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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]鞋层底部防刺穿结构-CN200420071938.4无效
发明人：黄宗仁;林升一 -专利权人：黄宗仁;林升一
申请日： 2004-07-27 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： A43B13/12 文献下载
摘要：本实用新型是一种鞋层底部防刺穿结构，包括数层交互热压迫紧形成的纤维织布层及橡胶层，其中，该纤维织布层的材质是为一种高结晶聚合体纤维，其具有高度的抗剪断力及抗张应力，且该纤维布层是以紧密的井字交错编织作为其编织方式，使其强化受到尖锐物穿刺作用时所产生的阻穿作用；而其与该橡胶层是以热压迫紧的方式作接合，藉以强化该复合层的防刺穿功能，如此以数层交互合并与鞋子搭配使用后，达到其最佳的防刺穿效果。
底部刺穿结构

[实用新型]底部设有防滑层的复合毛毯-CN202220710759.9有效
发明人：何文健;张红雨 -专利权人：苏州创越纺织品有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： A47G27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了底部设有防滑层的复合毛毯，包括上毯体和下毯体，上毯体设置于下毯体的顶端，且上毯体与下毯体之间呈矩形阵列设置有四个固定组件，固定组件包括魔术贴毛面块和魔术贴勾面块，魔术贴毛面块固定设置于上毯体的底端
底部设有防滑复合毛毯

[发明专利]底部抗反射层及其制备方法-CN202111631925.2在审
发明人：顾大公;陈鹏;夏力;马潇;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明适用于光刻胶技术领域，提供了一种底部抗反射层及其制备方法，该方法以下步骤：将第一吸光薄膜溶液旋涂在硅片上，以形成底部抗反射层的第一吸光薄膜层；在所述第一吸光薄膜层上旋涂抗反射薄膜溶液，以形成底部抗反射层的抗反射薄膜层；在所述抗反射薄膜层上旋涂第二吸光薄膜溶液，以形成底部抗反射层的第二吸光薄膜层。本发明通过上述方法在所述第一吸光薄膜层与所述第二吸光薄膜层之间增加了抗反射薄膜层，进一步提高了光刻胶底部界面的抗反射能力，从而使得底部抗反射层能较好的吸收多余的、到达光刻胶薄膜底部的曝光光线，避免或减少反射
底部反射层及其制备方法

[发明专利]增加沟槽底部氧化层厚度的方法-CN202310821468.6在审
发明人：王友伟;徐雷军;王成森;刘启星 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种增加沟槽底部氧化层厚度的方法，涉及半导体技术领域。增加沟槽底部氧化层厚度的方法包括：S1：在硅片上刻蚀出硅沟槽；S2：在硅片上以及硅沟槽内生长缓冲氧化层；S3：在缓冲氧化层上生长第一多晶硅淀积层、并掺杂；S4：刻蚀缓冲氧化层上的第一多晶硅淀积层；S5：在第一多晶硅淀积层上生长低温氧化层。增加沟槽底部氧化层厚度的方法利用掺杂多晶硅氧化速度比单晶硅氧化速度快的特性，在硅沟槽的底部保留适量的掺杂多晶硅，再经过氧化后硅沟槽底部形成的低温氧化层会明显比硅沟槽侧壁的低温氧化层厚，可以有效提高硅沟槽底部的低温氧化层的厚度，提高沟槽产品底部氧化层的厚度和质量。
增加沟槽底部氧化厚度方法

[发明专利]底部防反射层形成方法-CN201410014457.8有效
发明人：邹永祥;王鹢奇;杨晓松;王跃刚;易旭东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种底部防反射层(BARC)形成方法，向晶圆中心滴BARC后仅旋转晶圆3～8秒，此过程时间较短BARC还未固化，随后向晶圆边缘滴洗边液，并旋转晶圆13～18秒，使BARC厚度均匀，同时由于洗边时
底部反射层形成方法

[实用新型]陶瓷制品底部釉层擦除装置-CN201520818431.9有效
发明人：薛维宏 -专利权人：潮州市宏粤陶瓷制作有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C04B41/86 文献下载
摘要：一种陶瓷制品底部釉层擦除装置，包括支撑台、左右两条紧挨并排布置的循环传送带，两条循环传送带的上半部分压在支撑台上方；两循环传送带的前端分别设有前传送辊筒，两循环传送带的后端分别设有后传送辊筒；在每条循环传送带的外表面黏贴有海绵层；在循环传送带下方设有水槽，循环传送带的下半部分浸在水槽中，还设有将循环传动带的海绵层挤压的压辊，压辊贴靠着其中两条循环传送带的后传送辊筒；还设有驱动前传送辊筒差速转动的驱动机构。本实用新型不但可以节省人工，而且擦釉过程中确保正常部位的釉层不被损坏。
陶瓷制品底部擦除装置

[发明专利]去除接触窗底部自然氧化层的方法-CN201310323635.0在审
发明人：林艺辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种去除接触窗底部自然氧化层的方法，至少包括以下步骤：提供一Si衬底，所述Si衬底上形成有具有侧壁层的栅极；然后形成二氧化硅层间介质层，并在所述具有侧壁层的栅极两侧的源极和漏极上方的二氧化硅层间介质层中形成接触窗；采用Ar等离子体去除所述接触窗底部的部分自然氧化层，接着采用SiCoNi法去除所述接触窗底部剩余的自然氧化层。本发明采用Ar等离子与SiCoNi法相结合对接触窗底部的自然氧化层进行处理，处理时间都较短，不会对衬底形成损伤，且降低了接触窗侧壁的氧化物损失，同时有效去除了接触窗底部的自然氧化层，为下一步金属硅化物的形成提供了良好的铺垫
去除接触底部自然氧化方法

[发明专利]一种水库底部淤泥层取样装置-CN202110893739.X在审
发明人：朱丽 -专利权人：朱丽
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种水库底部淤泥层取样装置，涉及水利工程领域。该水库底部淤泥层取样装置，包括固定底板，固定底板上侧固定连接有连接板，固定底板上侧固定连接有中心轴，中心轴上端固定连接有配重连块，中心轴外表面转动连接有拨动爪，配重连块相互靠近的一侧固定连接有四面轴，四面轴四轴表面转动连接有直齿轮该水库底部淤泥层取样装置，通过滑条和直齿轮交叉连接，使装置能够在同一区域反复取样，通过直齿轮和滑条啮合，使取样钵能够始终位于水面下方进行连续取样，达到了连续并且持续取样的效果，解决了同一位置连续取样的问题
一种水库底部淤泥取样装置

[发明专利]叠层底部抗反射结构及刻蚀方法-CN200810205382.6有效
发明人：韩秋华;舒强 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及叠层底部抗反射结构及刻蚀方法。其中，叠层底部抗反射结构，包括有机底部抗反射层和其上的第一层含硅底部抗反射层，所述第一层含硅底部抗反射层之上还设有氧化硅层。与现有技术相比，本发明在含硅底部抗反射层之上还设有氧化硅层，可以保护含硅底部抗反射层在刻蚀其下的有机底部抗反射层时不受损伤，从而保持图形转移的精确性。
底部反射结构刻蚀方法

[发明专利]叠层器件的低应力底部填充方法-CN200910064767.X有效
发明人：曹光明;耿东峰;蒲季春;苏宏毅;王海珍;徐淑丽;张向锋 -专利权人：中国空空导弹研究院
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层器件的低应力底部填充方法，包括以下步骤：(1)环氧胶的选取；(2)消除环氧胶混合时产生的气泡；(3)对叠层器件进行施胶；(4)环氧胶的固化，分两阶段：a)环氧胶的硬化成型阶段；b)环氧胶的强化固化阶段本发明的方法使叠层器件的层层之间有很高的粘附力和力学强度；胶层中不会有工艺残余应力。本发明的方法广泛应用于叠层形式的多芯片封装，倒焊互连器件的封装，微机电系统MEMS器件封装及液晶盒封装等方面，降低叠层器件填充环氧胶的固化残余应力，保证力学强度，将应力可能造成的破环降至最小，从而提高叠层器件的热力学可靠性
器件应力底部填充方法

[发明专利]底部架空层集中耗能式抗震建筑-CN201510377975.0有效
发明人：王昌兴;王东方 -专利权人：北京清华同衡规划设计研究院有限公司;王昌兴
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： E04H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种底部架空层集中耗能式抗震建筑，底部架空层集中耗能式抗震建筑包括建筑本体，建筑本体的最底层为架空层；竖向承载构件，竖向承载构件设在架空层且支撑在架空层的上层竖向构件和下部结构之间，竖向承载构件与上层竖向构件之间设有上过渡部，竖向承载构件与下部结构之间设有下过渡部；水平耗能构件，水平耗能构件与竖向承载构件相对独立，水平耗能构件设在架空层，水平耗能构件分别与上过渡部和下过渡部相连或分别与上过渡部和设在架空层的钢筋混凝土反力墙相连根据本发明实施例的底部架空层集中耗能式抗震建筑能够在震中保证建筑上部结构的安全，且震后更换维修方便、施工容易、费用低。
底部架空集中耗能抗震建筑

[发明专利]在沟槽底部制作厚氧化层的方法-CN200910057152.4无效
发明人：彭虎;谢烜;杨欣 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种在沟槽底部制作厚氧化层的方法，所述沟槽在硅片上，所述硅片表面无沟槽的区域覆盖有掩膜层；所述方法包含以下步骤：第1步，在硅片表面生长或淀积一层介质层；第2步，采用各向异性刻蚀工艺反刻去除沟槽底部的介质层，保留沟槽侧壁的介质层；第3步，采用离子注入工艺在沟槽底部注入氧离子；第4步，采用干法刻蚀工艺和/或湿法腐蚀工艺去除沟槽侧壁和硅片表面的介质层；第5步，采用退火工艺对硅片进行退火，在沟槽底部形成厚度的厚氧化层
沟槽底部制作氧化方法

[发明专利]有机底部抗反射涂布层的蚀刻方法-CN02103423.0无效
发明人：梁明中 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-02-05 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：一种有机底部抗反射涂布层的蚀刻方法，是依序在基底上形成材质层、有机底部抗反射涂布层与光阻图案后，使用至少包括部分取代氟烷气体的等离子体蚀刻气体对有机底部抗反射涂布层进行蚀刻。其中，部分取代氟烷气体蚀刻有机底部抗反射涂布层，并且于光阻图案侧壁形成氟烷聚合物以防止光阻图案的侧壁被蚀刻。
有机底部反射涂布层蚀刻方法

[实用新型]底部架空层集中耗能式抗震建筑-CN201520465376.X有效
发明人：王昌兴;王东方 -专利权人：北京清华同衡规划设计研究院有限公司;王昌兴
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： E04H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种底部架空层集中耗能式抗震建筑，底部架空层集中耗能式抗震建筑包括：建筑本体，建筑本体的最底层为架空层；竖向承载构件，竖向承载构件设在架空层且支撑在架空层的上层竖向构件和下部结构之间，竖向承载构件与上层竖向构件之间设有上过渡部，竖向承载构件与下部结构之间设有下过渡部；水平耗能构件，水平耗能构件与竖向承载构件相对独立，水平耗能构件设在架空层，水平耗能构件分别与上过渡部和下过渡部相连或分别与上过渡部和设在架空层的钢筋混凝土反力墙相连根据本实用新型实施例的底部架空层集中耗能式抗震建筑能够在震中保证建筑上部结构的安全，且震后更换维修方便、施工容易、费用低。
底部架空集中耗能抗震建筑

[实用新型]一种河道底部泥层测量装置-CN202020316831.0有效
发明人：孙英 -专利权人：孙英
申请日： 2020-03-15 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及河道底部泥层测量技术领域，公开了一种河道底部泥层测量装置，包括测量杆，所述测量杆的外侧设置有刻度线，且测量杆的顶端连接有限位螺杆，所述测量杆的底端开设有测量杆开口，所述测量杆的顶端靠近限位螺杆的位置开设有限位螺孔本实用新型通过限位弹簧、活动套环、限位夹板、挡泥板和连接环，可以通过观察活动套环所停留的位置与测量杆底端之间的距离来计算出泥层的厚度，通过该种方式测量泥层深度，精准度高且可以避免在将测量杆抽出泥层时，水将泥土留在测量杆上的痕迹清洗掉而无法测量泥层深度
一种河道底部测量装置

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