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[发明专利]加快工艺腔室复机的清洗方法-CN201710889449.1有效
发明人：李晓鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种加快工艺腔室复机的清洗方法。包括加热工艺腔室，以使得工艺腔室内的温度符合清洗杂质的预设温度；延时第一预设时间后，对工艺腔室进行初步抽真空；循环执行快速清洗工艺腔室的流程；循环执行深度清洗工艺腔室的流程，其中，循环执行深度清洗工艺腔室的流程包括：控制通入工艺腔室内的第一清洗气体流量，使得第一清洗气体流量符合预设第一清洗气体流量，以对工艺腔室进行深度清洗，和/或，控制通入工艺腔室内的第一清洗气体流速，使得第一清洗气体流速符合预设第一清洗气体流速，以对工艺腔室进行深度清洗；执行初始化工艺腔室的流程，以完成对工艺腔室的清洗。能够有效缩短工艺腔室的复机时间，提高工艺腔室的清洗效率。
加快工艺复机清洗方法

[实用新型]一种工艺炉管-CN202220755195.0有效
发明人：庞爱锁;林佳继;伍明辉 -专利权人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C30B31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工艺炉管,包括炉管本体和至少一组隔离层，炉管本体固设有工艺腔室，工艺腔室用于放置待工艺产品组，工艺气体通入工艺腔室，隔离层安装在工艺腔室，隔离层位于炉管本体的内壁与待工艺产品组之间，隔离层用于降低工艺气体的流速，本实用新型通过设计隔离板一方面通过增大工艺炉管上端的工艺气体接触面积，降低气体流速，另一方面对部分工艺气体进行隔离，从而实现减少大量快速工艺气体对处于上端或接近上端所在区域的待工艺产品影响的目的
一种工艺炉管

[发明专利]一种集成式处理VOCs气体的工艺方法-CN202010394867.5有效
发明人：邹薇;任淑;吴江;滕加伟 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B01D53/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成式处理VOCs气体的工艺方法，将不同气体流速、温度的反应床集成，使VOCs气体在气体流速低的床层区间完成吸附，在气体流速高的流化床区间完成脱附、催化燃烧，主要解决现有技术中VOCs气体往往需要先通过沸石转轮吸附浓缩本发明采用低气体流速吸附床与流化床串联集成法，通过调节不同区间的载气速度、处理温度等操作参数，使沸石分子筛颗粒完成吸附‑脱附‑催化燃烧‑再生等工艺集成，具有生产成本低、操作简便、适用风量范围广等优点，可用于VOCs气体处理等工业领域。
一种集成处理 vocs 气体工艺方法

[发明专利]集成工艺调制一种利用HDP－CVD间隙填充的新型方法-CN200710090263.6无效
发明人：斯里维斯·D·内曼尼;杨·S·李;埃利·Y·伊;王安川;贾森·托马斯·布洛基;韩龙典 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-04-17 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在设置于工艺腔室内的衬底上沉积氧化硅薄膜的工艺。将包括卤素源、流动气体、硅源和氧化气体的工艺气体流入工艺腔室中。具有离子密度至少为10¹¹离子/厘米³的等离子体由上述工艺气体形成。在衬底上形成具有卤素浓度低于1.0％的氧化硅薄膜。利用同时具有沉积和溅射成分的工艺的等离子体沉积氧化硅薄膜。进入腔室的卤素源的流速和进入腔室的硅源流速之比基本为0.5和3.0之间。
集成工艺调制一种利用 hdp cvd 间隙填充新型方法

[发明专利]H13钢高压气体分级快冷的淬火工艺-CN200810034906.X无效
发明人：石江龙;叶俭;郭健;卢军;吴怀成;王丽莲;王琦;沈正元 -专利权人：上海市机械制造工艺研究所有限公司
申请日： 2008-03-20 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C21D1/613 文献下载
摘要：本发明涉及H13钢高压气体分级快冷的淬火工艺，在工件近表面和心部各设置有热电偶，在奥氏体化温度保温结束后，进行快速冷却，当表面温度达到400℃-450℃时，通过调节气体压力和/或气体流速来减小气体冷却能力，等心部温度达到400℃-450℃时，再通过调节气体压力和/或气体流速增加气体冷却能力，直到淬火结束。该工艺方法确保工件开始分级时即进入慢冷状态，分级结束后即进行快速冷却，采用该淬火工艺处理的H13模具，具有变形小，组织优良，性能好的特点。
h13 高压气体分级淬火工艺

[发明专利]半导体工艺中降低微污染的方法-CN200580015462.X无效
发明人：赫门特·芒吉卡;比克拉姆·卡普尔;庄·李 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-04-27 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：通过引入一工艺气体流及一载气流到处理腔室，而沉积一薄膜在基板上，该工艺气体包括含硅气体与含氧气体。该载气气流包括氦流与氢分子流，该氢分子流的流速比该氦流流速的20％还低。
半导体工艺降低污染方法

[发明专利]一种半导体设备及其基片处理方法-CN202210349870.4在审
发明人：庄宇峰;陶珩 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：一种半导体设备及其基片处理方法，半导体设备包含成核腔和至少一个处理腔，温度控制系统将成核腔维持为第一温度，将处理腔维持为第二温度，气体控制系统控制含钨气体输入成核腔执行成核工艺，气体控制系统控制不含碳及金属原子的处理气体输入处理腔对执行过成核工艺的特征区内靠近所述开口的上段执行保形抑制处理工艺本发明在利用不同腔室实现温度分别控制的基础上，通过气体控制系统实现对不同操作工艺的压力和气体流速的调节，无需对基片的制程温度进行反复调节，保持了工艺的稳定性，节省了制程时间，实现了温度、压力、气体流速的全面调节
一种半导体设备及其处理方法

[发明专利]一种超微小孔的机械加工工艺-CN201811598329.7在审
发明人：许国庆;张艳娟 -专利权人：沈阳富创精密设备有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B23Q17/20 文献下载
摘要：本发明一种超微小孔的机械加工工艺，其特征在于，关键在与整理记录小孔的实际气体流速，并分析记录均值和偏离值，来判断气体流量是否均匀；主要步骤如下：(1)调试好气体流量检测仪后，根据小孔类型，使用软件自动记录小孔实际气体流速数据(2)将记录的气体流速数据整理到Excel表格里。(3)分析这些气体流速数据的平均值和离散值。(4)最后通过小孔实际值和理论计算值对比，得出结论，此件匀气盘的超微小孔是否合格。
小孔气体流速微小孔机械加工工艺记录气体流量检测表面粗糙度理论计算气体流量实际状况数据整理自动记录匀气盘调试分析偏离检测加工

[发明专利]GLP-1肽的喷雾干燥工艺-CN201980084815.3有效
发明人： P·T·英瓦松 -专利权人：诺和诺德股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： A61K9/16 文献下载
摘要：本发明涉及包含GLP‑1肽司美格鲁肽的进料溶液的喷雾干燥工艺，其中雾化气体流速(kg/h)与进料溶液流速(kg/h)之比为1.0‑1.7。
glp 喷雾干燥工艺

[发明专利]包含输送工艺气体和射频功率的气体分配单元的等离子处理设备-CN200580013782.1有效
发明人：拉金德·丁德萨;埃里克·兰兹 -专利权人：兰姆研究公司
申请日： 2005-04-11 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种等离子处理设备，包括向喷淋头式电极输送工艺气体和射频(RF)功率的气体分配单元。气体分配单元可以包括多个气体通路，以相同或不同的流速，向喷淋头式电极后侧的一个或多个储气室，输送相同的工艺气体或不同的工艺气体。气体分配单元在半导体基片上，提供要达到的需要的工艺气体分配，该半导体基片在喷淋头式电极与支承基片的下电极之间的空隙中被处理。
包含输送工艺气体射频功率分配单元等离子处理设备

[发明专利]用于制造离子传导膜的等离子体喷涂方法-CN201210077652.6有效
发明人： M.金德拉特;R.J.达马尼 -专利权人：苏舍市场及技术有限公司
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：提供用于制造离子传导膜的等离子体喷涂方法，该离子传导膜具有离子传导性，在该方法中，该膜在工艺室中以层（11）形式沉积到基底（10）上，其中原材料（P）借助工艺气体（G）以工艺束（2）形式喷涂到基底（10）表面上，其中原材料在最多10,000Pa的低工艺压力下注射到等离子体中并在此部分或完全熔融。在喷涂过程中以相当于工艺气体总流速的至少1%，优选至少2%的流速向工艺室（12）供应氧（O2；22）。
用于制造离子传导等离子体喷涂方法

[发明专利]半导体处理装置及方法-CN202111574186.8在审
发明人： G·Y·金;张阁 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：在本申请的一个实施例中，半导体处理装置包括：工艺腔；气体源；以及气体管线，其耦接在所述气体源与所述工艺腔之间；其中所述气体管线上设置有流通能力可调的限流部件，所述限流部件用以控制所述气体管线中的气体流速
半导体处理装置方法

[实用新型]智能化便携式气体流速仪-CN95244360.0无效
发明人：朱苏康;张志奋 -专利权人：中国纺织大学
申请日： 1995-07-11 - 公布日： 1997-06-18 - 主分类号： G01P5/08 文献下载
摘要：本实用新型智能化便携式气体流速仪是对现有纺织工艺在线的流速测量仪器的新改进，它由总压采集、传输、电测系统和量化、数据处理系统两个部分组成。本仪器具有结构轻巧、使用方便、成本低廉、频率响应性能良好、测试准确的特点，能适应纺织工程各种恶劣环境的气体流速测量。
智能化便携式气体流速

[发明专利]海洋钢结构气体保护焊接工艺-CN200810104978.7无效
发明人：王建强;李凡;张其富;靳伟亮;马喜清;徐玉强 -专利权人：中国海洋石油总公司;海洋石油工程股份有限公司
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： B23K9/173 文献下载
摘要：一种海洋钢结构气体保护焊接工艺，包括焊件清洁和固定；设定焊缝坡口；设定焊接工艺参数；调整焊枪位置对焊接接头进行施焊；焊后清理焊道表面；其中设定填充焊步骤工艺参数为：焊接电流为直流正极(DC+)，强度为180-220A；焊接电压为30-35V；焊接速度为150-250mm/min；焊丝类型为药芯焊丝，焊丝直径为1.6mm；气体类型为二氧化碳，气体流速为10-30L/min；设定盖面焊步骤工艺参数为：焊接电流为直流正极(DC+)，强度为180-220A；焊接电压为20-35V；焊接速度为150-250mm/min；焊丝类型为药芯焊丝，焊丝直径为1.2mm或者1.6mm；所述气体类型为二氧化碳，气体流速为10-30L/
海洋钢结构气体保护焊接工艺

[发明专利]利用选择性外延工艺形成外延层的方法-CN200910199453.0无效
发明人：何有丰;胡亚兰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明揭示了一种利用选择性外延工艺形成外延层的方法，该方法包括：将半导体衬底置于处理室内，并加热所述半导体衬底；向所述处理室内通入第一反应气体，以在该半导体衬底上形成外延层，所述第一反应气体包括第一蚀刻气体；向所述处理室内通入第二反应气体，以蚀刻所述外延层，所述第二反应气体包括第二蚀刻气体，所述第二蚀刻气体的流速比所述第一蚀刻气体的流速大。
利用选择性外延工艺形成方法

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