专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]钛镍形状记忆合金的低频阻尼的预测方法-CN200710012513.4无效
  • 李永华;李玉海;齐广霞 - 沈阳理工大学
  • 2007-08-20 - 2008-01-23 - G01N19/00
  • 钛镍形状记忆合金的低频阻尼的预测方法,其特征在于工作步骤为:定量计算该频率下的钛镍形状记忆合金的本征阻尼线;确定该频率下的钛镍形状记忆合金的瞬态阻尼线,从总的阻尼线中减去本征阻尼线,得到瞬态阻尼线;预测其他频率下的瞬态阻尼线,求出其他频率ω2下的瞬态阻尼DT2);预测其他频率下的阻尼线,将计算得到的本征阻尼线与所预测的其他频率下的瞬态阻尼线相加,即得到所预测的其他频率下的阻尼线,阻尼线的峰值的相对误差约为3.1-3.3%。
  • 形状记忆合金低频阻尼预测方法
  • [发明专利]一种在线内标法测定铁基合金中高含量钴的方法-CN202310136252.6在审
  • 王丹;李辉;张重远 - 中国科学院金属研究所
  • 2023-02-20 - 2023-06-06 - G01N21/73
  • 一种在线内标法测定铁基合金中高含量钴的方法,包括以下步骤:自制静态微混合器,待测液和内标液经过蠕动泵后进入自制静态微混合器,混合液经微混合器出口进入仪器的雾化室进行分析;在ICP‑AES上进行测定,在选定的仪器工作参数、钴分析线和内标线处进行检测,为垂直观测方式;分析线的选择和干扰校正,钴元素分析线为228.6nm,并通过基体匹配法消除铁基体干扰;内标线的选择,选择钇作为内标元素,内标线为224.3nm;解决了目前高含量钴的分析中:化学法测试步骤繁杂、周期长,仪器法测试结果波动大的问题,提高了工作效率和结果的准确性和稳定性。
  • 一种在线内标法测定合金中高含量方法
  • [发明专利]钛合金中钒元素的测量方法-CN201110333823.2无效
  • 朱莉 - 攀钢集团江油长城特殊钢有限公司
  • 2011-10-28 - 2012-06-27 - G01N21/73
  • 本发明公开了一种钛合金中钒元素的测量方法,所述方法包括下述步骤:使用硫酸将试样溶解,然后加入几滴硝酸,加纯水配置成试样溶液;配制含有不同浓度钒的标准溶液;利用电感耦合等离子体发射光谱仪测定标准溶液的线强度,以钒元素浓度为横坐标,以线强度为纵坐标绘制工作曲线;利用电感耦合等离子体发射光谱仪测定试样溶液的线强度,根据工作曲线计算钒元素浓度,在利用电感耦合等离子体发射光谱仪测定线强度的过程中,选择分析线
  • 钛合金元素测量方法
  • [发明专利]一种半导体激光吸收光谱气体分析方法-CN200710067513.4有效
  • 王健;顾海涛;刘立鹏 - 王健
  • 2007-03-02 - 2007-08-15 - G01N21/39
  • 本发明公开了一种半导体激光吸收光谱气体分析方法,所述方法包括以下步骤:a.确定半导体激光器的工作温度范围和工作电流范围;b.在所述半导体激光器的工作温度范围内划分出至少二个工作温度区间和至少一个无吸收线温度区间,使任一工作温度区间对应被测气体的至少一条吸收线;c.测得所述半导体激光器的工作环境温度T,根据所述工作环境温度T确定拟使用的被测气体的吸收线;d.根据半导体激光器的工作温度Twork和步骤c确定的吸收线的中心频率,确定并调整半导体激光器的工作电流;e.半导体激光器发出的光穿过被测气体并被接收;对接收到的光信号进行吸收光谱分析,得到被测气体的被测参数并显示。
  • 一种半导体激光吸收光谱气体分析方法

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