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[发明专利]可擦写存储器及其制造方法-CN202111525709.X在审
发明人：朱宝;尹睿;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明提供了一种可擦写存储器，包括衬底、阻挡层、第一异质结、第二异质结、隧穿层、沟道层、源极和漏极，所述阻挡层设置于所述衬底的顶面；第一异质结和第二异质结具有单向导通电荷特性，第一异质结和第二异质结分别用于可擦写存储器的数据写入操作和数据擦除操作；隧穿层包括水平部和竖直部，竖直部用于隔断第一异质结和第二异质结，以避免第一异质结和第二异质结的横向电荷导通；沟道层用于电荷的迁移。采用两个异质结分别作为可擦写存储器的数据写入和数据擦除通道，使得可擦写存储器的数据写入和数据擦除更加稳定和对称，提高了数据擦除和数据写入速度，降低了动态功耗。本发明还提供了一种所述可擦写存储器的制作方法。
擦写存储器及其制造方法

[发明专利]一种异质结电池制备方法-CN202010293089.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括分别设置于所述异质结电池正面和/或背面的导电薄膜层，所述制备方法包括在所述异质结电池正面和/或背面的设定区域内通过喷墨工艺方法去除所述设定区域内的导电薄膜层该异质结电池制备方法通过在激光切割位置或异质结电池的边缘位置通过喷墨工艺方法去除该激光切割位置和边缘位置的导电薄膜层，可避免在激光切割过程中导电薄膜层掺杂到异质结电池内部，降低异质结电池的钝化性能，并影响异质结电池的效率；同时通过该喷墨工艺方法可达到对异质结电池边绝缘的目的，可降低边绝缘区域0.25~0.5mm，达到提升异质结电池效率的目的。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池片的制造方法及异质结太阳能电池片-CN202110169676.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池片的制造方法和异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池片的制造方法包括以下步骤：形成初始异质结太阳能电池片；分割初始异质结太阳能电池片，使得初始异质结太阳能电池片形成若干异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片具有分割面；分割初始异质结太阳能电池片的步骤包括本发明提供的异质结太阳能电池片的制造方法可提高异质结太阳能电池片的光电转化效率。
异质结太阳能电池制造方法

[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法-CN202111237278.7在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法，硅异质结电池组包括多个串联的硅异质结电池，硅异质结电池包括硅异质结主体、设置于硅异质结主体上表面和设置于硅异质结主体下表面的导电图形，硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连。本方发明实施例的硅异质结电池组可提高组件良率，还最大限度地提高了焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
具有电极贯穿硅异质结电池组及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201210458371.5有效
发明人：胜野高志;树神雅人;市川正;石井荣子 -专利权人：株式会社丰田中央研究所
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：在半导体装置（1）中，漏极（21）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电连接，源极（29）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电绝缘且构成为可与形成于第二异质结面（34）的二维电子气层电连接，栅极部（28）与第二异质结面（34）相向，导通电极（25）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层及形成于第二异质结面（34）的二维电子气层这两者电连接。形成于第一异质结面（32）的二维电子气层的电子浓度比形成于第二异质结面（34）的二维电子气层的电子浓度大。
半导体装置

[发明专利]一种异质结、铁电隧道结及其制备方法和应用-CN201310258989.1有效
发明人：杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
一种异质结隧道及其制备方法应用

[发明专利]一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用-CN202011003961.X有效
发明人：王琦;徐际宇;刘昊;袁学光;柴昭尔;刘凯;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用，结构包括：微管式半导体二维材料三维异质结、内壁电极、外壁电极和衬底；内壁电极只与微管式三维异质结的内壁材料形成电接触；外壁电极只与微管式三维异质结的外壁材料形成电接触；内壁电极和外壁电极均与衬底绝缘；微管式半导体二维材料三维异质结为由处于衬底上的半导体二维材料平面异质结自卷曲形成的管状三维异质结。本发明解决了管状三维异质结器件无法制备的问题，工艺简单，可同时实现微管式三维异质结的制备和外壁材料与外壁电极间的电接触，还保证电流只沿径向通过微管式三维异质结而不通过平面异质结，可广泛用于光电探测、光伏
一种微管三维异质结器件结构及其制备方法应用

[发明专利]发光器件及其显示屏-CN201810168994.6在审
发明人：王建太;邢汝博;杨小龙;刘会敏;孙萍;韦冬 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件及其显示屏，该发光器件包括阴极层、量子点发光层和阳极层，所述发光器件还包括第一异质结层；其中，所述第一异质结层设置在所述阴极层和所述量子点发光层之间，所述第一异质结层至少包括能够构成异质结的第一材料和第二材料上述发光器件和显示屏，由于第一材料和第二材料可形成异质结，如此可在异质结的界面处产生大量的高浓度的自由载流子，如此可提高电子迁移率，不仅解决载流子中空穴和电子的传输不平衡问题，以提升发光器件和显示屏的发光效率和寿命
发光器件显示屏异质结层异质结第二材料第一材料发光层量子点阴极层载流子电子迁移率自由载流子发光效率界面处阳极层中空穴传输

[发明专利]一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法-CN202310520932.8在审
发明人：高峻峰;张艳雪;常远 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：本发明属于光催化和太阳能电池技术领域，具体涉及一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法。本发明提供的预测方法，采用理论模拟的方法构建环境气体分子插层范德华异质结模型、对分子插层异质结稳定构型结构优化和能量统计，筛选得到基态环境气体分子插层范德华异质结模型后；相较于未插层的范德华异质结超胞模型，对基态环境气体分子插层范德华异质结模型进行电子性质的评估、载流子动力学分析和非绝热耦合平均值分析，能够准确简便的预测不同环境气体分子对范德华异质结光电转化性质的影响。本发明提供的预测方法具有简单，可推广的优点，适用于整个TMDC异质结家族。
一种环境气体分子调节范德华异质结光电转化性质预测方法

[发明专利]异质结及其制备方法-CN202010842090.4在审
发明人：曹立新;王瑞;黄忠学;杨鑫;陈浩锋 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结，该异质结由外延的磁性半导体薄膜与外延的超导体薄膜构成。本发明还提供一种制备本发明的异质结的方法。本发明的异质结通过同构异质外延制备了具有近乎完美、稳定可重复的安德烈夫界面，在测量磁性半导体的自旋极化率、获得完全自旋极化的自旋流等方面具有应用潜力。
异质结及其制备方法

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池-CN201621054544.7有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。另外，TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本实用新型所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。
一种晶体硅异质结太阳电池

[发明专利]钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统-CN202010762388.4在审
发明人：刘祖辉;陈龙;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池及其制备方法和太阳能系统，其中，钙钛矿/硅异质结双面叠层太阳能电池的结构包括硅异质结层、顶钙钛矿层、底钙钛矿层，其中，所述顶钙钛矿层通过第一复合连接层形成在所述硅异质结层的正面，所述底钙钛矿层通过第二复合连接层形成在所述硅异质结层的背面。由于钙钛矿层材料较异质结材料成本较低，在同一硅异质结上设置上下两层钙钛矿层，可减少硅异质结的使用，降低硅片衬底的浪费，充分利用了异质结高开路电压、温度系数低、效率高的优势，同时双面叠层，也可以充分利用了太阳光
钙钛矿硅异质结双面太阳能电池及其制备方法太阳能系统

[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法-CN202010523672.6在审
发明人：陶科;姜帅;贾锐;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法，异质结背接触太阳能电池包括但不限于半导体衬底、第一钝化层及异质结。第一钝化层形成于半导体衬底的背表面上，异质结可形成于第一钝化层背面，异质结包括N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层结构。该异质结背接触太阳能电池的形成方法包括：在半导体衬底的背表面上形成异质结，异质结包括依次形成的N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，其中，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层。本发明能够在不降低电池效率的前提下有效降低异质结背接触太阳能电池的生产成本，而且本发明光能转换效率比较高。
一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法

[发明专利]一种晶体硅异质结太阳电池-CN201610822295.X有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为：前电极、TiO_x层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiO_x与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。另外，TiO_x可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本发明所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。
一种晶体硅异质结太阳电池

[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法-CN202111226933.9在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法，硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形；硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料；设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连；设置于硅异质结主体下表面的导电图形，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。电池上表面栅线收集的电流经电极贯穿孔汇集并引导到电池下表面的导电图形，相邻的电池之间使用焊带将电池下表面的导电图形与相邻的电池下表面的栅线相连，提高组件良率和可靠性，可最大限度地提高焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性
具有电极贯穿硅异质结电池及其制备方法

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