|
钻瓜专利网为您找到相关结果 2448254个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种双导向双缓冲脚手架底座-CN201410603719.4在审
-
陈敏兆;赵理郁
-
芜湖合建路桥机械有限公司
-
2014-10-30
-
2015-01-28
-
E04G5/02
- 本发明提出一种双导向双缓冲脚手架底座,包括:圆形底板、第一圆柱件、弹性套、第二圆柱件、第三圆柱件、弹性块;第一圆柱件底端固定在圆形底板上,第一圆柱件顶端开设第一凹槽;弹性套套在第一圆柱件外周,弹性套下表面与圆形底板上表面接触,弹性套上表面不高于第一圆柱件上表面;第二圆柱件底端开设第二凹槽,第三圆柱件顶端伸入第二凹槽中并与第二圆柱件固定连接;第三圆柱件底端插入第一凹槽中,第一圆柱件顶端落入第二凹槽与第三圆柱件之间的环形空间中,第二圆柱件底端落在弹性套上。本发明中,第一圆柱件和第三圆柱件起到双导向作用,并且,弹性套和弹性块起到双缓冲作用,可以延长脚手架底座的使用寿命。
- 一种导向缓冲脚手架底座
- [发明专利]凹V形隧道挖掘机-CN201610386783.0在审
-
李壮志
-
李壮志
-
2016-06-05
-
2016-10-12
-
E21D9/11
- 一种凹V形隧道挖掘机;工作时,电动机一驱动上半凹V形刀柱一和下半凹V形刀柱一正转,电动机三驱动上半凹V形刀柱二和下半凹V形刀柱二反转,电动机二驱动上半凸V形刀柱正转,电动机二驱动下半凸V形刀柱反转,上半凹V形刀柱一、下半凹V形刀柱一、上半凹V形刀柱二、下半凹V形刀柱二以及上半凸V形刀柱、下半凸V形刀柱在转动中将其前端的土体切削;上半凹V形刀柱一、下半凹V形刀柱一在转动中将左端切削成凹V形头,上半凹V形刀柱二、下半凹V形刀柱二在转动中将右端切削成凹V形头;切削的土体传入输送装置中,由输送装置输送到隧道外;凹V形隧道挖掘机在推进过程中形成左右两端分别带有凹V形的隧道。
- 隧道挖掘机
- [发明专利]一种汽车制造低温快速焊接机-CN201510304549.4在审
-
郑锡金
-
天津广天自动化科技有限公司
-
2015-06-06
-
2017-01-04
-
B23K3/00
- 本发明属于汽车制造技术领域,尤其涉及一种汽车制造低温快速焊接机,所述第一支撑柱、第二支撑柱连接有横板,所述第一支撑柱上部设有第一限位柱,所述第二支撑柱上部设有第二限位柱,所述横板上设有第一限位孔、第二限位孔,所述第一限位柱穿过第一限位孔,所述第二限位柱穿过第二限位孔,所述第一限位柱上套有第一圆柱弹簧,所述第二限位柱上套有第二圆柱弹簧,所述第一限位柱的顶端套有第一紧固螺栓,所述第二限位柱的顶端套有第二紧固螺栓,所述第一限位板一侧连接有第一拉杆,所述第一拉杆穿过第一支撑柱且连接有第一气缸,所述第二限位板一侧连接有第二拉杆,所述第二拉杆穿过第二支撑柱且连接有第二气缸。
- 一种汽车制造低温快速焊接
- [发明专利]一种具有走线功能的办公屏风-CN202010662220.6在审
-
王德彩;朱俊;张昭满
-
中山市满一金属制品有限公司
-
2020-07-10
-
2020-10-02
-
A47G5/00
- 本发明提供了一种具有走线功能的办公屏风,其包括上走线装置、下走线装置、走线条槽、连接柱、设置在走线条槽左右两侧的第一线板和第二线板及设置在走线条槽上下两侧的A柱接,连接柱设置在一侧的A柱接上,上走线装置包括设置在第一线板上下两侧的上走线A柱接及设置在一侧的上走线A柱接上的上走线连接柱接,下走线装置包括设置在第二线板上下两侧的下走线A柱接及设置在一侧的下走线A柱接上的下走线连接柱接,这样,通过上走线连接柱接、上走线A柱接、下走线连接柱和下走线A柱接替代了原有屏风的包边铝材及中间连接铝材的穿孔部分,通过与连接柱及A柱连接使用,即可完成走线,不需要再使用设备去冲孔了,节约了设备投入和人工成本。
- 一种具有功能办公屏风
- [发明专利]一种方向柱以及电动滑板车-CN202210886174.7在审
-
李安康
-
台州市合顺金属制品有限公司
-
2022-07-26
-
2022-09-09
-
B62K21/16
- 本申请涉及一种方向柱,包括第一锁定件、第一柱、第二柱和两个把手,所述第一柱滑动连接在第二柱上,所述第二柱用于连接滑板本体,所述第一锁定件将第一柱锁定在第二柱上,两个把手连接在第一柱上,其特征在于:还包括两个第二锁定件,所述第一柱远离第二柱的一端设有安装块,所述安装块的两端分别位于第一柱的两侧,两个把手分别转动连接在安装块的两端,所述把手的转动轴线方向垂直于第一柱在第二柱上的滑动方向,两个第二锁定件分别将两个把手锁定在安装块上,当把手转动至折叠状态时,两个把手靠近第一柱设置且分别位于第一柱的两侧。
- 一种方向以及电动滑板
- [发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器系统-CN202211586228.4在审
-
华文宇
-
芯盟科技有限公司
-
2022-12-09
-
2023-06-23
-
H10B12/00
- 本公开实施例公开了一种半导体结构,包括:有源柱阵列,包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱,第一有源柱和第二有源柱均包括沟道区以及分别位于沟道区沿第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区,第一方向为沟道区延伸的方向;字线,环绕第一有源柱和第二有源柱;第一存储结构,位于有源柱阵列的第一侧,与第一有源柱的第一有源区电连接;第二存储结构,位于有源柱阵列的第二侧,与第二有源柱的第二有源区电连接;第一侧以及第二侧为有源柱阵列沿第一方向相对的两侧;第一位线,位于有源柱阵列的第二侧,与第一有源柱的第二有源区连接;第二位线,位于有源柱阵列的第一侧,与第二有源柱的第一有源区连接。
- 半导体结构及其制作方法存储器系统
- [发明专利]3D快闪存储器及其操作方法-CN202111173472.3在审
-
吕函庭;陈威臣
-
旺宏电子股份有限公司
-
2021-10-08
-
2023-03-31
-
G11C16/04
- 本公开提供一种3D快闪存储器,包括栅极叠层结构、环型通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱及电荷储存结构。栅极叠层结构设置于电介质基板上,包括相互电性隔离的多个栅极层。环型通道柱设置在该电介质基板上并穿过该栅极叠层结构。第一源极/漏极柱及第二源极/漏极柱设置在该电介质基板上,位于该环型通道柱内,穿过该栅极叠层结构,该第一源极/漏极柱及该第二源极/漏极柱各自耦接至该环型通道柱,相互分隔。电荷储存结构设置于各该栅极层与该环型通道柱之间。该第一源极/漏极柱及该第二源极/漏极柱的材料为P型掺杂半导体,该第一源极/漏极柱、该第二源极/漏极柱、该电荷储存结构、该环型通道柱型及这些栅极层形成多个存储单元。
- 闪存及其操作方法
|