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[发明专利]选择性外延工艺的监控方法-CN201010613731.5有效
发明人：三重野文健;涂火金;何永根;何有丰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供选择性外延工艺的监控方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在所述第二区域上形成介质层，所述介质层使得所述第二区域具有不同于第一区域的颜色；对所述半导体衬底进行选择性外延工艺；在所述选择性外延工艺后，观察所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的颜色是否相同；若所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的第二区域颜色相同，则该选择性外延工艺的选择性正常，反之，则该选择性外延工艺的选择性异常；在所述选择性外延工艺后，测试所述第一区域的外延层的厚度，该厚度即为选择性外延工艺的厚度。本发明利用同一半导体衬底测试选择性外延工艺的选择性和厚度，降低了选择性外延监控工艺的成本。
选择性外延工艺监控方法

[发明专利]在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法-CN201980028945.5在审
发明人：张闻宇;杨逸雄;马里奥·D·桑切斯;蹇国强;唐薇;伯·F·马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-01 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：也公开了改善蚀刻工艺选择性的方法。
选择性蚀刻工艺提高方法

[发明专利]具有选择性气体供应的选择性外延工艺-CN200580041187.9有效
发明人：金亿涣;阿卡迪·V·萨蒙罗弗 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2005-11-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在一实施例中，提供一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，该方法包含将具有单晶表面和第二表面(非晶或多晶)的基板安置于一工艺反应室内，并且将该基板暴露在沉积气体下以在单晶表面上形成外延层并在第二表面上形成多晶层
具有选择性气体供应外延

[发明专利]选择性钝化和选择性沉积-CN201910938338.4在审
发明人： J·W·梅斯;M·吉文斯;S·豪卡;V·帕鲁丘里;I·拉伊梅克斯;S·邓;A·伊利贝里;E·托伊斯;D·朗格里 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的发明名称为选择性钝化和选择性沉积。提供了用于选择性沉积的方法。材料相对于不同材料组成的第二表面被选择性沉积在衬底的第一表面上。将抑制剂(如聚酰亚胺层)相对于第二表面由气相反应物选择性地形成在第一表面上。将目标层相对于第一表面由气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，可利用本文所述技术将材料(如介电过渡金属氧化物和氮化物)相对于电介质表面选择性地沉积在金属表面上。
选择性钝化沉积

[发明专利]选择性钝化和选择性沉积-CN202210891880.0在审
发明人： J.W.梅斯;M.E.吉文斯;S.P.霍卡;V.帕鲁丘里;I.J.拉伊杰马克斯;邓少任;A.伊利贝里;E.E.托伊斯;D.朗格里;C.德泽拉;M.图米恩 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：提供了选择性沉积的方法。材料相对于不同材料成分的第二表面选择性地沉积在基板的第一表面上。相对于第二表面，在第一表面上由气相反应物选择性地形成抑制剂，例如聚酰亚胺层。相对于第一表面，感兴趣的层从气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，诸如介电过渡金属氧化物和氮化物的材料可以使用这里描述的技术相对于介电表面选择性地沉积在金属表面上。
选择性钝化沉积

[发明专利]一种选择性激光熔化工艺过程能耗预测及节能控制方法-CN201811238146.4有效
发明人：吕景祥;彭涛 -专利权人：长安大学;浙江大学
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：一种选择性激光熔化工艺过程能耗预测及节能控制方法，首先获取选择性激光熔化设备各耗能部件的功率，得到设备部件的功率向量；再获取选择性激光熔化各子工艺过程的时间，得到子工艺过程的时间向量；然后获取选择性激光熔化设备能耗部件在各子工艺过程的工作状态，得到能耗部件与子工艺过程的工作状态矩阵；计算选择性激光熔化工艺过程能耗，第i个耗能部件的能量消耗和第j个子工艺过程的能量消耗；最后基于已建立的能耗模型预测不同工艺参数、零件布局条件下的能量消耗，选择能耗最低的工艺方案本发明的方法简单易操作，通过预测选择性激光熔化工艺过程的能量消耗大小，选择出能耗最小的工艺方案。
一种选择性激光熔化工艺过程能耗预测节能控制方法

[实用新型]选择性电镀工艺槽装置-CN200920072837.1有效
发明人：王振荣;黄利松;陈概礼 -专利权人：上海新阳电子化学有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种选择性电镀工艺槽装置，包括电镀液槽，电镀液槽内设置有阳极，其特征在于，还包括挂钩支撑框和两组以上的挂钩，所述的挂钩安装在挂钩支撑框上，两组以上的挂钩沿与电镀液液面平行的方向排列。本实用新型的有益效果为：使用方便，可减少电镀液的添加过程中固体杂质，溢流出的电镀液可自动进入储液槽进行循环使用，可以仅对引线框架进行局部电镀，节省材料，至少可节省电镀材料25％以上，而且省去了后处理工艺
选择性电镀工艺装置

[发明专利]一种地下水中硝酸盐选择性去除工艺与设备-CN201811189087.6在审
发明人：郑少奎;段守鹏;张雪雨;张航宇;李士达 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：本发明名称为一种地下水中硝酸盐选择性去除工艺与设备，属于环境保护及地下水处理领域。针对当前地下水中硝酸盐选择性去除工艺中新型硝酸盐选择性树脂成本高昂、失效再生液净化工艺复杂等不足，本发明提供了一种以商业三甲胺基强碱性阴离子树脂为吸附剂的地下水中硝酸盐选择性去除‑失效再生液电化学原位净化为特征的地下水中硝酸盐选择性去除工艺与设备，树脂成本低(与硝酸盐选择性树脂相比)，硝酸盐选择性好，对其它阴离子无显著性去除，失效再生液经净化后恢复再生功能，硝酸盐经选择性吸附富集至再生液中，最后转化为无毒无害的氮气。该工艺与设备无高盐废水产生和排放。
硝酸盐选择性去除再生液地下水选择性树脂净化下水强碱性阴离子树脂氮气地下水处理电化学原位选择性吸附高盐废水树脂成本无毒无害再生功能三甲胺吸附剂显著性阴离子富集去除环境保护排放转化恢复

[发明专利]用于改善选择性沉积工艺中的选择性的预处理方法-CN201980052566.X在审
发明人：丹尼斯·豪斯曼;伊尔哈姆·莫希米;张鹏翼;保罗·C·莱曼利;卡希什·沙玛;亚力山大·R·福克斯;纳格拉杰·尚卡尔;卡普·瑟里什·雷迪;大卫·查尔斯·史密斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种用于改善选择性沉积工艺中的金属的选择性的方法。用于金属的预处理工艺修饰金属表面，并且包括首先从金属去除有机污染物而还原金属，随后氧化金属以使金属氧化物的单层在表面上生长。该金属修饰使得抑制剂分子能吸附至金属氧化物的单层上，从而改善选择性。
用于改善选择性沉积工艺中的预处理方法

[发明专利]选择性烧结印刷电路工艺-CN201410845752.8在审
发明人：林顺镇 -专利权人：厦门市平大商贸有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种选择性烧结印刷电路工艺。选择非导电材料制作基材；将导电油墨通过印刷工艺覆盖在基材表面；将覆盖导电油墨后的基材放置，使导电油墨干燥而除去导电油墨中的溶剂；或者，将覆盖导电油墨后的基材置于烤炉中烘烤，烘烤温度低于基材的软化温度或变性温度，而除去导电油墨中的溶剂；对干燥或低温烘烤过的基材通过感应加热设备进行感应加热，即，将干燥或低温烘烤后的基材放置在感应线圈的附近，根据基材、导电油墨的材质选择特定频率的电感应炉，调整功率和设定加热时间并加热本发明实现对打印电路进行选择性加热，只加热导电材料，不对非导电基材进行加热，从而实现对打印电路进行高温烧结，获得较佳的导电率。
选择性烧结印刷电路工艺

[发明专利]汽油选择性加氢产物分离工艺-CN201310472363.0有效
发明人：孔德林;顾宝忠;马利海;杨晓丽;梁玉新 -专利权人：宁夏宝塔石化科技实业发展有限公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C10G67/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种汽油选择性加氢产物分离工艺，该工艺通过热高分分离器结合冷高压分离器的方式，将预加氢脱硫产物经热高压分离器分离出的热高分油作为汽油切割塔的进料，使切割塔运行能耗降低；将热高分气经空冷器和水冷器冷凝后再进入冷高压分离器
汽油选择性加氢产物分离工艺

[发明专利]选择性发射极刻蚀工艺-CN201210141800.6有效
发明人：丁晓春 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性发射极刻蚀工艺，具有如下步骤：a)硅片正面刻蚀：在具有掩膜图案的扩散后的硅片正面刻蚀出所需的方阻；b)去除正面掩膜；c)刻蚀硅片表面的PSG；d)硅片背面刻蚀。本发明的有益效果是：扩散后的硅片表面存在一层亲水的PSG层，原有的选择性发射极刻蚀工艺流程直接在具有亲水性的PSG层硅片表面进行背面刻蚀，硅片边缘会造成过刻。改善后的工艺流程中，去PSG层后的硅片整体呈疏水性，在进行背面刻蚀时，可有效改善边缘过刻的问题。同时，由于改善后的工艺首先对硅片进行正面刻蚀，保证了刻蚀方阻整体的均匀性。
选择性发射极刻蚀工艺

[发明专利]用于选择性氧化的喷雾工艺-CN201080017303.4在审
发明人：巴拉·萨布拉马尼亚姆;达里尔·H·布希;丰辉·牛 -专利权人：堪萨斯大学
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C07C51/255 文献下载
摘要：氧化工艺可包括：将具有可氧化反应物、催化剂和溶剂的液体反应混合物的小液滴引入到含有氧气和稀释气体的反应区中；并且在适当的反应温度和适当的反应压力下，用氧气氧化反应物，以生成氧化产物。
用于选择性氧化喷雾工艺

[发明专利]具有选择性保护组件的选择性开关-CN200410089077.7有效
发明人：丁其零;陈颖;陈黎俊;周积刚;龚骏昌 -专利权人：上海电器科学研究所（集团）有限公司
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H02H3/093 文献下载
摘要：本发明揭示了一种具有选择性保护组件的选择性开关，包括一断路器组件和一选择性保护组件，断路器组件和选择性保护组件通过进/出线端实现电气连接，还通过机械连动装置实现机械连接，选择性保护组件中包括一电子延时脱扣装置电子延时脱扣装置包括：检测单元，检测电流并输出检测信号；电子控制单元，与检测单元相连，接收、分析检测单元输出的检测信号并产生控制信号；脱扣器，与电子控制单元相连，接收电子控制单元产生的控制信号，脱扣器连接到选择性保护组件中的操作机构本发明的有益效果是，其中的电子延时脱扣装置工作稳定，能精确地检测到短路电流、并作出快速判断和动作，借此提高了产品的测量精度，达到可靠的选择性保护作用。
具有选择性保护组件开关

[发明专利]选择性外延生长装置及集群设备-CN201380017310.8有效
发明人：朴用城;李成光;金东烈;金基勋 -专利权人：国际电气高丽株式会社
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种选择性外延生长装置。本发明的选择性外延生长装置包括：工艺管，包括内管和包围所述内管的外管，所述内管收容用于收纳多个基板的基板搭载单元，加热组件，包围所述工艺管，侧部喷嘴部，铅垂设置于所述工艺管的内侧；所述侧部喷嘴部包括第一侧部喷嘴及第二侧部喷嘴，所述第一侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的蚀刻气体，所述第二侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的沉积气体。
选择性外延生长装置集群设备

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