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[发明专利]一种梯度带隙硒硫化锑太阳电池及其制备方法-CN202211343643.7在审
发明人：李志强;冯阳;梁晓杨;王新华 -专利权人：河北大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种梯度带隙硒硫化锑太阳电池及其制备方法。所述梯度带隙硒硫化锑太阳电池采用了双梯度带隙硒硫化锑作为吸收层，双梯度带隙硒硫化锑吸收层是通过射流载气输运气相沉积技术、以硒硫化锑颗粒作为源、以硒化氢作为硒源制备而成，制备过程中通过调节硒化氢流量由小变大、再由大变小，从而得到双梯度带隙硒硫化锑吸收层。本发明所述方法为应用射流载气输运气相沉积技术沉积硒硫化锑薄膜，通过调控硒化氢的流量，从而实现双梯度带隙硒硫化锑吸收层的制备。本发明提供了一种新的梯度带隙硒硫化锑太阳电池的制备方法，能够有效优化硒硫化锑吸收层带隙结构，有助于器件性能的提升。
一种梯度带隙硒硫化锑太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种双梯度带隙CIGS太阳能电池的叠层吸收层的制备方法-CN201911376602.6在审
发明人：王鹏;张亚飞;张伟 -专利权人：光之科技发展（昆山）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种双梯度带隙CIGS太阳能电池的叠层吸收层的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在电极上，使用四元Cu‑In‑Ga‑Se靶材制得薄膜吸收层底层，该靶材的摩尔比例为：Se/(Cu+In+Ga本发明采用了预制膜硒化工艺，通过对两个不同硒摩尔比例的靶材进行溅射，然后通过高温硒化退火工艺，底层富硒促进晶体生长和实现高短流密度；表层贫硒解决了表层带隙宽度低的问题，实现了双梯度带隙，高开路电压和高填充因子以及高效率电池
一种梯度 cigs 太阳能电池吸收制备方法

[发明专利]制备铜铟镓硒吸收层薄膜的方法-CN201310332299.6无效
发明人：彭春超;高文波 -专利权人：许昌天地和光能源有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了本发明涉及一种制备铜铟镓硒吸收层薄膜的方法，首先利用电镀方法制备一层吸收层薄膜，然后在上面使用涂布法再制备一层更宽带隙的吸收层薄膜，经过硒化热处理后，形成具有梯度带隙的吸收层结构。本发明所提供的吸收层制备方法，完全采用非真空方法制做完成，并且可以控制CIGS吸收层的带隙分布，适合连续化生产。
制备铜铟镓硒吸收薄膜方法

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法-CN202010706763.3在审
发明人：郭凯;张传升;赵剑;吴华;韩青树 -专利权人：重庆神华薄膜太阳能科技有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜太阳能电池及其制备方法，包括：衬底；背电极，设置在衬底上；铜铟镓硒光吸收层，设置在背电极上；增效层，设置在铜铟镓硒光吸收层上；前电极，设置在增效层上。其中，增效层由最低未占分子轨道能级为4.0‑5.0eV且带隙大于铜铟镓硒光吸收层的带隙的无毒材料制成。本发明的薄膜太阳能电池不排放镉污染物，进而可以避免其破坏环境。
薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]苯并[2,1-b: 3,4-b`]二硒吩类聚合物半导体材料及其应用-CN201310596928.6有效
发明人：肖生强;蒋友宇;夏飞;蒋尊龙;黄轩;詹春;尤为 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：发明涉及苯并[2,1-b:3,4-b′]二硒吩的光电聚合物半导体材料及其在有机光伏器件中的应用，其结构通式如通式I所示，本发明的有益成果在于：本发明利用非线性结构的稠环化合物和硒原子在光学带隙和能级结构以及载流子迁移率等光电性质调控的优势，合成了一类基于苯并[2,1-b:3,4-b′]二硒吩类聚合物材料，通过引入不同的给受能力的共聚单体，得到的聚合物材料具有窄的带隙、较高的迁移率以及合适的能级结构。例如，聚合物PBDSe-DTffBT具有较窄的光学带隙为1.74eV，基于此聚合物的电池器件光电转换效率可以达到2.51%。
二硒吩类聚半导体材料及其应用

[发明专利]制备带隙单调连续变化的硫硒化镉纳米材料的方法及装置-CN201010265192.0有效
发明人：杨宗银;谷付星;童利民 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备带隙单调连续变化的硫硒化镉纳米材料的方法及装置。该制备方法基于气相沉积法，在生长纳米材料的过程中，通过磁铁调节硫化镉和硒化镉石英舟在管式高温炉中的位置来连续调节硫化镉和硒化镉的蒸气浓度比来实现在同一根纳米带或纳米线上带隙的单调连续过渡。该制备方法简单、低成本，所制备的单根纳米材料上硫元素和硒元素的比例可以从1∶0连续过渡到0∶1，这种纳米材料在可调谐激光器、宽带激光器、白光LED和宽光谱探测器等领域具有潜在的应用价值。
制备单调连续变化硫硒化镉纳米材料方法装置

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜制备方法及铜铟镓硒薄膜-CN201610841978.X有效
发明人：王文庆 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法及铜铟镓硒薄膜。本发明的制备方法包括以下步骤在沉积背电极的衬底上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的第一层掺钠铜铟镓硒预制层；硒化热处理掺钠铜铟镓硒预制层，得到第一层铜铟镓硒薄膜层；周期循环重复步骤(1)、(2)，每个周期中Ga/(In+Ga)不同，从第一层铜铟镓硒薄膜层到最后一层铜铟镓硒薄膜层中，Ga/(In+Ga)先减小后增多。一种铜铟镓硒薄膜，由n层不同带隙的掺钠铜铟镓硒薄膜层组成，各层掺钠铜铟镓硒薄膜层带隙延薄膜沉积生长方向先减小后增多，n大于等于3。本发明可有效提高光电转换效率，同时增加了太阳能电池的开路电压。
一种铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种太阳能电池吸收层及其制备方法以及应用-CN201910823846.8有效
发明人：高迪;陈涛;朱长飞;江国顺 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池吸收层的制备方法，包括以下步骤：A)将酒石酸锑钾、硫代硫酸钠和硒代硫酸钠与水混合，得到沉积液；B)所述沉积液在衬底表面进行水热反应，得到复合于衬底表面的硫硒化锑薄膜；C)在惰性气体环境下将得到的硫硒化锑薄膜进行退火处理本发明使用水热法直接沉积出硫硒化锑薄膜，无需后续硒化，解决了溶液法大多需要后续硒化的问题。通过改变沉积液中硫代硫酸钠和硒代硫酸钠的浓度，可以方便地调节薄膜的带隙，得到带隙可调的硫硒化锑薄膜。
一种太阳能电池吸收及其制备方法以及应用

[发明专利]锡掺杂硒化铅纳米粒子的制备方法-CN201210270340.7无效
发明人：魏浩;苏言杰;任兴龙;张亚非 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电材料技术领域的锡掺杂硒化铅纳米粒子的制备方法，包括如下步骤：步骤一，取氧化铅，氧化锡，混合，加入油酸和十八烯，得溶液A；步骤二，取硒粉，加入三正辛基膦，加热，得溶液B；步骤三，将溶液B注入到溶液A中，加热，纯化，得到锡掺杂硒化铅纳米粒子。本发明的方法无污染，反应条件温和简单，对设备的要求简单，适合工业化大规模生产；制备的锡掺杂硒化铅纳米粒子的带隙能可随掺锡比例变化而变化；当锡含量从0上升至42%时，带隙能从1.61eV下降至0.79eV
掺杂硒化铅纳米粒子制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜表面修饰的方法-CN201210162587.7无效
发明人：赖延清;陈志伟;张坤;刘芳洋;赵联波;蒋良兴;李劼;刘业翔 -专利权人：中南大学
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2）薄膜表面修饰的方法，涉及光电功能材料和新能源技术领域。本发明的特点在于：在铜铟镓硒薄膜上沉积一定厚度的金属薄膜或合金薄膜，再将其置于反应性气氛下高温退火，沉积的金属或合金与铜铟镓薄膜表面的铜硒二次相(CuxSe)反应形成宽带隙的铜硒多元金属化合物，达到除去该表面修饰方法避免了传统修饰方法采用KCN刻蚀CuxSe有剧毒不环保的缺点，具有成本低、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，可实现薄膜表面带隙宽度的提高和梯度带隙的形成，且明显降低pn结界面复合,有效提高器件的开路电压
一种铜铟镓硒薄膜表面修饰方法

[发明专利]基于硒化锑微米带的多面近红外偏振探测器及制备方法-CN202210712431.5在审
发明人：阚彩侠;万鹏;姜明明;魏筠;许统;刘洋 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硒化锑微米带的多面近红外偏振探测器及制备方法。探测器的结构包括：绝缘衬底、硒化锑微米带、MXene电极。首先通过化学气相沉积的方法生长出高结晶质量的硒化锑微米带，将硒化锑微米带转移至绝缘衬底，在微米带两端制备MXene电极。硒化锑微米带的宽面和窄面均可作为探测偏振光的窗口，实现基于硒化锑微米带的多面近红外偏振探测器结构。由于硒化锑材料带隙较窄，该器件可在偏置电压的条件下实现近红外波段的光探测功能。利用硒化锑微米带几何形态和材料本身三个维度的各向异性实现了器件多面对偏振光的响应，为实现稳定且多面的近红外偏振探测器的设计与制备提供了可行的方案。
基于硒化锑微米多面红外偏振探测器制备方法

[发明专利]Ti-CGSe+CIGS广谱薄膜太阳能电池-CN201510638067.2在审
发明人：殷玉惠;赵玉兰 -专利权人：殷玉惠
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明为Ti-CGSe+CIGS(钛-铜镓硒+铜铟镓硒)双异质结广谱薄膜太阳能电池。是同属黄铜体结构的广谱薄膜太阳能电池，它的特点是在可见光光谱波段内及在红外波段内均有较强的吸收系数，实现广谱吸收，光电转换较率高，因为Ti-CGSe带隙能在2.4Ev，而CIGS的带隙能在1.2eV，故将
ti cgse cigs 广谱薄膜太阳能电池

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法-CN201210050285.0无效
发明人：魏爱香;刘军;赵湘辉;招瑜;刘俊 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法，该方法采用硫酸锌溶液作为Zn2+源，以硫脲溶液作为S2-源，以氨水作为缓冲剂，以柠檬酸钠作为络合剂，配制化学浴反应的前驱物，在铜铟镓硒薄膜和普通玻璃衬底上制备粒径分布均匀、致密且附着力较好的Zn(O，S)半导体薄膜，作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层；用Zn(O，S)替代CdS作为铜铟镓硒薄薄膜太阳能电池的缓冲层，不仅使铜铟镓硒薄薄膜太阳能电池的生产更环保、更经济，而且由于Zn(O，S)的带隙宽度比CdS的带隙宽度大，能使更多的入射光子通过缓冲层到达吸收层，提高电池的短路电流，有利于提高电池的光电转换效率。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲材料制备方法

[发明专利]一种含硒砏单元共轭聚合物及其制备方法与应用-CN201910153294.4在审
发明人：周晓燕;王雷;高春梅 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开一种含硒砏单元共轭聚合物及其制备方法与应用。所述含硒砏单元共轭聚合物，其结构式如下式所示：其中，n为35至80之间的整数。聚硒吩类材料相比于其他共轭聚合物具有较好的主链共平面性、优异的稳定性、带隙窄以及迁移率高等优点，基于硒砏单元和萘二酰亚胺单元的聚合物同样具有较窄的带隙，是潜在的热电材料。
共轭聚合物制备聚合物带隙二酰亚胺单元有机热电材料共平面性热电材料热电器件碳纳米管聚硒吩迁移率潜在的主链应用表现研究

[发明专利]一种薄膜叠层太阳能电池及制造方法-CN202111575184.0在审
发明人：彭寿;殷新建;官敏;吴一民;常郑;陈瑛;舒毅;唐茜;蒋猛;傅干华;潘锦功 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜叠层太阳能电池及制造方法，所述太阳能电池包括堆叠的第一层电池和第二层电池；所述第一层电池为掺硒碲化镉电池，第二层电池为钙钛矿电池；所述掺硒碲化镉电池包括依次设置的衬底、光吸收层、背接触缓冲层I、背接触缓冲层II、背电极层；所述钙钛矿电池包括依次设置的衬底、空穴传输层、光吸收层、背电极层；所述掺硒碲化镉电池与钙钛矿电池的背电极层相对设置，并且掺硒碲化镉电池的负极与钙钛矿电池的正极相连。通过两种不同带隙的光伏太阳能电池堆叠，拓宽吸收带隙，提高转换效率。
一种薄膜太阳能电池制造方法

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