公开了一种科技租赁信用风险计量方法及系统,该方法包括:获取客户及项目基本信息和评级数据,并将评级数据输入预先配置的评级模型进行评级计算,确定评级结果,所述评级模型包括主体成长性评级模型、资产信用评级模型、增信措施评级模型、债项安全性评级模型;将客户主体、租赁物及项目的基本信息与对应的评级数据及评级结果进行对应,以报告形式进行输出展示。本发明能够对处于不同成长阶段的科技与新经济中小企业的主体成长性和债项安全性进行客观、及时、准确地计量,提高科技租赁公司的风险管控效率和质量,且以数据和图表结合的方式展示评级结果和评级指标明细,使得评级结果更加直观可视化
  • 一种科技租赁信用风险计量方法系统
  • [发明专利]信息推送方法及装置、存储介质、终端-CN202110443192.3在审
  • 谷俊;江明;李永智 - 上海市教育人才交流服务中心;上海柏观数据科技有限公司
  • 2021-04-23 - 2022-10-25 - G06F16/9535
  • 一种信息推送方法及装置、存储介质、终端,所述方法包括:按照第一预设时间步长采集目标数据集,所述目标数据集包括备选用户的文献数据;根据所述文献数据计算所述备选用户的特征数据,将所述备选用户的特征数据输入训练后的网络模型,以得到所述备选用户的评价值;计算确定本次采集时所述备选用户的评价值随时间的变化率,以得到本次采集时所述备选用户的成长指数;根据本次采集时所述备选用户的成长指数进行信息推送。本发明的方案中,将特征数据输入训练后的网络模型中得到各个备选用户的评价值,根据评价结果计算成长指数,并根据各个备选用户的成长指数进行信息推送,能够提高信息推送的准确性。
  • 信息推送方法装置存储介质终端
  • [发明专利]一种LED外延结构生长方法-CN201811180931.9有效
  • 郭丽彬;周长健;程斌;唐军 - 合肥彩虹蓝光科技有限公司
  • 2018-10-09 - 2020-06-23 - H01L33/00
  • 本发明提供一种LED外延结构生长方法,应用于半导体器件技术领域,所述方法至少包括:提供一衬底;在所述衬底上生长岛状成长层;在所述岛状成长层上,采用氮气:氢气:氨气配比为氮气的流量为0,通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比,压力在100‑600torr,转速在500‑1200之间,生长二维成长层;在所述二维成长层上,成长采用氮气:氢气:氨气配比为氮气的流量为0,通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比,压力在100
  • 一种led外延结构生长方法

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