专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]SRAM电路及使用SRAM电路的缓冲电路-CN200580052431.1有效
  • 金成克直 - 富士通株式会社
  • 2005-12-27 - 2009-01-14 - G11C11/41
  • 其具有:分别由一对存储部构成的多个存储单元;指定所述多个存储单元的行的多个写入字线;指定所述多个存储单元的行的多个读取字线对;在写入到所述一对存储部时,在所述一对存储部中驱动共同的所述写入字线的写入行解码器;从所述存储部读取时,驱动与所述存储部连接的所述读取字线的读取行解码器;多个写入位线对,在写入到所述一对存储部时,其指定所述一对存储部,并将各个输入数据写入通过与所述写入字线共同指定的所述一对存储部的双方
  • sram电路使用缓冲

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