专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]手术动态监控管理系统-CN201810290865.4有效
  • 丁瑞芳;吴秀芳;陆叶青;龚熙 - 上海长海医院
  • 2018-04-03 - 2022-02-22 - G16H20/40
  • 一种手术动态监控管理系统,包括:设置在每个手术间中的手术监管终端,具有唯一的手术识别码,至少用于让在手术间中值班的护士在手术中实时输入预计的手术结束时间;管理装置,和手术监管终端通信连接,用于对手术的手术台次时间进行管理,其中,管理装置具有手术信息存储部、手术信息存储部、画面存储部、显示部、管理侧通信部、更新控制部、时间比对判断部、提醒信息生成部、手术状态判定部。所以,能够根据手术监管终端发送来的手术识别码以及预计手术结束时间提前知道该手术正在进行的手术的结束时间,从而提前对后续的手术进行安排,并且能够实时的知道手术的使用状态。
  • 手术动态监控管理系统
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210313842.3有效
  • 井本孝志;安藤善康;谷本亮;岩本正次;野田真史 - 株式会社东芝
  • 2012-08-29 - 2013-06-26 - H01L23/488
  • 半导体器件(50)具备:形成有外部连接端子(12)的基板;载置在基板(2)的第一面(2a)上的控制器(4);配置在控制器(4)的一侧的树脂制的第一隔件(6a);隔着控制器(4)而载置在第一隔件的相反侧的树脂制的第二隔件(6b);跨第一隔件和第二隔件而载置在第一隔件和第二隔件之上的存储芯片(8);对由存储芯片、第一隔件、第二隔件和基板包围的空间(18)以及存储芯片的周围进行密封的树脂模制部(10)。由此,能实现连接控制器和外部连接端子的布线和/或连接控制器和存储芯片的布线的等长化和/或缩短化,并且能抑制产品翘曲。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]用于存储事件排期的方法和装置-CN201210059906.1无效
  • 史砚 - 北京千橡网景科技发展有限公司
  • 2012-03-05 - 2012-09-12 - G06Q10/10
  • 本发明提供一种用于存储事件排期的方法。该方法包括:确定第一时单元,其中事件以第一时单元为单位发生;选择第二时单元,其中将以第二时单元为单位存储事件的发生,该第二时单元包括多个第一时单元;控制存储对应于第二时单元的二进制位串作为事件排期条目,其中以二进制位串中的位一一对应第二时单元中包括的多个第一时单元的每一个,并且以二进制位串中位的值指示对应的第一时单元中有无事件的发生。
  • 用于存储事件方法装置
  • [发明专利]快闪存储器及其制作方法-CN200910051850.3无效
  • 张艳红;杨林宏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-05-22 - 2010-11-24 - H01L21/8247
  • 本发明提出一种快闪存储器及其制作方法。其中快闪存储器的制作方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极结构,栅极结构两侧的半导体衬底内形成有源极和漏极,半导体衬底上形成有覆盖栅极结构的层介质层,其中层介质层中包含有贯穿层介质层露出源极或漏极或栅极结构的导电插塞;在导电插塞和部分层介质层上形成金属连线;在层介质层和金属连线上形成阻挡层。本发明提高了快闪存储器的编程和擦除速率,进而提高了编程/擦除循环的耐用性,使快闪存储器的寿命延长。
  • 闪存及其制作方法
  • [发明专利]半导体存储装置及存储器系统-CN201610133579.8无效
  • 小玉枝梨华;岩井斎 - 株式会社东芝
  • 2016-03-09 - 2017-03-15 - G11C16/14
  • 本发明的实施方式提供一种能够抑制存储单元晶体管的劣化的半导体存储装置及存储器系统。实施方式的半导体存储装置具有第1及第2动作模式,且具备存储单元晶体管与字线。对于存储单元晶体管,在删除数据的情况下,施加删除脉冲,在写入数据的情况下,施加编程脉冲。在处于第1动作模式时,施加第1期的删除脉冲或编程脉冲。在处于第2动作模式时,施加比第1期长的第2期的删除脉冲或编程脉冲。
  • 半导体存储装置存储器系统
  • [发明专利]相变存储器设备编程的方法、相变存储器设备和电子系统-CN202011173740.7在审
  • F·E·C·迪塞格尼;M·F·佩罗尼;C·托尔蒂 - 意法半导体股份有限公司
  • 2020-10-28 - 2021-05-04 - G11C13/00
  • 本公开的实施例涉及相变存储器设备编程的方法、相变存储器设备和电子系统。用于对差分型相变存储器设备编程的实施例方法包括,在第一时间隔内,借助设置和重置之间的电流对属于第一编程驱动器的直接存储器单元或相应互补存储器单元编程;并且,在相同的第一时间隔内,借助设置和重置之间相同的电流对第二编程驱动器的直接存储器单元或相应互补存储器单元编程方法还包括,在第二时间隔内,借助设置和重置之间的另一电流对属于第一编程驱动器的另一直接存储器单元或相应互补存储器单元编程;并且,在同样的第二时间隔内,借助设置和重置之间相同的另一电流对第二编程驱动器的另一直接存储器单元或相应互补存储器单元编程
  • 相变存储器设备编程方法电子系统

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