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[发明专利]嵌入式软件堆栈溢出检测方法和装置-CN201710937905.5有效
发明人：马建辉;王知学;侯冬冬;胡代荣;孙常青 -专利权人：山东省科学院自动化研究所
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式软件堆栈溢出检测方法和装置，所述方法包括：通过链接文件将处理器随机存储器空间划分为堆栈区、堆栈溢出缓冲区和全局变量区；并在所述堆栈溢出缓冲区定义一个堆栈溢出缓冲数组；处理器上电，开启定时器；在所述定时器的中断服务程序中，读取堆栈溢出缓冲区和堆栈区的数据，计算最大堆栈使用量；判断所述最大堆栈使用量是否大于堆栈区尺寸，若是，判断为堆栈溢出；将溢出的上下文信息存入所述堆栈溢出缓冲数组；判断所述最大堆栈使用量是否小于或等于预设阈值，若是，根据堆栈溢出缓冲数组判断堆栈溢出位置。本发明通过设置堆栈溢出缓冲区，保证了浅度堆栈溢出不会造成系统运行异常，并且可以辅助开发人员进行程序修正。
嵌入式软件堆栈溢出检测方法装置

[发明专利]快闪存储单元及其制造方法-CN200410089721.0无效
发明人：杨青松;翁伟哲 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-02 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种快闪存储单元，其由井区、深井区、栅极堆栈结构、源极区、漏极区、选择栅极、栅介电层、浅掺杂区、深掺杂区与导电插塞所构成。其中，深井区配置在基底中，且井区配置在深井区中。栅极堆栈结构配置在基底上。源极区与漏极区分别配置在栅极堆栈结构两侧的基底中。选择栅极配置在栅极堆栈结构与源极区之间，且位于栅极堆栈结构的侧壁与部分的基底上。栅介电层配置在选择栅极与栅极堆栈结构及基底之间。浅掺杂区配置在栅极堆栈结构与选择栅极下方的基底中。深掺杂区配置在栅极堆栈结构一侧边的基底中。导电插塞配置在基底上，且向下延伸穿过漏极区与部分的深掺杂区。深井区配置在基底中，且井区配置在深井区中。
闪存单元及其制造方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法以及其操作方法-CN200510065602.6无效
发明人：翁伟哲;杨青松;卓志臣 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：基底中具有至少二沟槽隔离结构而定义出有源区。井区配置在基底中。浅掺杂区配置在井区中。至少二栅极堆栈结构配置在基底上。口袋掺杂区配置于栅极堆栈结构的外侧边的基底中，各个口袋掺杂区延伸至栅极堆栈结构下方。漏极区配置于栅极堆栈结构的外侧边的口袋掺杂区中。辅助栅极层配置于此二栅极堆栈结构之间的基底上。栅介电层配置于辅助栅极层与基底之间以及辅助栅极层与栅极堆栈结构之间。导电插塞配置在基底上，且向下延伸连接口袋掺杂区及其中的漏极区。
挥发性存储器及其制造方法操作方法

[发明专利]实现堆栈自适应保护的处理器-CN201710081524.1有效
发明人：郭宇波 -专利权人：杭州中天微系统有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：本发明提供一种实现堆栈自适应保护的处理器，所述处理器包括指令获取单元、指令译码单元、地址加法器、超级用户堆栈指针寄存器、普通用户堆栈指针寄存器、堆栈上边界寄存器、堆栈下边界寄存器和堆栈保护单元，所述处理器能够访问的内存空间包括指令区、专属内存区域、普通用户堆栈区和超级用户堆栈区。本发明能够在保证现有程序空间以及程序执行效率不变的前提下，提供一种通过硬件实现堆栈自适应保护的处理器。
实现堆栈自适应保护处理器

[发明专利]一种堆栈缓冲区管理方法-CN200710103725.3有效
发明人：娄本刚;吴春华;刁瑞强 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2007-05-16 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G06F7/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆栈缓冲区管理方法，利用空闲缓冲堆栈(103)进行PUSH操作时，根据被释放索引使用与否允许或拒绝其写入空闲缓冲堆栈(103)。这种方法避免空闲缓冲区堆栈中会存在重复的索引，拒绝将已重复索引压入空闲缓冲区堆栈，而直接向提供重复索引的缓冲区使用者给出释放缓冲区应答信号；该机制维护了空闲缓冲区堆栈内部索引的正确性，避免引起缓冲区分配的冲突；另一方面，也不会因外部使用模块的错误导致缓冲区管理内部的混乱，提高了缓冲区管理器的健壮性，可靠性。
一种堆栈缓冲区管理方法

[实用新型]卷装自动检测包装系统-CN201920654925.6有效
发明人：王勇;何鸿强;吴振强;曹晓燕;杨鹏;邱野;王丽丽;徐慧 -专利权人：北自所（北京）科技发展有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： B65B65/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种卷装自动检测包装系统，包括：用于输送卷装和卷装垛的自动输送装置，包括连接的上线区、堆栈区和下线区；用于对该卷装进行等级检测的自动检测装置，设置于该上线区与堆栈区之间；用于对该卷装堆叠为卷装垛的自动堆栈装置，设置于该堆栈区；用于对满板垛进行井字打带、裹膜包装及贴标的自动包装装置，设置于该堆栈区与该下线区之间；控制装置，分别通讯连接该自动输送装置、该自动检测装置、该自动堆栈装置和该自动包装装置；其中，该满板垛为满垛状态的卷装垛
自动检测包装系统

[发明专利]一种任务堆栈溢出的实时检测方法及装置-CN200810098217.5无效
发明人：曾照恒 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种任务堆栈溢出的实时检测方法及装置，涉及计算机操作系统领域。本发明方法，在分配任务堆栈时，将与所述任务堆栈栈顶相邻的部分内存设为隔离区，并将所述隔离区的属性设置为不可写；在对所述任务堆栈压栈过程中，若压栈操作对所述隔离区进行写操作，则判定所述任务堆栈溢出。本发明还公开了一种任务堆栈溢出的实时检测装置。本发明技术方案实时定位出了产生堆栈溢出的任务，并且通过对任务的堆栈进行分析，可以定位出导致堆栈溢出的具体位置。
一种任务堆栈溢出实时检测方法装置

[发明专利]发光二极管芯片结构及其制造方法-CN201110347763.X无效
发明人：陈俊荣;郭奇文;黄坤富;朱瑞溢;方国龙 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片结构及其制造方法，发光二极管芯片结构包括导电基板、半导体堆栈层以及图案化种晶层。导电基板具有一表面，此表面具有第一区及第二区，其中第一区与第二区交替分布于此表面。半导体堆栈层配置于导电基板上，且导电基板的表面朝向半导体堆栈层。图案化种晶层配置于导电基板的表面的第一区上，且位于导电基板与半导体堆栈层之间。图案化种晶层将第一区与半导体堆栈层分隔，且暴露出第二区。半导体堆栈层覆盖图案化种晶层与第二区，且经由第二区与导电基板电性连接。
发光二极管芯片结构及其制造方法

[发明专利]堆栈保护方法及装置-CN201710868460.X有效
发明人：宁茂钦 -专利权人：迈普通信技术股份有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明提供一种堆栈保护方法及装置。所述方法应用于网络设备，所述方法包括：执行线程对应的用户线程函数，获得执行所述用户线程函数过程中产生的数据信息。将所述数据信息动态写入线程对应的堆栈中的用户线程栈区，其中，所述堆栈包括栈保护区和所述用户线程栈区。由此，通过在用户线程栈区两端设置栈保护区，以限制堆栈的溢出范围和堆栈被攻击后的破坏影响范围，避免破坏到线程的基础信息，防止进程挂机退出导致设备重启。并且，当检测到堆栈被攻击后，会触发异常信号，对线程的基础信息及堆栈被攻击的异常信息进行收集，以此了解线程的情况，定位追溯异常问题来源。
堆栈保护方法装置

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法以及其操作方法-CN200510065579.0无效
发明人：翁伟哲;杨青松;卓志臣 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：井区配置在基底中。浅井区配置在井区中。至少二栅极堆栈结构配置在基底上。漏极区配置于栅极堆栈结构的外侧边的浅井区中。辅助栅极层配置于此二栅极堆栈结构之间的基底上，且向下延伸穿过部分的基底。栅介电层配置于辅助栅极层与基底之间以及辅助栅极层与栅极堆栈结构之间。导电插塞配置在基底上，且向下延伸连接浅井区以及位于其中的漏极区。
挥发性存储器及其制造方法操作方法

[实用新型]一种螺旋速冻机高效送风系统-CN201821332254.3有效
发明人：陈建军;翁建华 -专利权人：杰欧(江苏)冷链装备有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： F25D17/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种螺旋速冻机高效送风系统，包括库体，库体内设有热交换器、堆栈区，热交换器底部设有进风口，热交换器顶部设有出风口，热交换器顶部的出风口与离心风机相连，离心风机的风向与堆栈区垂直，堆栈区的上方为高压区，堆栈区的下方为低压区，堆栈区内设有螺旋式通道，螺旋式通道的内侧板和外侧板上均设有小孔；进风口的风进入热交换器底部，被热交换器降温后的气体被离心风机迅速送入堆栈区顶部，从上到下贯穿进入螺旋式通道，堆栈区的顶部形成高压区，高压区的风一部分通过内壁板上的小孔进入螺旋式通道内，吸热回温后的气流经过低压区后再次进入热交换器底部，构成循环。
热交换器堆栈区螺旋式通道离心风机高压区本实用新型螺旋速冻机送风系统出风口低压区进风口小孔冻结吸热从上到下内壁板内侧板外侧板堆栈回温库体能耗送入垂直体内风向贯穿

[发明专利]快闪存储单元及其制造方法-CN200410033268.1无效
发明人：王进忠;杜建志;宋达;徐震球 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-03-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种快闪存储单元，此存储单元是由p型基底、设置于p型基底中的深n型井区、设置于p型基底上的堆栈栅极结构，此堆栈栅极结构由p型基底起依序为穿隧氧化层、浮置栅极、栅间介电层、控制栅极与顶盖层、分别设置于堆栈栅极结构两侧的p型基底中的源极区与漏极区、设置于堆栈栅极结构侧壁的间隙壁、设置于深n型井区中，且从漏极区延伸至堆栈栅极结构下方并与源极区相邻的p型口袋掺杂区、贯穿漏极区与p型口袋掺杂区的结的p型掺杂区，且p型掺杂区与该间隙壁相距一距离及设置于漏极区上并电性连接p型掺杂区的接触窗所构成。
闪存单元及其制造方法

[发明专利]非挥发性存储器的制造方法-CN200510109789.5无效
发明人：毕嘉慧 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-09-20 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器的制造方法，首先，提供一基底，此基底具有一存储单元区与一周边电路区，且存储单元区的基底上已形成有多个第一堆栈栅极结构，以及周边电路区的基底上已形成有一堆栈结构。接着，于基底上形成一层导体层，以于第一堆栈栅极结构之间形成多个栅极而形成存储单元列，以及于存储单元列与堆栈结构的侧壁上形成多个导体间隙壁。之后，将堆栈结构图案化，以于周边电路区形成多个第二堆栈栅极结构。
挥发性存储器制造方法

[发明专利]一种重力储能系统的能效提升与机械冲击缓冲方法及结构-CN202310292734.0在审
发明人：汪玉翔;陈巨龙;朱永清;钟承君;张裕;龙家焕;李庆生;李震;李奎;张兆丰;杨婕睿;刘大猛;王伟;罗晨;陈思哲;王杰;罗启飞;范俊秋 -专利权人：贵州电网有限责任公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F03G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种重力储能系统的能效提升与机械冲击缓冲方法包括，上堆栈区质量块机械冲击缓冲；下堆栈区质量块动能回收；下堆栈区质量块机械冲击缓冲；上堆栈区质量块动能回收。缓冲结构包括，主斜坡轨道，沿着山体表面设立，顶端安装有电机，电机的定子绕组与电网连接，转子与齿轮箱连接，经齿轮箱拖动牵引装置；上堆栈区，设立于主斜坡轨道底端，用于堆放质量块；节能坡轨道，设立于主斜坡轨道底端；下堆栈区，设立于节能坡轨道顶端，用于堆放质量块；质量块，放置于主斜坡轨道上，通过抱索器与牵引装置实现机械连接。
一种重力系统能效提升机械冲击缓冲方法结构

[发明专利]集成电路结构-CN201710840950.9有效
发明人：邱子寰 -专利权人：络达科技股份有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路结构，包括主动区、第一顶部金属图样、第二顶部金属图样、第一金属图样堆栈、第二金属图样堆栈、第一晶体管以及第二晶体管。主动区形成于一基板。第一顶部金属图样电性连接该主动区。第二顶部金属图样电性连接该主动区，并与该第一顶部金属图样形成于同一金属层。第一金属图样堆栈包括堆栈的K层第一金属图样。第二金属图样堆栈包括堆栈的K层第二金属图样。第一晶体管形成于该基板，通过该第一金属图样堆栈电性连接该第一顶部金属图样，并通过该第一顶部金属图样电性连接该主动区。第二晶体管设置于该第一晶体管旁，通过该第二金属图样堆栈电性连接该第二顶部金属图样，并通过该第二顶部金属层电性连接该主动区。
集成电路结构

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