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[发明专利]在层间介质层自对准形成空隙的方法-CN201110398278.5无效
发明人：鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种在层间介质层自对准形成空隙的方法，通过硬掩膜及导线进行自对准刻蚀形成凹陷，且通过等离子体化学气相沉积及干法刻蚀可控的在凹陷侧壁形成第二介质层，以调整凹陷的具体尺寸，相对于现有技术，其工艺可控性强
介质对准形成空隙方法

[发明专利]在半导体器件的双镶嵌结构中降低接触电阻的方法和结构-CN200410066664.4有效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2004-09-21 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该结构包括衬底，覆盖衬底上的电介质层，和覆盖电介质层上的金属互连。围绕着金属互连形成第一中间电介质层。第二中间电介质层覆盖在第一中间电介质层上。在第二中间电介质层的上部内形成沟槽开口。介层洞空隙位于所述第二中间电介质层的下部内。第二中间电介质层下部耦合到第二中间电介质层上部。第二阻挡层设在介层洞空隙的空隙内，并覆盖在介层洞空隙的空隙上以及第一阻挡层上。铜材料被形成覆盖在第一阻挡层和第二阻挡层上，以基本填充第二中间电介质层内的介层洞空隙和沟槽。
半导体器件镶嵌结构降低接触电阻方法

[发明专利]半导体存储装置及其形成方法-CN202111327962.4在审
发明人：陈肯利;颜逸飞;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：间隙壁结构设置于衬底上并位于位线以及插塞之间，其中，间隙壁结构包括第一空隙层、第一间隙壁以及第二空隙层，第一空隙层、第一间隙壁以及第二空隙层依序堆叠于位线的侧壁与插塞之间，其中，所述第一空隙层的最底面与所述第二空隙层的最底面不等高藉此，可在位线以及存储节点插塞之间形成两层空隙层，以有效地改善电阻与电容间延迟的状况。
半导体存储装置及其形成方法

[发明专利]一种夹板间带空隙的矫型夹板-CN201510056376.9有效
发明人：茹朝贵 -专利权人：李耀强
申请日： 2012-08-19 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： A61F5/058 文献下载
摘要：一种夹板间带空隙的矫型夹板，其由保护层、两块夹板和棉垫组成；所述的保护层和防护垫的中部设有缝合线，所述的两块夹板分别位于缝合线两侧的保护层及棉垫之间。夹板间带空隙的矫型夹板采用保护层、夹板和棉垫这样的三明治夹心结构，在保护层和棉垫的中部设置缝合线，将两块夹板分开，使夹板间形成一个空隙，拆除时利用夹板间的空隙就能将其轻易地拆开。
一种夹板空隙

[实用新型]半导体存储装置-CN202122747174.2有效
发明人：陈肯利;颜逸飞;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：间隙壁结构设置于衬底上并位于位线以及插塞之间，其中，间隙壁结构包括第一空隙层、第一间隙壁以及第二空隙层，第一空隙层、第一间隙壁以及第二空隙层依序堆叠于位线的侧壁与插塞之间。藉此，可在位线以及存储节点插塞之间形成两层空隙层，以有效地改善电阻与电容间延迟的状况。
半导体存储装置

[发明专利]一种改善接触孔中钨缺失的方法-CN201711329309.5在审
发明人：徐杰;李志国;黄冲;崔永鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种改善接触孔中钨缺失的方法，包括下列步骤：进行普通层间介质层氮化硅薄膜沉积，覆盖在晶圆表面；调整氮化硅薄膜沉积速率，进行快速层间介质层氮化硅薄膜沉积，将空隙快速封口。本发明提出的改善接触孔中钨缺失的方法，通过在普通层间介质层氮化硅薄膜沉积之后进行快速层间介质层氮化硅薄膜沉积，调整氮化硅薄膜沉积速率，将空隙快速封口，从而避免空隙与接触孔联通，在根本上解决接触孔中钨缺失的问题
氮化硅薄膜沉积接触孔层间介质层钨缺失封口晶圆表面联通覆盖

[发明专利]一种基于三维细观空隙的超薄铺装层间洒布量设计方法-CN202310788000.1在审
发明人：赵永利;宗海;谢一畅;朱文白;汪昊;何嘉明 -专利权人：东南大学;南京公路发展（集团）有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于三维细观空隙的超薄铺装层间洒布量设计方法，包括集料颗粒的CT扫描；重构真实的集料颗粒模型；调整便于仿真计算的模型网格尺寸；颗粒模型的凸多面体处理；集料粒径与洒布量的确定；分析超薄封层混合料压实机理与虚拟试件构建；三维空隙模型提取；基于空隙分布规律确定沥青填充用量；依据层间剪切试验与层间拉拔试验，在保证粘结强度的情况下，确定最佳层间粘层油用量。本发明构建与实际情况相近的薄层罩面压实模型，获取填充空隙所需的粘结层沥青用量，实现薄层沥青混合料级配优化以及为材料用量设计提供试验基础。
一种基于三维空隙超薄铺装层间洒布量设计方法

[发明专利]一种反应器及应用-CN201910705694.1在审
发明人：卫国宾;乐毅;汪晓菁;戚文新 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B01J8/02 文献下载
摘要：所述反应器的催化剂床层设置为两部分，催化剂上部床层和催化剂下部床层，催化剂上部床层和催化剂下部床层之间设置层间空隙区；在所述层间空隙区的上部设有氢气分布器，所述氢气分布器是以筒体轴为球心，平面朝上曲面朝下的半球状；所述的氢气分布器半球的曲面上均匀设置多个氢气出口；层间空隙区的下部设置二次气液分配盘。本发明通过在反应器催化剂上下床层之间的层间空隙区加入氢气分布器和气液分配盘，在反应器中部有效地将气液物料与氢气二次混合，提升反应器中下部催化剂加氢效率。
一种反应器应用

[发明专利]一种改性高聚物盲沟管-CN201711072339.2有效
发明人：蔡四良;谢朝霞;蔡望帆;欧阳清 -专利权人：湖南盛业土工材料制造有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： E03F3/04 文献下载
摘要：本申请实施例实公开了一种改性高聚物盲沟管，包括外层滤芯，包覆在外层滤芯外侧的土工布，内层滤芯，外层滤芯与土工布均为圆柱体管状结构；内层滤芯位于外层滤芯的内部；内层滤芯与外层滤芯之间设有层间空隙；内层滤芯的内部设有排水通道本申请实施例提供的一种土工塑料盲沟，由于外层滤芯及内层滤芯之间设置有层间空隙，且内层滤芯在外层滤芯内部可移动，使得层间空隙的位置可根据实际情况调整，当改性高聚物盲沟管的某一侧排水量增多时，经过外层滤芯的水流在通过内层滤芯的同时推动内层滤芯向对侧运动，使层间空隙移动至水流侧，未能及时通过内层滤芯的水流将可通过层间空隙排出，提高了排水效率。
一种改性高聚物盲沟管

[实用新型]多层基板-CN201520094954.3有效
发明人：用水邦明 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种抑制加热时应力的产生，防止层间连接导体损伤的多层基板。多层基板(10)在树脂基材(11C)及树脂基材(11D)的界面中的层间连接导体(131A)及层间连接导体(131B)的周围设有空隙(135)。由于多层基板(10)中存在空隙(135)，因此不会较大阻碍层间连接导体(131A)及层间连接导体(131B)的体积变化，抑制了加热时应力的产生。因而，防止层间连接导体(131A)及层间连接导体(131B)中发生破裂。
多层

[实用新型]含绕层间加强层的油浸式变压器的固化绕组-CN200720076218.0有效
发明人：姜益民 -专利权人：上海市电力公司
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01F27/32 文献下载
摘要：一种含绕层间加强层的油浸式变压器的固化低压绕组，属变压器及其低压绕组的技术领域。该固化低压绕组包括低压绕组和环氧树脂，低压绕组的相邻绕层之间衬有层间加强层，在低压绕组的外表面上、低压绕组的绕匝间的空隙内、低压绕组的绕层与层间加强层之间的空隙内和低压绕组的绕层间的空隙内充填有环氧树脂，低压绕组、层间加强层和环氧树脂借助环氧树脂的固化合为一体。该同化低压绕组还可含内加强层和外加强层，内加强层和外加强层均由绝缘薄膜玻璃丝网或无纬玻璃丝布迭合而成，分别位于低压绕组的底绕层下和低压绕组的顶绕层上。
含绕层间加强油浸式变压器固化绕组

[发明专利]测试结构的形成方法-CN201310754234.0在审
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种测试结构的形成方法，在层间介质层表面形成第一掩模，第一掩模具有梳状的第一空隙和蛇形的第二空隙；对所述第一掩模以及第一掩模下的层间介质层进行干法刻蚀，形成沟槽，所述沟槽包括梳状的第一沟槽和蛇形的第二沟槽由于所述第一掩模第一空隙和第二空隙为通过对层间介质层上的各个膜层进行包括外延工艺、侧墙形成等步骤而形成，而梳状的第一空隙和蛇形的第二空隙的尺寸可由相应膜层的厚度决定或进行调整，膜层厚度的均匀性及控制性比采用曝光方法对图形尺寸的均匀性和控制性更好更精确
测试结构形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201310743149.4在审
发明人：戚德奎;李新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有接触孔以及光刻标记孔，所述光刻标记孔具有空隙；沉积牺牲材料层，以完全填充所述空隙；在所述层间介电层以及所述牺牲材料层上形成保护层；在所述半导体衬底以及所述层间介电层中形成硅通孔；去除所述保护层，以露出所述牺牲材料层；去除所述牺牲材料层，以露出所述空隙。middle）工艺中CT的保护层，a-C相比SIN具有更好的台阶覆盖能力、能够被完全去除，从而不影响后续第一金属层光刻（M1photo）对位，有效地解决了OVL量测问题。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]填充空隙沟槽和形成半导体器件的方法-CN200810202833.0无效
发明人：郭佳衢 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种填充空隙沟槽的方法与一种形成半导体器件的方法，其中，填充空隙沟槽的方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一材料层，所述第一材料层表面包括非空隙沟槽表面和位于非空隙沟槽表面间的空隙沟槽，所述空隙沟槽具有第一开口；去除空隙沟槽侧壁与非空隙沟槽表面之间的拐角处的部分第一材料层，使空隙沟槽形成第二开口，所述第二开口大于第一开口；在第一材料层上形成第二材料层并填充空隙沟槽。本发明通过先使待填充的空隙沟槽的开口增大，可以防止后续填充的材料填充空隙沟槽不充分导致空洞的产生。
填充空隙沟槽形成半导体器件方法

[发明专利]接触插塞及半导体器件的形成方法-CN201810210995.2有效
发明人：徐杰;李志国;黄冲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明所提供的一种接触插塞及半导体器件的形成方法，在形成硅化金属阻挡层时，使硅化金属阻挡层对应凸起结构侧壁的底部上形成有尺寸较大的第一空隙，从而在后续填充层间介质层时可使层间介质层在第一空隙的位置上也能够相应的形成尺寸较大的第二空隙如此一来，在结合烘烤工艺，即能够有效去除第二空隙中残余气体或液体等，进而使第二空隙被清空，使得在导电材料的填充过程中不再具有形成空洞的条件，从而有利于提高导电材料层的填充效果，避免在最终形成的接触插塞中形成空洞，进而实现了半导体器件与金属互连层的良好接触，保障了器件的正常工作。
半导体器件接触插塞硅化金属阻挡层填充空洞层间介质层导电材料层金属互连层残余气体导电材料良好接触凸起结构接触孔介质层填充层烘烤侧壁清空去除连通

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