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[发明专利]金刚石单晶薄膜的制造方法-CN93112459.X无效
发明人：张志明;李胜华;蔡琪玉;闵乃本 -专利权人：上海交通大学
申请日： 1993-06-17 - 公布日： 1994-12-21 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：金刚石单晶薄膜的制造方法，它属于一种用于半导体材料与器件的金刚石单晶薄膜制造方法。在以氢气和丙酮为反应气体，用微波等离子体CVD或热丝CVD在取向的金刚石衬底上进行同质外延过程中，采用在反应气体中添加适量氧气和惰性气体，同时对衬底进行研磨处理的工艺，结果能得到平整光滑的，结晶完整性好的取向同质外延金刚石单晶薄膜
金刚石薄膜制造方法

[发明专利]一种电流均匀的LED芯片及其制作方法-CN201910427367.4在审
发明人：仇美懿;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流均匀的LED芯片，包括衬底，设置在衬底上的外延层，设置在外延层上的透明导电层、第一电极和第二电极，以及设置在透明导电层上导电薄膜层，所述导电薄膜层位于芯片发光不均匀处，所述导电薄膜层由导电材料制成，所述导电材料的电阻率为1*10^‑8‑3*10^‑8欧姆/米，透光率大于95％，且所述导电薄膜层的厚度小于500埃。本发明通过在芯片的发光不均匀处设置一层导电薄膜层，使得芯片电流分布均匀，提高芯片的亮度均匀性，使芯片发光更加均匀。
导电薄膜层芯片发光透明导电层导电材料不均匀外延层衬底亮度均匀性上导电薄膜第二电极第一电极芯片电流电阻率透光率制作

[发明专利]在复合结构上制造外延生长层的方法-CN200980102590.6有效
发明人： B·福雷;A·马尔科韦基奥 -专利权人：硅绝缘技术公司
申请日： 2009-01-06 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过外延生长制造材料的方法，其包括在复合结构(14)上外延生长至少一层材料(15)的步骤。所述复合结构包含至少一层结合在载体衬底(10)上的薄膜(4)，在载体衬底(10)和薄膜(4)之间沉积形成结合层(25)，薄膜(4)和载体衬底(10)的平均热膨胀系数为7×10-6K-1或更高。通过在载体衬底(10)的结合面和/或薄膜(4)的结合面上低压化学气相沉积(LPCVD)硅氧化物层而形成所述氧化物结合层(25)。薄膜(4)的厚度小于或等于氧化物层的厚度。
复合结构制造外延生长方法

[发明专利]一种制备GaN薄膜材料的方法-CN201210316953.X有效
发明人：修向前;华雪梅;林增钦;张士英;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
一种制备 gan 薄膜材料方法

[发明专利]一种稀磁性半导体薄膜材料外延结构和制备方法-CN202310239592.1在审
发明人：张珂 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀磁性半导体薄膜材料外延结构和制备方法，外延结构包括由下至上依次设置的：p‑GaAs衬底、p‑ZnTe薄膜层、ZnTe阻止层、(Zn，Cr)Te磁性层、AlN绝缘层、Au电压引出层，所述p‑ZnTe薄膜层的掺杂元素为N原子。本发明在p‑ZnTe薄膜层和(Zn，Cr)Te磁性层上生长ZnTe阻止层，可以防止p‑ZnTe薄膜层中的N原子扩散至(Zn，Cr)Te磁性层，从而改变含(Zn，Cr)Te磁性层磁学特性，并进一步提高器件的有效工作温度
一种磁性半导体薄膜材料外延结构制备方法

[发明专利]一种复合薄膜材料及其制备方法与应用-CN201610718416.6有效
发明人：曲小姝;刘树萍;王洁;刘影;丰慧 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C03C17/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合薄膜材料的制备方法，包括：S1)将外延生长二氧化钛纳米线的导电基材用硅烷进行修饰，得到修饰后的导电基材；S2)将修饰后的导电基材用酸溶液浸泡后，依次重复在多金属氧酸盐溶液与)聚电解质溶液中浸泡，得到复合薄膜材料。与现有技术相比，本发明以二氧化钛纳米线作为多金属氧酸盐膜的辅助材料，依次在外延生长二氧化钛纳米线的导电基材上构筑多金属氧酸盐膜与聚电解质膜，使得到的复合薄膜材料具有优异的氧化还原性能和电致变色性能。
一种复合薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料及其制备方法-CN201910920569.2有效
发明人：张科军;刘剑敏;戴建明;朱雪斌;孙玉平 -专利权人：荆楚理工学院
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C01G45/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料，其生长在衬底上，所述双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料的化学式为La1‑xCaxMnO3，0.35＜x≤1，其双层结构由一层沿着衬底外延生长的0‑40 nm厚的连续层和垂直于连续层的纳米柱层构成，所述纳米柱层沿着连续层外延生长本发明还公开了一种具有垂直排列纳米结构的双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料的制备方法及其应用。本发明的材料具有显著的垂直磁异向性和可调的、具有宽的工作温度范围的低场磁阻效应。
一种具有垂直排列纳米结构双层钙钛矿锰氧化物单相薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种Bi₆Ti₃Fe₂O₁₈层状多铁外延薄膜及其制备方法-CN201610937184.3有效
发明人：曹逊;金平实;孙光耀 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种Bi₆Ti₃Fe₂O₁₈层状多铁外延薄膜及其制备方法，所述薄膜采用脉冲激光沉积法制得，化学组成为Bi本发明的Bi₆Ti₃Fe₂O₁₈层状多铁薄膜物相纯度高,XRD表征结果无杂相，且TEM结果表明薄膜具有良好外延特性，铁电性能良好且同时具备可观的铁磁性，是优异的室温多铁薄膜材料，非常有利于新型多铁薄膜的研发与推广。
一种 bi base sub

[发明专利]硅片外延线性缺陷的测定方法-CN200610029246.7有效
发明人：王剑敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片外延线性缺陷的测定方法，包括如下步骤：在硅片外延薄膜生长前，选取多点测量外延薄膜成膜前衬底的曲率半径；在外延生长完成后，测量外延膜厚；测量外延薄膜成膜后衬底的曲率半径；根据前述外延薄膜成膜前衬底的曲率半径、外延膜厚和外延薄膜成膜后衬底的曲率半径，计算硅片外延部分的应力；根据硅片外延部分的应力变化判定是否存在线性缺陷。本发明通过对硅片外延生长后应力的测量来判定硅片是否存在线性缺陷，可使用半导体工厂常用的应力仪完成，便捷而准确。
硅片外延线性缺陷测定方法

[发明专利]一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法-CN201010622204.0无效
发明人：王立彬;李志翔 -专利权人：同方光电科技有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和ITO薄膜，ITO薄膜和N-GaN层上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层。同现有技术相比，本发明结合外延技术，在外延过程中，使切割道部分不再外延出GaN材料，从而使蓝宝石衬底暴露出来，充分利用图形化衬底的图形，同时利用衬底与封装介质的折射率差，提高出光效率。
一种外延结构 gan 基材发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种外延结构的GaN基材料发光二极管-CN201020697904.1有效
发明人：王立彬;李志翔 -专利权人：同方光电科技有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种外延结构的GaN基材料发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和ITO薄膜，ITO薄膜和N-GaN层上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层。同现有技术相比，本实用新型结合外延技术，在外延过程中，使切割道部分不再外延出GaN材料，从而使蓝宝石衬底暴露出来，充分利用图形化衬底的图形，同时利用衬底与封装介质的折射率差，提高出光效率。
一种外延结构 gan 基材发光二极管

[发明专利]半导体装置中的简易电荷平衡-CN201580036965.9有效
发明人：马克·E·格拉纳亨 -专利权人：马克·E·格拉纳亨
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种在有源半导体装置中形成电荷平衡区的方法，其包括：在所述半导体装置的衬底的上表面上形成包括第一导电型材料的外延区；形成多个至少部分地穿过所述外延区的凹陷特征；使用原子层沉积在所述凹陷特征的底部和/或侧壁上沉积包含第二导电型材料的薄膜；和实施热处理，使得沉积于所述凹陷特征中的每一者的所述底部和/或侧壁上的所述薄膜的至少一部分在所述外延层中形成遵循所述凹陷特征的轮廓的所述第二导电型的区，所述第二导电型的所述区与靠近所述第二导电型的所述区的所述外延层结合形成所述电荷平衡区
半导体装置中的简易电荷平衡

[发明专利]一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置-CN202211324028.1在审
发明人：王欣然;李涛涛;沈昊亮;施毅 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置，所述制备方法通过高活性的反应气体与固态金属源进行原位表面反应得到气态金属源，接着与含有硫族元素的气体源在衬底表面进行气相反应，生长得到过渡金属硫族化合物单晶薄膜；通过高形核密度和高生长速率实现薄膜的快速生长；采用该制备方法的装置，将衬底从进样室传送至外延腔室，在温度恒定的外延腔室进行批量化材料生长，样品由外延腔体传输到取样室进行降温冷却，避免了外延腔室升降温过程带来的时间和能源消耗，实现了过渡金属硫族化合物单晶薄膜的不间断、批次生长和传输，提高了生产效率。
一种过渡金属化合物薄膜制备方法装置

[实用新型]一种转移过程同期图形化的GaN基复合衬底-CN201520162543.3有效
发明人：汪青;孙永健;罗睿宏 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种转移过程同期图形化的GaN基复合衬底，包括使用打印技术完成的图形化键合介质层、采用激光剥离技术去除蓝宝石衬底并自分裂去除与键合介质层无接触的GaN基外延薄膜部分后留存的与键合介质层有接触的图形化GaN基外延薄膜、以及导电导热转移衬底。本实用新型的结构及其制备过程，适用于GaN同质外延和直接制备垂直结构LED芯片，不仅简化工艺、降低成本，在后续芯片切割时，可以只切割转移衬底层而不切割GaN外延薄膜和键合介质层，从而可以解决因切割衬底导致GaN基薄膜损伤、介质层材料喷溅和器件短路等问题，且转移过程同期图形化能有效减小复合衬底中的残余应力，从而提高GaN基复合衬底和LED芯片性能。
一种转移过程同期图形 gan 复合衬底

[发明专利]一种双极阻变存储器及其制备方法-CN201110058994.9无效
发明人：吕启标;李树玮 -专利权人：中山大学
申请日： 2011-03-12 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极阻变存储器及其制备方法，存储器包括MgO单晶衬底，所述MgO单晶衬底上生长有一层TiN薄膜，所述TiN薄膜外延生长一层TiO2薄膜，所述TiO2薄膜表面镀有金属电极，金属电极作为器件的上电极，TiN薄膜作为器件的下电极。制备方法，包括以下步骤：选用MgO单晶衬底；利用射频等离子体分子束外延设备在所述单晶衬底上生长一层TiN薄膜；利用掩模板遮盖衬底表面的一半，继续外延生长一层TiO2薄膜；在TiO2薄膜表面镀上金属电极。本发明采用水平方向的结构有利于大规模高密度集成应用；电极制作与阻变材料的生长有机结合使得器件的制备简单，也降低了其高密度集成的难度。本发明应用于电子存储产品。
一种双极阻变存储器及其制备方法