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[发明专利]一种复合沟道的有机场效应管-CN201410734606.8在审
发明人：陈真;郑亚开;唐莹;韦一;彭应全 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种复合沟道的有机场效应管，属于微电子有机器件领域。现阶段水平叠加的有机场效应管场效应特性不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出一种复合沟道的有机场效应管，通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的复合有源层，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型有源层与P型有源层的界面数量，增加了激子离解产生载流子的数量，故而改善了有机场效应管的场效应特性。一种复合沟道的有机场效应管可为制备场效应特性良好的有机场效应管提供一种全新思路，对有机场效应管商业化应用有着重要影响。
一种复合沟道有机场效应

[实用新型]一种复合沟道的有机场效应管-CN201420758725.2有效
发明人：陈真;郑亚开;唐莹;韦一;彭应全 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型公开一种复合沟道的有机场效应管，属于微电子有机器件领域。现阶段水平叠加的有机场效应管场效应特性不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本实用新型提出一种复合沟道的有机场效应管，通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的复合有源层，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型有源层与P型有源层的界面数量，增加了激子离解产生载流子的数量，故而改善了有机场效应管的场效应特性。一种复合沟道的有机场效应管可为制备场效应特性良好的有机场效应管提供一种全新思路，对有机场效应管商业化应用有着重要影响。
一种复合沟道有机场效应

[发明专利]具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管-CN201410454183.4在审
发明人：杜江锋;陈南庭;潘沛霖;刘东;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管耐压不高的问题，提供了一种具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管，其技术方案可概括为：与现有的普通GaN HFET(氮化镓基异质结场效应晶体管)相比，本发明的具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管还具有体内复合场板结构，该体内复合场板结构由电极及绝缘介质层组成。本发明的有益效果是，增加器件耐压，适用于氮化镓基异质结场效应晶体管。
具有体内复合板结氮化镓基异质结场效应

[发明专利]复合型场效应晶体管及其制备方法、控制器-CN201610883828.5有效
发明人：毛焜 -专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合型场效应晶体管及其制备方法、控制器；复合型场效应晶体管包括横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管，横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管共用相同的漏端，结型场效应晶体管位于横向扩散MOS晶体管的边缘，结型场效应晶体管漂移区的长度大于横向扩散MOS晶体管漂移区的长度。本发明仅仅增大了整个器件的边缘部分区域的面积，提高了结型场效应晶体管的开态耐压，同时保持关态耐压不变。
复合型场效应晶体管及其制备方法控制器

[实用新型]复合型场效应晶体管及控制器-CN201621109938.8有效
发明人：毛焜 -专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合型场效应晶体管及控制器；复合型场效应晶体管包括横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管，横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管共用相同的漏端，结型场效应晶体管位于横向扩散MOS晶体管的边缘，结型场效应晶体管漂移区的长度大于横向扩散MOS晶体管漂移区的长度。本实用新型仅仅增大了整个器件的边缘部分区域的面积，提高了结型场效应晶体管的开态耐压，同时保持关态耐压不变。
复合型场效应晶体管控制器

[发明专利]一种倒装Micro-LED芯片及其制造方法-CN202210015865.X有效
发明人：周圣军;孙月昌;施浪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：芯片中的钝化层采用场效应钝化复合层，场效应钝化复合层包括位于外侧的第一材料层和位于内侧并与芯片侧壁接触的第二材料层，芯片侧壁为斜面。场效应钝化复合层用于在本征点缺陷处形成电荷中心，形成覆盖芯片侧壁的电场，通过形成的电场防止自由载流子在芯片侧壁发生非辐射复合；场效应钝化复合层用于降低芯片侧壁的点缺陷密度，减少芯片侧壁发生非辐射复合的几率
一种倒装 micro led 芯片及其制造方法

[实用新型]一种麦克风差分前置放大电路-CN202220226953.X有效
发明人：靳怡;马宁;程金传 -专利权人：广州蓝深科技有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供的麦克风差分前置放大电路包括包括输入端、一级场效应管、二级场效应管和输出端，一级场效应管的栅极连接输入端，一级场效应管的漏极连接二级场效应管的源极，二级场效应管的漏极连接输出端。音频信号经由一级场效应管与二级场效应管的复合放大器进行放大，并通过二级场效应管的漏极输出，能够有效的抑制由于外接设备的幻象电源纹波过大所产生的噪声，从而大幅度提高整个系统的信噪比以及抗干扰能力。
一种麦克风前置放大电路

[发明专利]半导体器件-CN96103944.2无效
发明人：坂野顺一;小林秀男;长洲正浩;森睦宏 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1996-03-08 - 公布日： 2000-03-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明为一种复合半导体装置，包括串联在一起的一个ＭＩＳ场效应管和一个可控硅，这里，或者把ＭＩＳ场效应管的ｐ基极层和可控硅ｐ基极层之间的可承受电压设置成低于该ＭＩＳ场效应管的可承受电压，在ＭＩＳ场效应管的ｐ基极层和可控硅ｐ基极层通过－ｐ通道连接的条件下使该ＭＩＳ场效应管“断掉”，或者减小该可控硅ｐ基极层的侧向电阻，从而扩展了该复合半导体装置的安全操作区间。
半导体器件

[发明专利]低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法-CN200610089591.X无效
发明人：于贵;狄重安;徐新军;刘云圻;孙艳明;王鹰;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2006-07-05 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明一种低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法，涉及有机场效应晶体管技术，该有机场效应晶体管为下电极结构，其源漏电极，是由具有低功函的材料构成，包括银或铜，在源漏电极和有机半导体的接触面形成有有机电荷转移复合盐层；其制备方法是：在衬底上沉积栅极电极和绝缘层，再在绝缘层上沉积源漏电极；对源漏电极进行修饰，使其上表面覆着一有机电荷转移复合盐层；再在复合盐层上沉积有机半导体材料。本发明的有机场效应晶体管，其金属下电极与半导体有良好的接触，保证了载流子的有效注入，本发明方法可以实现高性能、低成本有机场效应晶体管制备。
低成本性能有机场效应晶体管制备方法

[实用新型]一种高输出功率的音频放大电路-CN201220505098.2有效
发明人：周命福 -专利权人：深圳市矽普特科技有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：它包括有两对大功率场效应管，其特征是：与每组复合大功率场效应管的一级大功率场效应管电接有两个偏压兼温度补偿的小功率场效应管；且两个小功率场效应管通过散热片紧贴一级大功率场效应管布置，并采用夹板、螺栓将两个小功率场效应管固定本实用新型是利用场效应管的源极与漏极之间的导通电压来代替普通电路中采用的二极管为大功率场效应管提供偏压，原因是小功率场效应管的特性与大功率场效应管的特性更加接近，可以更加精确地对大功率场效应管偏压进行偏压补偿本电路结构简单，性能可靠，能有效消除大功率管场效应管的正温度系数问题。
一种输出功率音频放大电路

[发明专利]一种基于超级电容的车载复合电源装置-CN201610758966.0有效
发明人：刘英;高龙;芮庆 -专利权人：合肥博雷电气有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： B60L50/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超级电容的车载复合电源装置，包括壳体，所述壳体的内部设有电路板，且电路板上设有复合控制单元，所述复合控制单元的输入端连接有信号检测单元的输出端，且复合控制单元的输出端连接有场效应管Q1的栅极G，所述场效应管Q1的漏接D连接有二极管D1的负极、电感L1、二极管D2的正极和场效应管Q2的源极S，所述场效应管Q2的栅极G连接有起动机的输入端，且场效应管Q2的漏极D连接有二极管D2的负极、电容本发明的电路连接简单，成本较低，车载复合电源装置中的超级电容保护电路可以对超级电容C2进行保护，且车载复合电源装置中的超级电容C2可以辅助蓄电池U1对起动机进行启动。
一种基于超级电容车载复合电源装置

[实用新型]一种场效应发酵罐及复合菌种发酵装置-CN201521082235.6有效
发明人：高淑英;刘文;刘汛 -专利权人：高淑英;刘汛
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C12M1/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种场效应发酵罐及复合菌种发酵装置。所述场效应发酵罐包括设置夹层的罐体及罐体内设置的搅拌器，其中，夹层内设有至少一组磁性体，每组磁性体包括设置在罐体同一高度的六块磁性体，同一组内的六块磁性体在罐体夹层内沿罐体周壁均匀分布，且相邻磁性体极性相异所述复合菌种发酵装置包括至少一个所述的场效应发酵罐作为二级母液场效应发酵罐。本实用新型的场效应发酵罐可以实现多菌株复合接种，适当加大接种量，形成菌群生长优势，且不同性能的菌之间互不拮抗，互惠互利，出现了共同繁殖、协同生长的可观效果。
一种场效应发酵复合菌种装置

[发明专利]具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管-CN201410454173.0有效
发明人：杜江锋;潘沛霖;陈南庭;刘东;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管为耗尽型器件，而没有一种相对可靠的增强型器件的问题，提供了一种具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其技术方案可概括为与现有的GaN MIS‑HFET器件相比，本发明的具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管在其铝铟镓氮缓冲层及沟道层之间具有氮化铝背势垒层，且沟道层为复合沟道层。本发明的有益效果是，提高了可靠性，且可重复性高，适用于氮化镓基异质结场效应晶体管。
具有复合沟道氮化增强型异质结场效应晶体管

[实用新型]碳同素异形体复合物场效应人造极光发生装置-CN201820692415.3有效
发明人：刘铁林;刘南林 -专利权人：刘铁林;刘南林
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：碳同素异形体复合物场效应人造极光发生装置，是由ELF极低频电源柜(1)、场效应装置(2)、长方体形水箱(3)构成，属于地球物理技术领域。碳同素异形体复合物场效应装置(2)是由若干沉积碳同素异形体复合物的泡沫镍制成的平面电极板(4)和若干由绝缘材料制成的平面隔板(5)，以并联电容形式交替平行叠加而成。利用碳同素异形体复合物场效应人造极光发生装置激发的非地球磁极区域产生的极光现象，有助于研究探索地球大气磁层中非偶极空间磁极形成与分布特性，以及地球磁场的起源，宇宙能量对地球气候环境的各种影响。
碳同素异形体复合物发生装置场效应场效应装置磁极平面电极板并联电容长方体形地球磁场地球磁极地球大气地球气候地球物理分布特性绝缘材料平面隔板宇宙能量电源柜极低频泡沫镍水箱沉积磁层偶极气候变化叠加平行自然灾害起源激发气象预测治理探索研究

[发明专利]一种制备复合物场效应晶体管的方法-CN201710192082.8有效
发明人：吴雨辰;刘芸;江雷 -专利权人：北京赛特超润界面科技有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件领域，具体地，涉及一种制备复合物场效应晶体管的方法。本发明包括以下步骤：1)将聚合物分子溶解在有机溶剂中得到聚合物溶液，将石墨烯浸泡于聚合物溶液中，得到混合分散液；2)对混合分散液抽滤清洗，得到表面吸附聚合物的石墨烯复合物；3)将石墨烯复合物再次分散于有机溶剂中，制得复合物分散液；4)将复合物分散液滴加在具有微柱结构的硅片上并盖上一层平板基底，使聚合物‑石墨烯复合物在平板表面微柱位置自组装成规整的一维阵列，制成复合物场效应晶体管。本发明所制备的聚合物‑石墨烯复合结构场效应晶体管的性能较之于单纯聚合物场效应晶体管有了显著的提高，方法简单方便，成本低廉。
场效应晶体管石墨烯复合物复合物分散液混合分散液聚合物溶液制备复合物有机溶剂聚合物石墨烯微柱表面吸附聚合物单纯聚合物聚合物分子微电子器件复合结构平板表面一维阵列规整复合物自组装硅片抽滤滴加基底制备浸泡清洗溶解

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