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[发明专利]一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法-CN202111225048.9在审
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;周鹏飞 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法对多晶硅靶材和铜背板分别采用不同的预处理方式和浸润处理方式提高二者的浸润效果，之后在处理后铜背板上放置铜丝，将所述处理后多晶硅靶材扣合在上面，并依次叠合处理后铜背板、铜丝、处理后多晶硅靶材、耐高温硅胶、木块和金属压块，冷却后完成钎焊。本发明提供的多晶硅靶材与铜背板的钎焊方法解决了多晶硅靶材与铜背板焊接时不能有效浸润、焊料易流失导致形成的焊接层厚度很薄的问题，得到的多晶硅靶材与铜背板的钎焊结合率高、焊接结合强度高且焊接抗拉强度高，可满足多晶硅溅射靶材使用要求
一种多晶硅靶材背板钎焊方法

[发明专利]一种使用粉料的铸造多晶硅靶材的方法-CN201711457083.7有效
发明人：王峰;张磊;姚玉杰 -专利权人：青岛蓝光晶科新材料有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅靶材铸造技术领域，特别涉及一种使用粉料的铸造多晶硅靶材的方法。本发明在多晶硅靶材铸造过程中，通过装料方法、工艺控制的改善，达到微米级粉料彻底熔化避免粘埚的目的，得到符合要求的靶材整锭；通过此方法可将降低对原料颗粒度的要求，从而降低了使用原料的成本；通过该方法避免由粘埚产生的硅锭裂纹，提高多晶硅靶材整锭的品质。
一种使用铸造多晶硅靶材方法

[发明专利]高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法-CN202110686477.X在审
发明人：石煜;曾墩风;王志强;李小龙;田晓磊 -专利权人：芜湖映日科技股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种高透过率硅旋转溅射靶材的制备方法，通过采用6N多晶硅重掺原料和5N多晶硅高阻原料进行破碎成粉得到6N多晶硅半成品原料和5N多晶硅半成品半成品原料，将6N多晶硅半成品原料和5N多晶硅半成品半成品原料混合稀释制得杂质含量低的高纯硅粉末，这样喷涂制得的靶材杂质含量降低，尤其是B，提高靶材在镀膜过程产品的透过率，LAB值≥93%，减低客户使用成本及满足客户大尺寸产品镀膜需求。
透过旋转溅射制备方法

[发明专利]一种磷掺杂多晶硅薄膜及其制备方法-CN201510353648.1有效
发明人：王宙;骆旭梁;付传起;董桂馥;雍帆;张庆乐 -专利权人：大连大学
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷掺杂多晶硅薄膜及其制备方法，属于功能材料领域。通过将多晶硅粉末与磷粉末按比例混合均匀，压片、真空烧结制得硅靶材，将硅靶材和石英玻璃基片放入真空系统中，采用激光溅射沉积的方法制备出磷掺杂多晶硅薄膜。本发明获得的磷掺杂多晶硅薄膜，其横向应变系数绝对值的最大值可达24.3；横向应变系数的非线性在1‑2.5％之间，比现有的多晶硅薄膜降低了0.5％；采用本发明方法可以使多晶硅薄膜掺杂均匀、平整度高、致密性好且控制晶粒尺寸范围为0.1μm～0.5μm；本发明制备方法简单、成本低、可控性强，为多晶硅薄膜领域拓展了新思路。
一种掺杂多晶薄膜及其制备方法

[发明专利]一种钨硅靶材的制备方法-CN201910864942.7在审
发明人：李保强;祁美贵;刘文迪;李斌玲;郑艾龙;黄志民 -专利权人：厦门虹鹭钨钼工业有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钨硅靶材的制备方法，以纯度≥6N的多晶硅粒代替硅粉为原料进行钨硅靶材的制备，克服了硅粉纯度偏低、高纯度硅粉成本高的问题；并且，基于多晶硅粒的纯度更容易得到保证的情况，原料更易获取，不仅能够保证制备的钨硅靶材的纯度由于硅材料相对于钨材料更容易破碎，本发明以多晶硅粒为原料直接和钨粉进行混合破碎，在对多晶硅粒进行破碎的同时，可与钨粉进行充分混合，进而通过一个步骤即可得到钨硅混合料，提高生产效率。由于多晶硅粒的破碎与钨硅粉体的制备在一台设备(球磨机)上连续进行，避免了因工艺流程过长而对材料造成的污染，有助于保证材料的纯度；同时降低了生产成本。
多晶硅钨硅制备破碎靶材硅粉钨粉球磨机充分混合高纯度硅生产效率工艺流程硅材料混合料钨材料保证粉体生产成本污染

[发明专利]一种掺杂区熔硅单晶的制备方法-CN201210530394.2有效
发明人：刘志伟;闫志瑞;陈海滨;付斌;黄龙辉;李明飞 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：一种掺杂区熔硅单晶的制备方法，它包括以下步骤(1)将多晶硅料磨锥、腐蚀、清洗、干燥；(2)将多晶硅料固定在磁控溅射仪空腔中，掺磷硅靶装好，抽真空至5*10^-3Pa，然后通入氩气，腔内压强为1Pa，在两电极之间施加500Kv的高电压，电离出的氩离子不断轰击靶材，靶材中的磷和硅原子获得能量溅射出来，沉积到多晶硅表面，形成一层均匀致密的磷/硅薄膜，溅射经过30～90分钟后中止溅射，打开溅射腔将多晶硅旋转180°，重复上述步骤，继续溅射相同时间；(3)取出多晶硅料，放入区熔硅单晶炉中，将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩，直至等径保持，收尾。
一种掺杂区熔硅单晶制备方法

[发明专利]一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜及其制备方法-CN201510477028.9在审
发明人：王宙;骆旭梁;董桂馥;付传起;雍帆 -专利权人：大连大学
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法，该方法为：选取硅靶材和硼靶材，将硅靶材、硼靶材和处理后的基板放入真空系统中，抽真空至1.0×10^-4Pa，基板温度为600～700℃，基板与靶材间距离为3～5cm；用激光器发射激光，控制频率为1～4Hz，溅射1～3小时；最后将薄膜在800～900℃下退火1～3h，得硼掺杂多晶硅薄膜。本发明的制备方法可以有效控制多晶硅薄膜的厚度以及硼掺杂浓度，工艺简单，重复性好，成本低廉，制得的薄膜致密性好，具有优异的压阻特性和高温稳定性；电阻的温度系数小，应变系数大，为多晶硅压力传感器的发展提供了新思路
一种高压特性掺杂多晶薄膜及其制备方法

[发明专利]多晶型太阳能电池面板及其制造方法-CN201180016052.2无效
发明人：中山一郎;山西齐;大井户良久;上木原伸幸;奥村智洋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于通过简便地形成具有PN结的多晶硅膜而提供低成本的多晶型硅太阳能电池。具体来说，对使用含掺杂剂硅靶材进行溅镀成膜而得的非晶硅膜，利用等离子体进行多晶化，且在该膜上形成PN结，从而形成具有PN结的多晶硅膜，将其作为多晶型硅太阳能电池的硅基板。此外，本发明提供一种从硅晶锭获得含掺杂剂硅靶材的方法。
多晶太阳能电池面板及其制造方法

[实用新型]一种多晶硅靶材制作装置-CN201821575006.1有效
发明人：魏明刚 -专利权人：深圳市福耐科技有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅靶材制作装置，包括坩埚，所述的坩埚内腔底部且接近其内侧表面的位置设置有固定挡板，所述的坩埚外表面顶部一周盖有第一固定环，所述的第一固定环顶部与底部表面且与坩埚顶部开口相对齐的位置贯穿开设有固定通孔，所述的第一固定环底部表面且与坩埚顶部相对齐的位置开设有第一固定卡槽，本实用新型涉及靶材制作设备技术领域。该一种多晶硅靶材制作装置，达到了有利于提高整体制作效率的目的，整个装置结构较简单，使用成本较低，且便于拆卸组装，使用方便，在装料的同时完成多晶硅颗粒料和铁硼合金掺杂剂的混匀，有利于提高整体的靶材制作效率，且有利于提高获得的多晶硅靶材的品质，且操作简易。
多晶硅靶坩埚制作装置固定环本实用新型底部表面靶材多晶硅颗粒装料便于拆卸顶部开口固定挡板固定卡槽固定通孔内侧表面铁硼合金整体制作制作设备装置结构坩埚内腔掺杂剂混匀组装简易贯穿制作

[发明专利]一种减小多晶硅靶材整锭头尾部电阻偏差的方法-CN201810090867.9有效
发明人：王峰;张磊;姚玉杰;谭毅 -专利权人：青岛蓝光晶科新材料有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅靶材铸造技术领域，特别涉及一种减小多晶硅靶材整锭头尾部电阻偏差的方法。本发明通过硼磷双补偿的方法，利用硼和磷在硅液中的分凝系数不同，且能够引起电阻率的可控变化，来实现整锭电阻区间范围较小的目的。
一种减小多晶硅靶材整锭头尾部电阻偏差方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜组件的制备方法-CN201210391806.9有效
发明人：夏雨 -专利权人：夏雨
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅薄膜组件的制备方法，包括清洗玻璃基底，配置环境，以高纯镍和高纯硅分别作为靶材，预溅射以除去硅、镍靶材靶表面的杂质；再在适合环境下开始镀膜，镀膜过程中两靶分别控制实现共同溅射，靶和基底的距离为200~300mm，镍靶的溅射时间为20～30min，硅靶的溅射时间为15～25min；在多晶硅薄膜表面镀制导电透明电极，完毕后在磁控溅射室内氩气氛围中退火，待样品温度降为室温时取出样品；再置于H3PO4∶醋酸∶HNO3∶HF∶H2O＝12∶1∶1∶2∶4的腐蚀液中浸泡5~15min，然后再进行镀反射膜，即可获得多晶硅薄膜组件。
一种多晶薄膜组件制备方法

[发明专利]一种改进的多晶硅薄膜的制备方法-CN201210534394.X无效
发明人：杨利云 -专利权人：杨利云
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种改进的多晶硅薄膜的制备方法，包括清洗玻璃基底，配置环境，在多晶硅衬底上获得一层SiO2颗粒膜作为过渡层，以高纯镍和高纯硅分别作为靶材，预溅射以除去硅、镍靶材靶表面的杂质；再在适合环境下开始镀膜，镀膜过程中两靶分别控制实现共同溅射，靶和基底的距离为200~300mm，镍靶的溅射时间为20～30min，硅靶的溅射时间为15～25min；镀膜完毕后在磁控溅射室内氩气氛围中退火，待样品温度降为室温时取出样品；再置于H3PO4∶醋酸∶HNO3∶HF∶H2O＝12∶1∶1∶2∶4的腐蚀液中浸泡5~15min，然后再进行镀膜，即可获得多晶硅薄膜。
一种改进多晶薄膜制备方法

[发明专利]一种多晶硅表面金属薄膜的制备装置及其制备方法-CN201510120322.4在审
发明人：张华;陆燕;李志扬 -专利权人：南通大学
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅表面金属薄膜的制备装置及其制备方法，该方法是将多晶硅片和金属靶材分别连接于高压脉冲电源的正极和负极并置于充入氩气的真空室内，两者之间的电场使氩气电离，形成的氩离子轰击金属靶材，产生溅射粒子沉积于多晶硅片表面，该多晶硅片表面在高压脉冲电源的间隔时间内，受到激光的扫描加热，加快溅射粒子的渗入，且溅射与激光加热按高压脉冲的频率循环往复进行，使多晶硅片表面形成金属薄膜。本发明在多晶硅表面制备的金属薄膜均匀性好，膜基结合力高，同时装置结构相对简单，易于安装、检修。
一种多晶表面金属薄膜制备装置及其方法

[实用新型]一种多晶硅表面金属薄膜的制备装置-CN201520155987.4有效
发明人：张华;陆燕;李志扬 -专利权人：南通大学
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅表面金属薄膜的制备装置，该方法是将多晶硅片和金属靶材分别连接于高压脉冲电源的正极和负极并置于充入氩气的真空室内，两者之间的电场使氩气电离，形成的氩离子轰击金属靶材，产生溅射粒子沉积于多晶硅片表面，该多晶硅片表面在高压脉冲电源的间隔时间内，受到激光的扫描加热，加快溅射粒子的渗入，且溅射与激光加热按高压脉冲的频率循环往复进行，使多晶硅片表面形成金属薄膜。本实用新型在多晶硅表面制备的金属薄膜均匀性好，膜基结合力高，同时装置结构相对简单，易于安装、检修。
一种多晶表面金属薄膜制备装置

[发明专利]一种砷、磷元素共掺制备n型多晶硅靶材的铸造工艺-CN201811025321.1有效
发明人：王凯;李鹏廷;谭毅 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷、磷元素共掺制备n型多晶硅靶材的铸造工艺，具有如下步骤：用Si3N4喷涂石英坩埚内壁，所述石英坩埚内壁底部铺满一层细单晶锅底料所述石英坩埚内壁侧壁用p型低阻小方锭护边，之后向所述石英坩埚内依次加入掺磷、砷元素的n型小方锭，MR循环料和一层细单晶锅底料，并用p型低阻小方锭封口，铺平压实；之后经过预热、熔炼、长晶、退火和冷却脱模得到n型多晶硅靶材本发明可将多晶硅料的纯度要求从5N降到3N，节约了原料成本；通过共掺砷和磷元素，实现了n型多晶硅靶材中元素含量和电阻率的精确调控。
一种元素制备多晶硅靶材铸造工艺

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