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[发明专利]一种MOS器件的建模方法-CN202010544333.6在审
发明人：刘林林 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件的建模方法，包括如下步骤：S01：构建MOS器件的模型电路，其中，模型电路中包括本征晶体管，衬底寄生电阻、寄生电容、寄生二极管、栅极寄生电阻电感网络、源极寄生电阻电感网络和漏极寄生电阻电感网络；S02：确定模型电路中的本征晶体管和寄生二极管的模型及尺寸参数；S03：采用电磁仿真方法分别确定源极寄生电阻电感网络和漏极寄生电阻电感网络的寄生元件值；S04：基于测试数据确定衬底寄生电阻、寄生电容和栅极寄生电阻电感网络的寄生元件值；S05：将计算出来的寄生元件值代入模型电路。本发明模型电路包括各连接通路的寄生电阻电感网络，该模型适用范围更广，可适用于毫米波等频段。
一种 mos 器件建模方法

[发明专利]射频压焊块的仿真方法-CN200810043906.6有效
发明人：周天舒 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-04 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频压焊块的仿真方法，首先确定射频压焊块等效电路电学模型，包括串联电阻、介质层所带来的寄生电阻、介质层所带来的寄生电容、硅衬底所带来的寄生电阻、硅衬底所带来的寄生电容；所述介质层所带来的寄生电阻、寄生电容并接，所述硅衬底所带来的寄生电阻、寄生电容并接，所述介质层所带来的寄生电阻、寄生电容并接后一端接所述串联电阻的一端，另一端接所述硅衬底所带来的寄生电阻、寄生电容并接后的一端；然后以上述确定的射频压焊块等效电路电学模型的串联电阻的另一端作为射频端口，将硅衬底所带来的寄生电阻、寄生电容并接后的另一端接地，进行仿真。
射频压焊块仿真方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻萃取方法-CN202110798564.4有效
发明人：苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻萃取方法，其可避免漏电流严重的问题出现，可提高源漏寄生电阻提取准确性，该方法包括：将源漏寄生电阻分解为若干分解寄生电阻，根据分解寄生电阻的分布情况，划分不同测试区间，基于开尔文测试结构测量不同测试区间的源漏寄生电阻，测量不同测试区间的鳍长度，基于直线方程、不同测试区间的源漏寄生电阻、鳍长度，计算获取分解寄生电阻。
一种场效应晶体管寄生电阻萃取方法

[发明专利]寄生电阻可视化方法、装置、系统、电子装置和存储介质-CN202210784903.8在审
发明人：李索;李嵩 -专利权人：杭州行芯科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请涉及一种寄生电阻可视化方法、装置、系统、电子装置和存储介质，其中，该寄生电阻可视化方法包括：获取预设的寄生参数网表，并获取该寄生参数网表中的网表节点和寄生电阻，显示该网表节点和该寄生电阻；获取针对该网表节点的节点选择信息，从该寄生电阻中获取与该节点选择信息相匹配的第一电阻，并根据预设的重点标识信息至少显示第一电阻；根据该第一电阻至少获取该第一电阻的端到端等效阻值并显示。通过本申请，解决了寄生电阻可视化方法功能单一且可视化效率低的问题，实现了寄生电阻的高效可视化。
寄生电阻可视化方法装置系统电子存储介质

[实用新型]直流系统寄生回路电阻测量装置-CN201220097290.2有效
发明人：熊超英;吴蓉;戴春怡;马振皎;戴缘生 -专利权人：上海市电力公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G01R27/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子设备领域，具体涉及一种电阻测量装置。直流系统寄生回路电阻测量装置，包括一直流系统寄生回路装置，还包括一寄生回路电阻测量装置，寄生回路电阻测量装置连接直流系统寄生回路装置。由于采用上述技术方案，本实用新型通过寄生回路电阻测量装置将直流系统寄生回路装置的直流参数通过交流等效法进行测量，得出寄生回路模块的电阻值，通过该电阻值可直接判断直流系统寄生回路装置中的两个直流电源模块是否独立
直流系统寄生回路电阻测量装置

[实用新型]功率管及抗浪涌电路-CN202320710469.9有效
发明人：张文芳;钱娅;张攀 -专利权人：美芯晟科技（北京）股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：功率管包括：多晶材料层和衬底有源区域；在预设方向上，多晶材料层设置在衬底有源区域的顶端；多晶材料层与衬底有源区域连接，以将功率管的衬底金属线与衬底有源区域并联接地，形成第一电阻和第二电阻并联组成的寄生电阻抗浪涌电路包括：功率管、基于功率管形成的寄生管和寄生电阻；其中，基于寄生管和寄生电阻形成泄放浪涌的浪涌通路；寄生管的基极和寄生电阻的第一端与功率管的衬底连接；寄生电阻的第二端接地；寄生电阻用于为寄生管提供基极低电位，寄生管用于基于基极低电位截止导通，以断开浪涌通路。通过对功率管的结构进行修改，能够有效地减小产生的寄生电阻的阻值。
功率管浪涌电路

[发明专利]一种DC/DC变换器用限流值检测方法及检测装置-CN202210001546.3有效
发明人：谢章熠 -专利权人：超旸半导体(上海)有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种DC/DC变换器用限流值检测方法及检测装置，本DC/DC变换器用限流值检测方法包括：至少测量DC/DC变换器中接地管脚处寄生电阻、电源管脚处寄生电阻及开关管脚处寄生电阻；通过电源管脚处寄生电阻、开关管脚处寄生电阻计算得到DC/DC变换器的上管限流值；以及通过接地管脚处寄生电阻、开关管脚处寄生电阻计算得到DC/DC变换器的下管限流值；本发明通过测量DC/DC变换器的各管脚处寄生电阻后，再根据各管脚处寄生电阻计算得到DC/DC变换器的限流值，能够精确测量出各寄生电阻的大小，从而为计算限流值和校准限流值提供数据基础，克服由于不精确的限流保护将导致DC/DC变换器发生过流损坏甚至起火等危险情况的发生
一种 dc 变换器用限流检测方法装置

[发明专利]一种晶体管小信号等效电路模型-CN201410665717.8有效
发明人：黄风义;唐旭升;张有明;彭振宁;张雪刚 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管小信号等效电路模型，包括各个电极处的电极寄生部分，所述各个电极寄生部分均包括阶梯电感电阻结构；该阶梯电感电阻结构包括相互串联的寄生电感和寄生电阻，高阶寄生电阻和高阶寄生电感相互串联后，再与寄生电阻并联。该模型更好地反映涉及半导体有源器件在高频时的高阶寄生效应，因此，可以更高精度地模拟晶体管的性能，用于电路设计或者指导器件制备及工艺改进。
一种晶体管信号等效电路模型

[发明专利]减少电路寄生电阻的结构和方法-CN201210160110.5无效
发明人：范琳;魏泰 -专利权人：魏泰
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供减少电路寄生电阻的结构和方法，以减少寄生电阻对电路性能的影响；该减少电路寄生电阻的结构，包括锯齿状通孔链，所述该结构可以减少通孔电阻对电路性能的影响。
减少电路寄生电阻结构方法

[发明专利]金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法-CN201110032447.3有效
发明人：张昊 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法，该方法包括测量金属硅化物薄膜的第一电阻，以及两引脚之间的寄生电阻，通过将所述第一电阻减去所述寄生电阻得到金属硅化物薄膜的实际电阻，由于去除了寄生电阻，因而提高了金属硅化物薄膜的电阻模型精度
金属硅薄膜电阻模型提取方法

[发明专利]一种薄膜电阻测量结构及测量方法-CN202210855765.8在审
发明人：刘尧;刘筱伟;刘兴龙;陈达伟;史林森;刘森 -专利权人：微龛（广州）半导体有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜电阻测量结构及测量方法包括：寄生电阻测量模块及旁路电阻测量模块，寄生电阻测量模块包括M个寄生电阻测量单元，用于测量寄生电阻与薄膜电阻阻值，同一端的测试点彼此电连接；每个测试点设置有对应的金属层；旁路电阻测量模块包括N个旁路电阻测量单元，用于从寄生电阻中减去探针的接触电阻及薄膜电阻的影响，计算得到旁路电阻阻值，同一端的测试点共用一个金属层。不需要在多个位置进行多次测量并进行数据分析，得到的薄膜电阻阻值准确，测量结构及测量方法适用环境广泛。
一种薄膜电阻测量结构测量方法

[发明专利]肖特基变容管的大信号等效电路模型及其提参方法-CN201010556024.7有效
发明人：董军荣;黄杰;田超;杨浩;张海英 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：所述模型包括阳极PAD对地的寄生电容、引线寄生电感、串联寄生电阻、结区非线性电容、结区非线性电阻和阴极PAD对地的寄生电容；所述阳极PAD对地的寄生电容和引线寄生电感相串联，所述引线寄生电感和串联寄生电阻相串联，所述结区非线性电阻和结区非线性电容相并联后，再串联在串联寄生电阻和阴极PAD对地的寄生电容之间。
肖特基变容管信号等效电路模型及其方法

[实用新型]一种高压电池漏电诊断电路-CN202221455719.0有效
发明人：康兵;庄朝阳;王宝臣;范昊 -专利权人：上海金脉汽车电子有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01R31/385 文献下载
摘要：高压电池漏电诊断电路包括：高压电池、第一电阻、第二电阻、第一开关模块、第二开关模块和电阻模块；其中，高压电池的第一寄生电阻的第一端与高压电池的正极电连接，第一寄生电阻的第二端与高压电池的第二寄生电阻的第一端电连接，第二寄生电阻的第二端与高压电池的负极电连接，第二寄生电阻的第一端接地；第一开关模块的第二端与第二寄生电阻的第一端电连接；电阻模块的第一端与第二开关模块的第二端电连接，电阻模块的第二端与第二寄生电阻的第二端电连接，电阻模块的电压端用于输出电压，以对高压电池进行漏电诊断。
一种高压电池漏电诊断电路

[发明专利]一种提取寄生电阻的方法及系统-CN201510849739.4有效
发明人：吴玉平;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供一种提取寄生电阻的方法，包括以下步骤：对集成电路版图数据进行仿真；获取集成电路版图仿真数据；根据集成电路工艺参数对所述集成电路版图仿真数据进行寄生电阻提取。本发明还提供一种提取寄生电阻的系统。本发明方案能够有效解决集成电路制造过程中实际制造与集成电路设计的几何图形偏差而造成提取寄生电阻不精确的问题，提高寄生电阻提取的精确度。
一种提取寄生电阻方法系统

[发明专利]TFT-LCD驱动芯片版图设计中降低寄生参数影响的方法-CN201010231515.4无效
发明人：林康生;陈品霞 -专利权人：博嘉圣（福州）微电子科技有限公司
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种TFT-LCD驱动芯片版图设计中降低寄生参数影响的方法，其特征在于：包括减少寄生电容、降低寄生电阻、降低寄生电感及减少COMS器件产生的寄生参数；所述减少寄生电容包括减小导线长度、选择合适的金属层及将敏感信号隔离开；所述降低寄生电阻采用并联布线的方法，将金属线重叠形成并联结构；所述减少COMS器件产生的寄生参数即采用减少晶硅栅的串联电阻。本发明能有效的降低TFT-LCD驱动芯片版图设计中存在的寄生参数，提高的芯片性能，具有较好的使用价值。
tft lcd 驱动芯片版图设计降低寄生参数影响方法

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