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[发明专利]层间介质层的表面平坦方法及基于其的半导体结构-CN201710751879.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种层间介质层的表面平坦方法，包括步骤：提供半导体结构，并预定义需要的层间介质层的第一厚度，于半导体结构的单元集成层上表面形成具有第二厚度的第一层间介质层，第一厚度小于第二厚度；对第一层间介质层进行过度研磨，将第一层间介质层减薄至第三厚度，获得表面平坦化的第一层间介质层，研磨液为酸性研磨液，第三厚度小于第一厚度；于第一层间介质层表面进行补偿沉积，形成具有第四厚度的第二层间介质层，其与所述第一层间介质层的迭加为半导体结构所需要的层间介质层，第四厚度小于等于第三厚度。通过上述方案，本发明可以减少层间介质层中产生的刮伤，并提高产品良率，并降低了生产成本，实现了层间介质层厚度的精确控制。
第一层介质层层间介质层半导体结构表面平坦研磨液层间介质层厚度表面平坦化介质层表面产品良率单元集成研磨上表面预定义迭加刮伤减薄种层沉积生产成本

[实用新型]一种半导体结构-CN201721087063.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体结构，包括单元集成层；线路结构，形成于单元集成层上表面；具有由第二厚度减薄至第三厚度的第一层间介质层，第一层间介质层包覆线路结构，减薄以获得表面平坦化的第一层间介质层，第一厚度小于第二厚度，第三厚度小于第一厚度；及具有第四厚度的第二层间介质层，补偿沉积于具有第三厚度的第一层间介质层的表面，第二层间介质层修复第一层间介质层研磨产生的表面缺陷，第二层间介质层与第一层间介质层两者叠加为半导体结构所需要的层间介质层，第四厚度小于等于第三厚度。通过上述方案，本实用新型可以减少层间介质层中产生的刮伤，并提高产品良率，并降低了生产成本，实现了层间介质层厚度的精确控制。
一种半导体结构

[发明专利]改善层间介质层厚度均匀性的方法-CN202211303399.1在审
发明人：张磊;王晓日;禹楼飞;高国磊 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种改善层间介质层厚度均匀性的方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成硅化物阻挡层；刻蚀硅化物阻挡层，露出衬底上需要形成硅化物的区域；形成硅化物；去除衬底背面的硅化物阻挡层；形成接触孔刻蚀停止层；形成层间介质层；形成接触孔和接触孔场板。沉积层间介质层之前通过背面硅化物阻挡层刻蚀(BSE)工艺去除衬底背面的硅化物阻挡层，采用自下而上层叠的高深宽比工艺(HARP)膜层和等离子体增强四乙氧基硅烷(PETEOS)层作为层间介质层，可以改善层间介质层的厚度均匀性，保证通过刻蚀在层间介质层中形成接触孔和接触孔场板的工艺精度。
改善介质厚度均匀方法

[发明专利]防止多晶硅栅极被研磨的方法-CN201410512495.6在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明揭示了一种防止多晶硅栅极被研磨的方法，包括如下步骤：以多晶硅栅极的顶部为量测点测量多晶硅栅极上方的层间介电层的厚度，并将测量的厚度值作为层间介电层的前值厚度；根据层间介电层的前值厚度和预设的多晶硅栅极上方需保留的层间介电层的厚度，计算多晶硅栅极上方需要去除的层间介电层的厚度；采用化学机械研磨将多晶硅栅极上方需要去除的层间介电层去除。本发明通过测量多晶硅栅极上方的层间介电层的厚度来获得层间介电层的前值厚度，消除了多晶硅栅极厚度对层间介电层前值厚度的影响，使得层间介电层的前值厚度更准确，从而避免了多晶硅栅极被研磨，提高了器件的良率。
防止多晶栅极研磨方法

[发明专利]改善层间介质层研磨返工工艺的方法-CN201410163486.0无效
发明人：徐莹;罗飞;周维 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善层间介质层研磨后返工工艺的方法，用于对层间介质层研磨后的半导体衬底进行返工，所述层间介质层被过量研磨，所述层间介质层具有目标厚度，包括：测量所述层间介质层的实际厚度；根据所述层间介质层的实际厚度与所述层间介质层的目标厚度的差异，获得补偿膜层的厚度，所述补偿膜层用于覆盖所述层间介质层的表面；获得覆盖膜层的目标厚度，所述覆盖膜用于覆盖所述补偿膜层的表面；根据所述补偿膜层与所述覆盖膜层的厚度之和，进行一次沉积工艺，形成所述补偿膜层和覆盖膜层本发明减少了等离子体增强化学气相沉积工艺给下方的层间介质层带来的损伤，减少了研磨误差带来的器件性能漂移。
改善介质研磨返工工艺方法

[发明专利]一种层间介质层厚度计算方法-CN202310800637.8在审
发明人：房鹏博;齐国栋;赵锋;肖伟勇;纪瑞琦 -专利权人：珠海杰赛科技有限公司;广州杰赛电子科技有限公司;中电科普天科技股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间介质层厚度计算方法，包括：步骤1，获取PP总厚度D；步骤2，获取第一铜层的厚度d1和第二铜层的厚度d2，第一铜层用于覆盖压合在PP的一侧，第二铜层用于覆盖压合在PP的另一侧，设计线路时获取第一铜层的残铜率α与第二铜层的残铜率β；步骤3，利用公式计算层间介质层厚度S，S＝D‑d1×(1‑α)‑d1×(1‑β)；步骤4，计算理论上PP单边奶油层厚度A，获取PP的玻璃布总厚度R，利用公式计算奶油层厚度A，A＝(S‑R)÷2；步骤5，根据理论的奶油层厚度A，去选择实际的PP规格，然后再执行步骤1至步骤3来计算出层间介质层厚度S。
一种介质厚度计算方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202110612944.4在审
发明人：罗佳明;王建东;李拓;杨永刚;李华东;张莉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制备方法，先在衬底上交替堆叠层间绝缘层和层间介质层形成以叠层结构，然后形成垂直贯穿叠层结构的沟道结构，再去除层间介质层形成凹槽，最后去除部分层间绝缘层，并在凹槽内填充栅极导体层其中，在形成沟道结构之前，增加了层间绝缘层的厚度且减小了层间介质层的厚度，因此可以降低形成沟道结构的刻蚀工艺难度，且可以减小层间介质层导致的晶圆应力。另外，在最后去除了增加的层间绝缘层后，还能保证最终叠层结构中层间绝缘层和层间介质层的厚度为各自所需的厚度。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]形成半导体器件的布线层的方法-CN200810165662.9无效
发明人：郑武京;李宣姃;朴基澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成半导体器件的布线层的方法，其包括形成具有第一厚度的第一层间绝缘层和在该第一层间绝缘层中形成第一接触塞，该第一厚度对应于将要形成在支撑层上的层间绝缘层的厚度的一部分。该方法还包括在第一接触塞和第一层间绝缘层上形成具有第二厚度的第二层间绝缘层，其中第二厚度对应于层间绝缘层的厚度的其余部分，以及在第二层间绝缘层中形成连接到第一接触塞的第二接触塞，从而形成包括第一接触塞和第二接触塞的局部布线层
形成半导体器件布线方法

[发明专利]薄膜晶体管、显示面板及其制备方法-CN202111120728.4在审
发明人：卢马才;柳铭岗;刘念 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种薄膜晶体管、显示面板及其制备方法，其中，薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、第一电极、层间绝缘层以及第二电极；第一电极设置在有源层远离栅极的一侧；层间绝缘层设置在第一电极与有源层之间，层间绝缘层上开设有贯穿层间绝缘层并延伸至第一电极表面的第一过孔，有源层通过第一过孔与第一电极连接，层间绝缘层的厚度大于栅极绝缘层的厚度；第二电极与有源层连接。本申请实现了栅极绝缘层的厚度与层间绝缘层的厚度可分别独立调整，在减薄栅极绝缘层的厚度的同时通过增大层间绝缘层的厚度来增大栅极和第一电极之间的耐压特性并降低栅极和第一电极之间的电容，提升薄膜晶体管的综合电性能
薄膜晶体管显示面板及其制备方法

[发明专利]介质球间静态料层厚度检测装置-CN201210580252.7有效
发明人：毛亚郎;孙毅;单继宏;纪朋朋 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质球间静态料层厚度检测装置，包括支架，所述支架上下两端分别固设有导杆，所述导杆上设有活动座且所述活动座可沿所述导杆左右移动；所述支架一端固设有第一顶杆，所述第一顶杆上固设有第一标尺杆；本发明通过测量两标尺杆间距的变化来有效测量介质球间的受挤压料层的静态厚度，为球磨工艺设计提供更加准确实验数据。
介质静态厚度检测装置

[发明专利]多层印刷线路基板及其制造方法-CN200780000520.0无效
发明人：越后文雄;平井昌吾;中村祯志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种多层印刷线路基板，其特征在于，导通孔内形成的层间连接材料的厚度方向的热膨胀系数低于由绝缘材料组成的电绝缘衬底的厚度方向的热膨胀系数，层间连接形成温度高于使用环境温度，且常温时，层间连接材料厚度方向的尺寸大于同一布线层中的层间连接材料的厚度其结果是在使用环境下，产生印刷线路基板的厚度方向的材料热膨胀差，因此层间连接部长时间受到内应力的作用。由此，得到一种层间连接部被压缩且具有高连接可靠性的多层印刷线路基板。
多层印刷线路及其制造方法

[发明专利]柔性显示面板的弯折区结构及其制作方法-CN201711450126.9在审
发明人：陈彩琴;刘丹 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该弯折区结构包括：柔性基板；组合绝缘层，设置于柔性基板上；层间绝缘层，设置于组合绝缘层上，层间绝缘层和组合绝缘层中形成暴露部分柔性基板的过孔；有机层间绝缘层，填充到过孔中，其包括超出层间绝缘层的上表面且彼此间隔的两个凸块；走线换线层，设置于有机层间绝缘层上；平坦层，设置于走线换线层、有机层间绝缘层和层间绝缘层上；将过孔在层间绝缘层中的开口的宽度加宽，以使凸块的厚度与走线换线层的厚度之和小于平坦层的厚度。本发明通过加宽过孔在层间绝缘层中的开口的宽度，以使有机层间绝缘层的凸块下陷并降低其厚度，从而不会使走线换线层超出平坦层而被腐蚀，进而提高器件的稳定性。
层间绝缘层绝缘层有机层换线走线组合绝缘层柔性基板平坦层弯折区柔性显示面板加宽凸块开口凸块下陷上表面填充腐蚀暴露制作

[发明专利]一种高深宽比接触孔的制作方法-CN202310160705.9在审
发明人：庄琼阳;贺术;夏超;鄢江兵;卢金德;贾晓峰;赵丽丹;陈献龙 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种高深宽比接触孔的制作方法，包括：提供衬底，于衬底上形成金属层和层间介质层，层间介质层包括相对设置的第一厚度部与第二厚度部；于层间介质层上形成层叠的氮化硅掩膜层和氮化钛掩膜层，氮化硅掩膜层与第二厚度部的厚度比不大于氮化硅掩膜层与第二厚度部的刻蚀选择比，氮化钛掩膜层与第一厚度部的厚度比不小于氮化钛掩膜层与第一厚度部的刻蚀选择比；图形化掩膜叠层以形成开口；基于图形化的掩膜叠层刻蚀层间介质层以形成通孔。本发明中采用氮化硅掩膜层和氮化钛掩膜层作为阻挡层刻蚀层间介质层，根据刻蚀选择比能够完全消耗氮化硅掩膜层，避免氮化硅残留提高器件电性能；并且无需增加氮化硅研磨液和氮化硅回刻工艺，降低成本。
一种高深接触制作方法

[发明专利]层间膜的制造方法-CN202211101133.9在审
发明人：朱绍佳;于明非;张健;周海锋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间膜的制造方法，包括：步骤一、提供形成有底部层间膜的半导体衬底，在底部层间膜上具有由第一图形结构形成的第一台阶。步骤二、形成层间膜，包括如下分步骤：步骤21、采用FCVD工艺沉积第一介质层并实现对层间膜的平坦化。步骤22、沉积第二介质层，第一介质层的沉积厚度和第二介质层的沉积厚度的和等于层间膜的目标厚度。步骤三、在达到目标厚度的层间膜的选定区域中形成穿过层间膜的孔连接结构。第二介质层的硬度大于第一介质层的硬度，以防止产生蝶形缺陷。本发明能在层间膜的形成过程中避免使用化学机械研磨工艺，从而能完成消除由化学机械研磨工艺所带来的层间膜的表面刮伤以及边缘剥皮缺陷，从而能提高产品良率。
层间膜制造方法

[发明专利]一种层间电容的控制方法及控制系统-CN201710229267.1有效
发明人：崔冶青;黄然;邓建宁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种层间电容的控制方法及控制系统，对每层金属层进行研磨的过程均包括：对当前金属层进行研磨；量测研磨后的当前金属层的厚度，得到当前金属层的量测厚度；基于当前金属层的厚度及之前的金属层的厚度对后续金属层的目标厚度进行规划：截止到当前金属层的层间电容之和与电容目标值的差值由后续金属层研磨工艺根据各金属层的工艺能力分别进行补偿，从而得到后续每层金属层的规划目标厚度；进一步地，对当前金属层的厚度进行判断，是否需要返工以及返工需研磨掉的厚度，直到当前金属层达到预期的目标值或由于厚度偏小已经无法进行返工，重复上述过程，从而对后续各个金属层的目标厚度进行实时调整，得到接近目标值的层间电容规划。
一种电容控制方法控制系统

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