专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]柱状纳米晶的建模方法及基于此的摩擦磨损研究方法-CN202211054446.3在审
  • 张子悦;张棋程;陈翔 - 南京理工大学
  • 2022-08-31 - 2022-12-02 - G16C60/00
  • 本发明属于材料模拟领域,具体涉及一种柱状纳米晶的建模方法及基于此的摩擦磨损研究方法。首先构建柱状纳米晶镍分子动力学仿真模型;然后将压头沿y方向以速度竖直向下,压入基体中,再在基体中给压头施以水平速度,在微正则系综下做匀速摩擦运动;最后进行仿真计算,得到随着时间的变化,压头在基体上摩擦时的摩擦曲线与传统分子动力学摩擦模拟实验相比较,本发明模型可更加细致明确地观察到柱状纳米晶镍在摩擦过程中的微观结构的变化,可用以指导柱状纳米晶材料的微观结构对摩擦性能的影响的实验,以便研究出更加耐磨的材料。
  • 柱状纳米建模方法基于摩擦磨损研究
  • [发明专利]磷酸二氢钾晶的制备方法-CN200910198198.8有效
  • 王燕;徐军;刘燕红;庞宛文;白丽华;张惠芳 - 上海大学
  • 2009-11-03 - 2010-05-19 - C01B25/30
  • 本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)晶的制备方法,它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养晶的方法,属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下:将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶,剩下部分切取两段,按既定角度方向磨平,磨成大小相同的两段晶体,将磨出的大小相同的对应面相对接,再把上下两顶磨平;然后再把欲形成的晶界面在接触面沿对角线打磨并进行抛光;然后将两段晶体的两锥面接触,使两锥面处在一条直线上;以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上;然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中,控制生长条件,使晶体在其中生长,最后生成两共轴成40°的KDP
  • 磷酸二氢钾孪晶制备方法
  • [发明专利]耐疲劳抗蠕变镁合金及其制备方法-CN202110281331.7有效
  • 霍庆欢;王春雨;杨续跃 - 中南大学
  • 2021-03-16 - 2022-02-18 - C22C23/00
  • %的Y元素,所述X元素为铋、锌和钕中的一种或多种,所述X元素中一种元素的添加量为其在镁基体中固溶极限的40%~100%,其他元素添加量≤1%;所述Y元素为钙、锰和锆中的任意一种;所述镁合金的晶粒内部含晶,且晶界处含无析出带。该镁合金耐疲劳性能和抗蠕变性能优良,该制备方法工艺设计合理、设备要求简单、操作方便、成本低、效率高,能够稳定制备出晶粒内部含晶且晶界处含无析出带的微观结构进而耐疲劳和抗蠕变性能得到改善的镁合金。
  • 疲劳抗蠕变镁合金及其制备方法
  • [发明专利]一种Cu-高熵合金薄膜及其制备方法-CN202111155888.2有效
  • 张金钰;李光亚;王亚强;吴凯;刘刚;孙军 - 西安交通大学
  • 2021-09-29 - 2022-12-09 - C23C14/18
  • Cu‑TaNbHfZr,其原子百分比为:不低于94.4的铜,其余元素为钽铌铪锆高熵合金,其中,钽铌铪锆高熵合金中原子百分比为钽:铌:铪:锆=1:1:1:1;微观结构为完全纳米晶,晶粒尺寸为35.4±2nm;包含纳米晶的晶粒百分数不低于90%,晶片层厚度为2.4~3.5nm,利用磁控溅射技术的优势,沉积过程中温度较低,有利于形成纳米晶及纳米晶结构,且不同靶材共溅射使得合金元素宏观分布均匀,从而获得多组元合金化Cu薄膜,薄膜致密,与基体结合良好;晶粒尺寸稳定在纳米晶范畴,晶粒中镶嵌有大量的纳米晶;合金组成、成分可调控;强度高、高热稳定性好。
  • 一种cu合金薄膜及其制备方法
  • [发明专利]一种多级晶-层错结构中熵合金及其制备方法-CN202211130256.5有效
  • 张显程;谢煜;陆体文;涂善东;姚宁;赵鹏程;孙彬涵 - 华东理工大学
  • 2022-09-16 - 2023-06-13 - C22F1/00
  • 本发明属于材料强化技术领域,具体涉及一种多级晶‑层错结构中熵合金及其制备方法。本发明先对块状中熵合金铸锭进行深冷处理,在低温环境中降低中熵合金材料的层错能,使其塑性变形能力增加,使其更加容易形成晶与层错,然后分别从立方体的三个垂直方向进行锻压,通过不同方向的锻压使中熵合金材料产生层错结构,随后去除中熵合金材料表皮的瑕疵,并通过退火处理,降低中熵合金材料中由于大变形引入的位错密度,并在一定程度上让中熵合金材料内部的晶粒稍有长大,从而使中熵合金材料的塑性变形能力恢复一部分,同时保留多级晶结构,制备得到低温高强韧的多级晶‑层错结构中熵合金。
  • 一种多级结构合金及其制备方法
  • [发明专利]一种纳米晶铜箔及其制备方法-CN202110498736.6有效
  • 卢磊;程钊;金帅 - 中国科学院金属研究所
  • 2021-05-08 - 2023-04-07 - C25D1/04
  • 本发明公开了一种纳米晶铜箔及其制备方法,属于电解铜箔制备技术领域。该铜箔利用直流电解沉积技术制备得到,其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该铜箔内部微观结构由柱状晶粒组成,自下而上,柱状晶粒尺寸由纳米量级逐渐增加到微米量级;柱状晶粒内存在纳米尺度的晶片层,晶粒的取向由随机取向变为强(111)织构。纳米晶铜箔的厚度为6微米时,其抗拉强度高于500MPa,同时具有较高的稳定性和导电性,在锂离子电池和电路板领域具有较好的应用前景。
  • 一种纳米铜箔及其制备方法

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