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[发明专利]气体处理装置及气体处理方法-CN200710100810.4无效
发明人：加藤利明;后藤清一;今村启志 -专利权人：康肯科技股份有限公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明提供一种气体处理装置，其采用将氮用作工作气体的大气压等离子体，能够热分解处理对象气体而不副产氮氧化物。对于围绕大气压等离子体P及向大气压等离子体P供给的处理对象气体F、其内部具有进行处理对象气体F的热分解的反应器22、使用氮气作为工作气体G的等离子体分解机12，设置在含有从等离子体分解机12排出的热分解后的处理对象气体
气体处理装置方法

[发明专利]等离子体探测装置、等离子体处理装置和控制方法-CN202010861394.5有效
发明人：池田太郎;佐藤干夫;镰田英纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体探测装置、等离子体处理装置和控制方法。本发明的一方式的等离子体探测装置包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件，安装在形成于处理容器的壁的开口部；和透光部，其设置于所述天线部的内部或者是所述天线部的至少一部分，能够使所述真空空间中生成的等离子体的发出光透射到所述大气空间根据本发明，能够高精度地监视等离子体生成空间中的自由基密度。
等离子体探测装置处理控制方法

[发明专利]包括等离子体生成装置的内燃机-CN200810161705.6无效
发明人：堤崎高司;石川友美;冈部仁 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： F02M23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于内燃机的等离子体生成装置，所述等离子体生成装置设定用于生成等离子体的生成大气压为吸入压力，从而实现等离子体生成装置尺寸、重量和能耗的减小和可燃性的提高。等离子体生成装置包括等离子体生成器，该等离子体生成器具有用于将吸入空气转化成等离子体态以生成等离子体的生成室。等离子体生成室将等离子体供给到节流阀与吸入阀之间的吸入通路的下游通路，并布置在空气清洁室与生成室之间的导入通路内。
包括等离子体生成装置内燃机

[发明专利]利用等离子体蚀刻衬底的方法和设备-CN200780033613.3无效
发明人： W·M·M·凯塞尔斯;M·C·M·范德桑登;M·A·布劳威;F·鲁泽布姆 -专利权人：艾恩德霍芬科技大学
申请日： 2007-07-12 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在利用等离子体蚀刻衬底的方法和设备中，等离子体在基本低于大气压的压强下，在等离子体源(1)的阴极和阳极之间以及在所述阴极和阳极之间的具有至少一个导电级联板的系统的通道中被产生和加速。所述等离子体从所述等离子体源释放到处理室(2)，所述衬底(9)在所述处理室中暴露于所述等离子体。工作期间，所述处理室保持在减少的、近似真空的压强下。在所述暴露期间在所述衬底和所述等离子体之间施加交流偏压。
利用等离子体蚀刻衬底方法设备

[发明专利]具有良好底层的取向硅钢生产的硅酸喷涂方法及装置-CN200810041085.2有效
发明人：胡卓超;杨勇杰;李国保;吴培文 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2008-07-28 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C23C4/16 文献下载
摘要：用于具有良好底层的取向硅钢生产的硅酸镁喷涂方法，将经过轧制及脱碳退火的取向硅钢带钢进入等离子喷涂硅酸镁室内进行等离子喷涂硅酸镁处理，等离子溅涂硅酸镁室内带钢上下错开设置至少四个等离子体发射源(1、2、3、4)，每个等离子体发射源相对在带钢另一侧设置气体喷射冷却装置，等离子体发射源距带钢的距离：100～200m；喷涂时间：200～300秒；等离子Ar气体流量：14～20L/min。
具有良好底层取向硅钢生产硅酸喷涂方法装置

[发明专利]一种大气下气液共沉积热障涂层及其快速制备方法-CN201910774514.5有效
发明人：李成新;刘森辉;张惠宇;张山林;杨冠军;李长久 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明提供了一种大气下气液共沉积热障涂层及其快速制备方法，所述方法应用于等离子制备系统中，所述方法应用于等离子制备系统中，所述等离子制备系统包括待喷涂涂层的基体，夹持所述基体的基体控制单元，以及位于所述基体正上方的等离子产生单元，所述等离子产生单元分别与射流稳定控制单元和送粉控制单元连接；本发明将等离子射流与基体之间的喷涂距离控制在130～300mm内，在大气条件下利用300～900mm的超长等离子体射流对粒径为1～30μm的纳米软团聚YSZ粉末进行加热，以向基体喷射大量充分熔化的高温液滴，最终在大气条件下直接在热端部件的表面制备具有气相和液相共沉积的YSZ热障涂层，能有效降低金属热端部件材料的热导率。
一种大气下气沉积热障涂层及其快速制备方法

[发明专利]等离子体装置-CN201010169836.6有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-01-30 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法，具有使用喷射导电性材料的第1溶液喷射单元来形成布线的工序；使用第2溶液喷射单元在上述布线上形成抗蚀剂掩膜的工序；以及以上述抗蚀剂掩膜作为掩膜，使用具有线状等离子体发生单元的大气压等离子体装置或将多个等离子体发生单元呈线状排列的大气压等离子体装置将上述布线进行刻蚀的工序
等离子体装置

[发明专利]半导体器件及显示装置的制造方法-CN200480003254.3无效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-01-30 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法，具有使用喷射导电性材料的第1溶液喷射单元来形成布线的工序；使用第2溶液喷射单元在上述布线上形成抗蚀剂掩膜的工序；以及以上述抗蚀剂掩膜作为掩膜，使用具有线状等离子体发生单元的大气压等离子体装置或将多个等离子体发生单元呈线状排列的大气压等离子体装置将上述布线进行刻蚀的工序
半导体器件显示装置制造方法

[发明专利]一种基于大气压辉光的低温等离子体系统-CN200910058641.1有效
发明人：宋红兵 -专利权人：成都同明新材料技术有限公司
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于大气压辉光的低温等离子体系统，涉及大气压辉光等离子体系统及相应液相注入引发化学反应体系，目的是解决现有等离子体液相注入系统存在液相易进入等离子体区造成不利影响的问题，包括至少两个由平板电极相对的空间构成的等离子体区；设置在上述等离子体区之间能够连续传送基材的传动机构；雾化器，用于将液相雾化后通入等离子体系统；气体入口，用于将工作气体通入体系；所述平板电极水平放置，等离子体区为水平的上下层结构，平板电极的一端连接有引导板，形成引导区，传动机构通过该引导区；气体入口设置在平板电极与引导板的连接处，气体入口进入的气流方向在两个等离子体区中分别与基材的运动方向相同或相反。
一种基于大气压辉光低温等离子体系统

[发明专利]用于硬盘驱动器的挠曲部的等离子体处理-CN202110652890.4在审
发明人： K·F·菲舍尔;A·W·哈斯;M·J·霍纳;P·F·拉德维希;C·C·明顿;P·V·佩萨文托;D·D·什马赫尔;C·J·斯佩尔;D·C·叙德罗;R·K·蒂瓦里;K·T·托比亚斯;M·O·优素福 -专利权人：哈钦森技术股份有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：一种用于制造柔性电路的方法可包括利用大气等离子体和离子束中的至少一种对柔性电路的表面进行处理。大气等离子体被通过将气体流引导到电机和柔性电路的该表面之间并在电机和柔性电路之间生成电压以便从该气体产生等离子体而形成。离子的平均离子能量从约500电子伏特变化到约1,500电子伏特。
用于硬盘驱动器挠曲等离子体处理

[发明专利]用于硬盘驱动器的挠曲部的等离子体处理-CN201680035848.5有效
发明人： K·F·菲舍尔;A·W·哈斯;M·J·霍纳;P·F·拉德维希;C·C·明顿;P·V·佩萨文托;D·D·什马赫尔;C·J·斯佩尔;D·C·叙德罗;R·K·蒂瓦里;K·T·托比亚斯;M·O·优素福 -专利权人：哈钦森技术股份有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：一种用于制造柔性电路的方法可包括利用大气等离子体和离子束中的至少一种对柔性电路的表面进行处理。大气等离子体被通过将气体流引导到电机和柔性电路的该表面之间并在电机和柔性电路之间生成电压以便从该气体产生等离子体而形成。离子的平均离子能量从约500电子伏特变化到约1,500电子伏特。
用于硬盘驱动器挠曲等离子体处理

[发明专利]一种用于锆合金包壳的复合陶瓷涂层制备方法-CN201811329858.7在审
发明人：张吉阜;刘敏;代明江;邓春明;邓畅光;宋进兵;陈兴驰 -专利权人：广东省新材料研究所
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：该方法包括对锆合金包壳依次进行等离子体电解氧化和大气等离子喷涂的复合处理工艺。使等离子体电解氧化处理后氧化锆包壳表面原位生成5～120μm厚的ZrO₂陶瓷底层，以及等离子喷涂后形成50～200μm厚的YSZ陶瓷面层。
锆合金包壳复合陶瓷涂层制备等离子体电解氧化核燃料金属表面处理技术大气等离子喷涂表面原位生成防腐耐磨性能复合处理工艺等离子喷涂复合陶瓷层金属过渡层表面原位腐蚀性能厚度均匀结构致密界面结合陶瓷底层陶瓷面层吸收效率抗高温减小水蒸引入污染

[发明专利]一种大气压下冷等离子体-醇协同还原制备负载型金属催化剂的方法-CN201610898559.X有效
发明人：底兰波;张秀玲;李壮;段栋之;谢伟 -专利权人：大连大学
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： B01J37/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种大气压下冷等离子体‑醇协同还原制备负载型金属催化剂的方法。该方法采用大气压冷等离子体，以惰性气体为工作气体并携带醇蒸汽，对浸渍法获得负载于载体上的金属前驱体进行还原制备负载型金属催化剂。本发明所述等离子体制备方法属干法制备，可有效避免湿法工艺后期干燥，易使金属纳米粒子变大的缺点。此外，该法无需使用危险的氢气，利用大气压冷等离子体与价廉易得醇类的协同作用，进行金属离子还原，是一种简单、快速、安全、环境友好的负载型金属催化剂制备新工艺。该制备工艺可有效解决大气压下惰性气体放电冷等离子体电子能量较低时，无法实现金属离子还原的问题。
一种大气压下等离子体协同还原制备负载金属催化剂方法

[发明专利]一种高密度贯穿型垂直裂纹热障涂层及其快速制备方法-CN201910775413.X有效
发明人：李成新;刘森辉;张惠宇;张山林;杨冠军;李长久 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C23C4/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种高密度贯穿型垂直裂纹热障涂层及其快速制备方法，所述方法应用于等离子制备系统中，所述方法应用于等离子制备系统中，所述等离子制备系统包括待喷涂涂层的基体，夹持所述基体的基体控制单元，以及位于所述基体正上方的等离子产生单元，所述等离子产生单元分别与射流稳定控制单元和送粉控制单元连接；本发明将等离子射流与基体之间的喷涂距离控制在150～300mm内，在大气条件下利用150～600mm的超长等离子体射流对粒径为39～75μm的球形中空YSZ粉末进行加热，以向基体喷射大量充分熔化的高温液滴，显著提高喷涂过程中的同步沉积温度，最终在大气条件下直接在热端部件的表面制备可控裂纹间距的高密度贯穿型垂直裂纹热障涂层。
一种高密度贯穿垂直裂纹热障涂层及其快速制备方法

[发明专利]一种低温等离子体内窥镜消毒装置及方法-CN201310287335.1有效
发明人： M·刚玉·孔;王小华;刘定新 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： A61L2/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温等离子体内窥镜消毒装置及方法，该装置包括气体控制模块、电源激励模块、等离子体发生模块，气体控制模块通过流量控制器控制稀有气体和强活性掺杂气体，实现气体配比和流速可调；电源激励模块利用正弦或脉冲高压电源，为所述等离子体发生模块提供稳定的激励；等离子体发生模块通过分段间隙的电极结构，利用以稀有气体为主的混合气体产生大气压冷等离子体射流。本装置可以在大气压下产生长度在1cm到2m，直径在0.2mm到10mm范围内，均匀、稳定、常温、强活性的等离子体射流，适用于不同尺寸内窥镜的消毒处理。
一种低温等离子体内窥镜消毒装置方法

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