专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种耐温石英坩埚及其生产方法-CN202310387646.9在审
  • 徐晓军;季军;舒晓峰;钱海炳 - 江阴龙源石英制品有限公司
  • 2023-04-12 - 2023-07-04 - C03B20/00
  • 本发明公开了一种耐温石英坩埚,为掺杂处理的高纯石英砂经旋转塑模法电弧熔融制得,掺杂处理的原料高纯石英砂纯度为99.998%以上,掺杂元素包括钡和钽;以掺杂处理后的高纯石英砂总质量为100%计,钡的掺杂量为该耐温石英坩埚的高纯石英砂同时掺杂15~45ppm的钡以及10~32ppm的钽,以掺杂处理的高纯石英砂为原料,经旋转塑模法电弧熔融制得的石英坩埚除具有良好的抗析晶性能外,还能提高石英坩埚材质的耐温点,在加热熔融坩埚内的复投硅原料时降低坩埚的变形量,利于延长石英坩埚的使用寿命,满足复投拉晶的生产要求。本发明还公开了一种耐温石英坩埚的生产方法。
  • 一种耐温石英坩埚及其生产方法
  • [发明专利]一种大尺寸石英坩埚及其制备方法-CN202310423397.4在审
  • 张国忠;高文送;汪涵;朱海江;李国洪;朱燕亚 - 无锡市尚领石英科技有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-09-01 - C04B35/14
  • 本发明涉及坩埚制备技术领域,具体为一种大尺寸石英坩埚及其制备方法。本发明首先采用电弧法制备出初始石英坩埚,然后在初始石英坩埚表面制备多相涂层,该多相涂层依次为Si3N4陶瓷涂层和ZrB与现有技术相比,本发明在石英坩埚表面制备得到的多相涂层与坩埚结合力较强,可在表面形成致密的保护层;另外将该多相涂层涂覆在坩埚表面,可有效提升坩埚的耐高温性能。石英坩埚是制备单晶硅的关键性基础材料,硅料通常需要在石英坩埚内高温反应十几个小时从而制备出单晶硅,因此该发明制备出的具有多相涂层的石英坩埚能够有效防止石英坩埚和硅料相互侵蚀,将杂质引入硅单晶中影响单晶硅的质量
  • 一种尺寸石英坩埚及其制备方法
  • [实用新型]复合式晶体生长装置-CN202221607752.0有效
  • 赖维明;喻彬;陈丽英 - 成都东骏激光股份有限公司
  • 2022-06-21 - 2022-10-21 - C30B29/30
  • 本申请提供一种复合式晶体生长装置,涉及半导体领域,包括铂金坩埚、耐高温包覆层、烧结砖层、烧结板和石英坩埚,铂金坩埚嵌设于石英坩埚内且二者同轴设置;烧结板设于铂金坩埚的底部与石英坩埚的底部之间;耐高温包覆层贴合于铂金坩埚外,烧结砖层贴合于耐高温包覆层外,烧结砖层与石英坩埚之间设有保温填充层。能够提高铂金坩埚的抗形变能力,铂金坩埚运行过程中不易产生形变,降低漏锅风险。
  • 复合晶体生长装置
  • [发明专利]一种钨钼筒对石英坩埚的容积调节结构-CN201310032198.7有效
  • 奕雪春 - 奕雪春
  • 2013-01-18 - 2013-04-24 - C30B35/00
  • 一种钨钼筒对石英坩埚的容积调节结构,涉及人工晶体领域,石英坩埚(5)的坩埚上沿(3)设有环绕的环状凹槽(4);或石英坩埚内的腔体(2)上部设有扩径段(7),所述扩径段与石英坩埚的下部腔体之间形成台阶(6);钨或钼筒(1)的下端插在坩埚上沿(3)设置的环状凹槽内,所述钨或钼筒的下端与环状凹槽吻配;或钨或钼筒的下端插在石英坩埚内腔体扩径段下部腔体的台阶上,钨或钼筒的下端外壁与扩径段吻配;本发明通过在石英坩埚上添加钨或钼材质的筒,利用钨或钼的耐久性以及耐高温特性,使得石英坩埚的高度降低,有效减少了石英的使用量,大幅度的降低了使用成本。
  • 一种钨钼筒石英坩埚容积调节结构
  • [实用新型]一种钨钼筒对石英坩埚的容积调节结构-CN201320046199.2有效
  • 奕雪春 - 奕雪春
  • 2013-01-18 - 2013-07-10 - C30B35/00
  • 一种钨钼筒对石英坩埚的容积调节结构,涉及人工晶体领域,石英坩埚(5)的坩埚上沿(3)设有环绕的环状凹槽(4);或石英坩埚内的腔体(2)上部设有扩径段(7),所述扩径段与石英坩埚的下部腔体之间形成台阶(6);钨或钼筒(1)的下端插在坩埚上沿(3)设置的环状凹槽内,所述钨或钼筒的下端与环状凹槽吻配;或钨或钼筒的下端插在石英坩埚内腔体扩径段下部腔体的台阶上,钨或钼筒的下端外壁与扩径段吻配;本实用新型通过在石英坩埚上添加钨或钼材质的筒,利用钨或钼的耐久性以及耐高温特性,使得石英坩埚的高度降低,有效减少了石英的使用量,大幅度的降低了使用成本。
  • 一种钨钼筒石英坩埚容积调节结构
  • [实用新型]石英陶瓷坩埚漏料成型法装炉结构-CN200720071916.1无效
  • 俞耀邦 - 上海新沪玻璃有限公司
  • 2007-06-29 - 2008-05-21 - C03B5/08
  • 本实用新型公开了一种石英陶瓷坩埚漏料成型法装炉结构,包括石英陶瓷坩埚石英陶瓷坩埚底部设有石英陶瓷坩埚漏管,铂金连接漏管位于石英陶瓷坩埚漏管内,铂金连接漏管与石英陶瓷坩埚漏管紧密配合,法兰片位于炉底环行缺口内的耐火砖与铂金连接漏管之间采用本实用新型,可使某些只能在陶瓷坩埚生产的特种玻璃,也能象铂金坩埚生产一样,采用漏料成型工艺,从而获得高品质的、无条纹、无气泡产品,玻璃的成品率也可大幅度提高。
  • 石英陶瓷坩埚成型法装炉结构
  • [发明专利]电弧法石英玻璃坩埚缺陷返修的方法-CN201210026333.2有效
  • 陈飞;蔡承娣;刘吉华;商春利 - 湖北菲利华石英玻璃股份有限公司
  • 2012-02-07 - 2012-07-18 - C03B20/00
  • 本发明涉及一种对电弧法生产石英玻璃坩埚缺陷进行返修的方法,属石英玻璃坩埚制造技术领域。它是针对石英玻璃坩埚在生产时产生的表面和内部缺陷,使用相同质量的石英玻璃棒,通过氢氧气熔化石英玻璃棒和坩埚进行修补,再通过机械研磨磨平修补产生的凹凸不平,然后使用氢氧气火焰进行抛光,最后进行退火处理减少坩埚的应力,使其成为合格坩埚的方法。本发明能去除坩埚中的气泡、黑点和其它异物产生的缺陷,使其成为合格产品。提高了石英玻璃坩埚的生产合格率,降低了坩埚的生产成本。且返修时方法简单,操作方便,能耗小,对坩埚体不造成损害,修补时坩埚体不会破裂,返工修补合格率高,适用于18~28英寸具有缺陷的石英玻璃坩埚的修补。
  • 电弧石英玻璃坩埚缺陷返修方法
  • [实用新型]用于单晶炉的石英坩埚及具有其的单晶炉-CN202021409031.X有效
  • 薛抗美;黄末;陈翼;刘奇 - 徐州鑫晶半导体科技有限公司
  • 2020-07-16 - 2021-05-14 - C30B29/06
  • 本实用新型公开了一种用于单晶炉的石英坩埚及具有其的单晶炉,用于单晶炉的石英坩埚包括:石英坩埚本体,包括底壁以及设在底壁的周缘且向上延伸的周壁,底壁的内表面形成有安装部;石英配合部件,邻近安装部的一侧形成有配合部,配合部与安装部相匹配以使石英配合部件与石英坩埚本体相连,当石英配合部件装配在石英坩埚本体上时,石英配合部件的一部分向上凸出于底壁的内表面。根据本实用新型的用于单晶炉的石英坩埚,通过配合部与安装部的配合,可实现石英配合部件与石英坩埚本体之间的可靠装配,一方面提供氧源,提高晶棒的氧含量。另一方面也防止单纯石英配合部件投放到溶液中可能会漂浮,导致晶棒失去单晶结构,使得拉晶失败。
  • 用于单晶炉石英坩埚具有

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