专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体制造方法-CN201310215646.7有效
  • 殷华湘;罗军;陈率;朱慧珑 - 中国科学院微电子研究所
  • 2013-05-31 - 2018-11-06 - H01L21/336
  • 本发明提供了一种FinFET制造方法,在形成具有不同高度顶面的假栅极层之后,形成完全覆盖假栅极层的介质层,通过对介质层进行回刻蚀,暴露出具有较高顶面的部分假栅极层,并通过暴露出的顶面对该部分假栅极层进行各向异性干刻蚀,由于各项异性干刻蚀的刻蚀速率容易控制,可以使该部分假栅极层的顶面下降至与较低顶面的部分假栅极层水平,从而能够在去除介质层后获得具有平坦表面的假栅极层,有利于后续工艺的进行并保证了器件良率。
  • 半导体制造方法

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