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[发明专利]一种蓄电池能量保护装置、方法和系统-CN202110955771.6在审
发明人：马孝栋;邢伊涵 -专利权人：北京洲海能环科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：装置包括正向高频脉冲波形生成模块用于生成正向高频脉冲波形；滤波电容器用于对正向高频脉冲波形进行滤波以通过以预定频率充放电生成负向高频脉冲波形并与滤波后的正向高频脉冲波形叠加以生成复合谐波脉冲电流；第一光电耦合器用于与滤波电容器并联连接，从控制电路接收高频脉冲信号并基于高频脉冲信号向场效应晶体管提供开关控制信号；场效应晶体管利用开关控制信号控制场效应晶体管的导通和关断，使得复合谐波脉冲电流按照预定频率与蓄电池的硫化晶体产生共振以修复蓄电池复合谐波脉冲电流与硫化结晶体产生共振以修复蓄电池。
一种蓄电池能量保护装置方法系统

[实用新型]场效应大气矿化装置-CN201721180489.0有效
发明人：刘铁林;刘南林;缪剑锋;欧阳光友;刘理政;孙福亭;黎明 -专利权人：刘铁林;刘南林
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：场效应大气矿化装置是由球形水塔系统和正方体形发射体系统构成。该装置采用在泡沫镍表面生成一层纳米级的掺杂着结构和性能不同的碳原子同素异形体复合物的石墨烯薄膜，制成具有绕场效应的碳纳米复合材料电极组合体作为场效应核心部件。该碳纳米复合材料借助光照和低频电场作用，具有的电子遂穿、表面等离子体共振与耦合电磁波、光电倍增、绕场加速，及产生羟基自由基(·OH)链式反应等性能，可以将空气中雾霾、VOC有机物分子等污染物分解矿化为无害物质及对环境有益的负离子
场效应碳纳米复合材料矿化装置表面等离子体共振链式反应大气污染问题环保设备领域电极组合体泡沫镍表面石墨烯薄膜污染物分解有机物分子羟基自由基大气环境低频电场核心部件球形水塔无害物质正方体形电磁波耦合低能耗发射体复合物负离子高效率纳米级碳原子空气污染雾霾倍增光照空域治理掺杂宏观城镇

[发明专利]一种IGBT器件及制造方法-CN201711245096.8有效
发明人：左义忠;王宇;王修忠;麻建国 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：IGBT器件包括绝缘栅场效应管、位于绝缘栅场效应管漏区的肖特基势垒二极管，肖特基势垒二极管和绝缘栅场效应管通过共用的N‑漂移区复合而成，在肖特基势垒二极管中通过肖特基势垒接触形成IGBT器件的一个发射结，IGBT的发射极位于绝缘栅场效应管的上表面、集电极位于肖特基势垒二极管的下表面。
一种 igbt 器件制造方法

[发明专利]一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构及制作方法-CN201711446763.9有效
发明人：尚恩明;胡少坚;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构，包括：半导体衬底，上下堆叠设于所述半导体衬底上的围栅纳米线N型场效应管和围栅纳米线P型场效应管，所述围栅纳米线N型场效应管和围栅纳米线P型场效应管之间以介质层相隔离本发明可实现独立控制CMOS中的N型场效应管和P型场效应管，能有效消除短沟道效应和量子效应产生的不利影响，避免平行CMOS器件中可能存在的闩锁效应，提高器件的性能，并可明显缩小CMOS器件的面积占比。本发明还公开了一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构的制作方法。
一种堆叠式围栅纳米 cmos 场效应结构制作方法

[发明专利]一种基于复合衬底的场效应晶体管及其制作方法-CN202210395533.9在审
发明人：郑伟;燕英强;凌云志;王垚;向迅;崔银花;何思亮;胡川;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于复合衬底的场效应晶体管及其制作方法，场效应晶体管包括：基础衬底、复合衬底、单晶硅层、介电层、源极区域、漏极区域和栅极区域；基础衬底的表面依次层叠复合衬底、单晶硅层和介电层；复合衬底包括金刚石层和多晶硅层本发明实施例中能够有效降低晶体管场效应管的工艺制造难度。
一种基于复合衬底场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]超级电容充放电检测电路及其检测控制方法-CN201710512582.5有效
发明人：陈基伟;戴坚锋 -专利权人：浙江机电职业技术学院
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：一种超级电容充放电检测电路，包括超级电容C1，超级电容C1的一端接地，超级电容C1的另一端连接有微电流充电电源V1和场效应管Q1源极，场效应管Q1漏极分别连接有电阻R1和场效应管Q2漏极，电阻R1串联有电阻R2和电阻R3，所述场效应管Q2源极连接有场效应管Q3源极，场效应管Q3漏极连接于电阻R1和电阻R2之间，电阻R2和电阻R3之间连接场效应管Q4栅极，电阻R3另一端连接场效应管Q4栅极，场效应管Q4漏极分别连接场效应管Q2栅极和场效应管Q3栅极，场效应管Q4漏极和场效应管Q1源极之间连接负载接口P1。本发明采用场效应管作为检测控制元件，利用其高输入阻抗的特性，实现0采样输入电流，利用其存在Vg(th)特性，配合外接高兆欧电阻，实现检测电压可设定。
超级电容放电检测电路及其控制方法

[发明专利]电压电流混源型并网逆变器拓扑-CN201310069154.1无效
发明人：吴卫民 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本发明公开的电压电流混源型并网逆变器拓扑包含：环路连接的第一场效应管、第一电感、第三二极管、第三场效应管、第六场效应管、第四二极管、第二电感、第四场效应管；第三场效应管、第六场效应管、第三二极管和第四二极管之间并联有第二场效应管和第五场效应管；第一电感与第二场效应管、第二电感与第五场效应管之间并联有第一二极管和第二二极管；第一二极管电流输入端电路连接第一直流电压源和第二直流电压源的连接点、第二场效应管和第五场效应管的连接点、输出滤波电容、交流电源；第三场效应管与第六场效应管之间电路连接输出滤波电容和第三电感，第三电感另一端连接交流电源。
电压电流混源型并网逆变器拓扑

[实用新型]超级电容充放电检测电路-CN201720769871.9有效
发明人：陈基伟;戴坚锋 -专利权人：浙江机电职业技术学院
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：一种超级电容充放电检测电路，包括超级电容C1，超级电容C1的一端接地，超级电容C1的另一端连接有微电流充电电源V1和场效应管Q1源极，场效应管Q1漏极分别连接有电阻R1和场效应管Q2漏极，电阻R1串联有电阻R2和电阻R3，所述场效应管Q2源极连接有场效应管Q3源极，场效应管Q3漏极连接于电阻R1和电阻R2之间，电阻R2和电阻R3之间连接场效应管Q4栅极，电阻R3另一端连接场效应管Q4栅极，场效应管Q4漏极分别连接场效应管Q2栅极和场效应管Q3栅极，场效应管Q4漏极和场效应管Q1源极之间连接负载接口P1。本实用新型采用场效应管作为检测控制元件，利用其高输入阻抗的特性，实现0采样输入电流，利用其存在Vg(th)特性，配合外接高兆欧电阻，实现检测电压可设定。
超级电容放电检测电路

[实用新型]一种H桥双路电机驱动电路-CN201921008463.7有效
发明人：谭伟;李涵;师杰 -专利权人：重庆海德世拉索系统（集团）有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H02P5/46 文献下载
摘要：一种H桥双路电机驱动电路，包括两个电机、三个N沟道场效应管、三个P沟道场效应管，三个P沟道场效应管的漏极与电源连接，三个N沟道场效应管的源极接地，第一电机的第二连接端连接第二电机的第二连接端，第一电机的第一连接端连接第一P沟道场效应管的源极和第一N沟道场效应管的漏极，第二电机的第一连接端连接第三P沟道场效应管的源极与第三N沟道场效应管的漏极，第二P沟道场效应管的源极和第二N沟道场效应管的漏极与第一电机的第二连接端、第二电机的第二连接端间的连接点相连，三个P沟道场效应管和三个N沟道场效应管的栅极连接微控制单元相应的控制端口，通过微控制单元控制三个N沟道场效应管和三个P沟道场效应管的导通和关断。
一种桥双路电机驱动电路

[发明专利]半导体元件-CN201710205482.8有效
发明人：温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，包括具有第一导电型的基底、金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、隔离结构以及具有第二导电型的埋入层。金属氧化物半导体场效应晶体管位于基底上。结型场效应晶体管位于基底上。隔离结构位于金属氧化物半导体场效应晶体管与结型场效应晶体管之间。埋入层位于金属氧化物半导体场效应晶体管与基底之间。埋入层自金属氧化物半导体场效应晶体管的下方延伸至隔离结构的下方以及结型场效应晶体管的下方。
半导体元件

[实用新型]一种储能锂电池管理系统保护电路-CN201120537304.3有效
发明人：杨宇帮 -专利权人：惠州市蓝微电子有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：一种储能锂电池管理系统保护电路，包括P沟道场效应管Q12、N沟道场效应管Q13、N沟道场效应管Q17，所述的N沟道场效应管Q13位于放电主回路中，还包括场效应管Q15。当储能锂电池组出现过放，过热，过流等异常情况时，场效应管Q15可令场效应管Q13快速关断从而使场效应管Q13不会因关断过慢而损坏，更安全的保护整个电路，同时在管理系统正常运行期间场效应管Q15是不导通的所以不产生功耗
一种锂电池管理系统保护电路

[实用新型]降低漏电流的电路-CN201120541411.3有效
发明人：张瑜;谢小毛 -专利权人：上海博泰悦臻电子设备制造有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种降低漏电流的电路，包括第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管，所述第一金氧半场效应管的栅极与第二金氧半场效应管的漏极相连；所述第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管的源极均接地；所述第一金氧半场效应管的漏极通过第一电阻与供电端相连；所述第二金氧半场效应管的漏极通过第二电阻与供电端相连；所述第一金氧半场效应管的漏极还与后端电路的开关控制端相连。
降低漏电电路

[发明专利]一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法-CN200710175969.2有效
发明人：李诚瞻;魏珂;刘新宇;刘键;刘果果;郑英奎;王冬冬;黄俊;和致经 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，然后在进行表面预处理后的器件表面淀积氮化硅和富氧氮化硅复合介质层，对氮化镓基场效应晶体管进行钝化。利用本发明，解决了AlGaN表面长期存在的表面原始氧化层，消除了表面氧化层诱生的AlGaN表面态，并解决了AlGaN和氮化硅界面存在的表面态和表面原始氧化层诱生的电流崩塌效应以及常规钝化引起的栅反向漏电大幅度增加的问题
一种提高氮化场效应晶体管性能方法

[发明专利]基于深层离子注入方式的MOS场效应管抗位移辐照加固方法-CN201910110168.0有效
发明人：刘超铭;张延清;齐春华;王天琦;马国亮;霍明学;李何依;魏轶聃 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明的基于深层离子注入方式的MOS场效应管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服MOS型器件易受总剂量辐射损伤导致MOS型器件抗辐照能力低下的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，并向MOS场效应管的栅极氧化层注入离子。本发明通过离子注入的方式，在MOS场效应管的栅极氧化层内人为地引入缺陷陷阱，可以对由总剂量辐射效应造成的电子空穴对产生复合作用，并对器件内部由于总剂量辐射缺陷所产生的电场产生补偿作用，从而提高MOS场效应管的抗辐照能力
基于深层离子注入方式 mos 场效应位移辐照加固方法

[发明专利]场效应洗车器-CN201710949535.7有效
发明人：刘南林;刘铁林;曾永海 -专利权人：深圳市俯仰科技有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： B60S3/04 文献下载
摘要：场效应洗车器由长方体形场效应装置(1)和圆柱形手柄(2)构成。场效应装置(1)由外壳(3)，及安装在外壳(3)内部的压电逆效应超音频长条形换能器(4)、泡沫镍基碳纳米管复合材料制作的长方形负极(5)、镂空网格状长方形绝缘隔板(6)、具有筛孔(7)的长方形碳毡正极(采用超声波机械振荡、冷阴极场致电子发射和静电除尘原理设计的场效应洗车器，具有节能、节水、无环境污染等特点，可以解决现有无水清洗技术遇到的油渍问题和高耗能问题，其技术属于环保设备领域。
场效应洗车