专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]纳米柱/针森林结构的图形化加工方法-CN201410609901.0有效
  • 毛海央;王岩;唐力程;雷程;欧文;陈大鹏 - 江苏物联网研究发展中心
  • 2014-11-03 - 2015-01-28 - B82B3/00
  • 本发明涉及一种纳米柱/针森林结构的图形化加工方法,其包括如下步骤:a、清洗第一基片和第二基片;b、在上述的第二基片的下表面设置与第一基片材料相似的第一基片相似材料层,在第二基片上设置若干穿通结构,以形成镂空基片;c、将上述镂空基片粘结在第一基片的上表面,以在镂空基片的下表面与第一基片的上表面间形成刻蚀腔;d、利用镂空基片的穿通结构对第一基片的上表面进行刻蚀;e、将镂空基片从第一基片的上表面去除,以在第一基片上得到纳米柱/针森林结构。本发明能有效克服电子束光刻和聚焦离子束刻蚀技术在批量加工方面的限制,并可有效降低工艺复杂程度,实现具有可调控性的图形化纳米柱/针森林结构
  • 纳米森林结构图形加工方法
  • [发明专利]复合模具和包括含复合面的几何结构结构表面制品及其制备方法-CN00819455.6有效
  • G·M·本森;K·L·史密斯 - 3M创新有限公司
  • 2000-08-29 - 2003-10-29 - B29C33/38
  • 在复合基片(82)上形成结构表面制品(例如模具或逆向反射片),它包括切削加工形成的基片(126)和复制的基片(116)。在一个实例中,结构表面(100)是在复合基片(82)上的立方角元件(132,134)。在另一个实例中,结构表面(100)是具有许多面的几何结构体体,其中一个面位于加工基片上,另一个面位于复制基片上。在再一个实例中,所述面中的至少有些包括一个复合面,该复合面的一部分形成于加工基片上,一部分形成于复制基片上。制造具有含许多面的几何结构体体的结构表面制品的方法,包括在加工基片(126)的第一表面形成几何结构体体阵列;钝化加工基片第一表面的选定部位;形成加工基片的复制基片(116),从而形成复合基片(82);在加工基片与第一表面相反的第二表面上形成第二几何结构体体阵列;从加工基片的第二表面除去一些选定部分。
  • 复合模具包括几何结构表面制品及其制备方法
  • [发明专利]一种去除微纳结构中溶剂的方法-CN201010188490.4无效
  • 刘刚;熊瑛;周杰;田扬超 - 中国科学技术大学
  • 2010-05-24 - 2010-10-06 - B81C1/00
  • 一种去除微纳结构中溶剂的方法,步骤为:(1)在基片上制作微纳结构,利用旋涂工艺在基片上旋涂光刻胶,然后采用光刻工艺在基片材料上得到所需高度的光刻胶结构,也可利用刻蚀工艺将光刻胶结构再转移到基片上,获得所需高度的基片材料微纳结构;(2)将完成漂洗的样品从溶剂中取出,样品上有微纳结构的面朝上,然后将基片放在样品上,使得基片材料上的微纳结构盖住样品上的微纳结构;或相反将基片有微纳结构的面朝上,然后将样品放在基片,使得基片材料上的微纳结构盖住样品上的微纳结构;(3)待溶剂挥发完后,将基片移开,完成辅助去除溶剂工艺,获得所需的微纳结构。本发明有效地解决了溶剂去除工艺中溶剂的表面张力给微纳结构带来的影响。
  • 一种去除结构溶剂方法
  • [实用新型]基片处理装置-CN200620017972.2无效
  • 许生;徐升东;庄炳河 - 深圳豪威真空光电子股份有限公司
  • 2006-08-28 - 2007-11-28 - C23C14/50
  • 本实用新型涉及一种基片处理装置,该基片处理装置包括:基片处理室、用于在基片处理室内承托基片基片承托架、对基片承托架所承托的基片进行处理的基片处理器,其中该基片处理装置进一步包括用于传动基片处理器的处理器传动装置通过采用上述结构,使得基片处理器能够以移动扫描的方式对静止的基片进行处理,使基片处理室的长度减小,节约制造成本,并通过往复扫描方式提高了基片的处理效果,结构简单实用,可控性强。
  • 处理装置
  • [发明专利]一种宽带空气介质天线单元-CN201611064250.7有效
  • 刘培钦;常乐;张志军;王绍东;赵永志 - 中国电子科技集团公司第十三研究所;清华大学
  • 2016-11-28 - 2023-06-23 - H01Q1/36
  • 本发明公开了一种宽带空气介质天线单元,涉及毫米波天线技术领域,该天线单元包括第一基片、第二基片和第三基片,第一基片和第三基片为硅基片,第二基片为高阻硅基片,在第一基片上开有第一辐射槽和第二辐射槽,在第一基片上还开有探针槽,在第一基片和第三基片的外表面敷设有金属,在第二基片上设有基片集成波导和贴片结构,贴片结构的上表面设有金属片,在第二基片上表面刻有共面波导馈电电路,在第二基片上还设有通孔,第二基片的上下表面和通孔内壁敷设有金属,第一辐射槽和第二辐射槽由空气介质填充的基片集成波导激励,基片集成波导由贴片结构激励。
  • 一种宽带空气介质天线单元
  • [实用新型]一种宽带空气介质天线单元-CN201621284431.6有效
  • 刘培钦;常乐;张志军;王绍东;赵永志 - 中国电子科技集团公司第十三研究所;清华大学
  • 2016-11-28 - 2017-05-10 - H01Q1/36
  • 本实用新型公开了一种宽带空气介质天线单元,涉及毫米波天线技术领域,该天线单元包括第一基片、第二基片和第三基片,第一基片和第三基片为硅基片,第二基片为高阻硅基片,在第一基片上开有第一辐射槽和第二辐射槽,在第一基片上还开有探针槽,在第一基片和第三基片的外表面敷设有金属,在第二基片上设有基片集成波导和贴片结构,贴片结构的上表面设有金属片,在第二基片上表面刻有共面波导馈电电路,在第二基片上还设有通孔,第二基片的上下表面和通孔内壁敷设有金属,第一辐射槽和第二辐射槽由空气介质填充的基片集成波导激励,基片集成波导由贴片结构激励。
  • 一种宽带空气介质天线单元
  • [发明专利]一种液氦温区微型节流制冷机-CN202011366136.6有效
  • 曹海山 - 清华大学
  • 2020-11-29 - 2021-08-20 - F25B23/00
  • 本发明提供了一种液氦温区微型节流制冷机,具有三种结构形式,第一种结构的液氦温区微型节流制冷机具有五层基片,第一基片作为盖板,第二基片和第三基片构成一级制冷循环器和二级制冷循环器,第四基片和第五基片构成三级制冷循环器;第二种结构的液氦温区微型节流制冷机具有五层基片,第一基片作为盖板,第二基片和第三基片构成一级制冷循环器,第四基片和第五基片构成二级制冷循环器和三级制冷循环器;第三种结构的液氦温区微型节流制冷机具有三层基片,第一基片作为盖板,第二基片和第三基片构成一级制冷循环器二级制冷循环器和三级制冷循环器。本发明将多级工质的通道布置在同一基片上,制冷机的结构更紧凑,可节约加工成本。
  • 一种液氦温区微型节流制冷机
  • [发明专利]绝缘栅双极型晶体管的制备方法-CN202211197169.1在审
  • 孙向东 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-09-29 - 2023-01-17 - H01L21/331
  • 本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法,包括:提供第一基片及第二基片,第一基片包括第一表面;自第一基片的第一表面对其进行注入,形成绝缘栅双极型晶体管的背面结构;于第二基片上形成牺牲层;通过牺牲层,将第二基片键合至第一基片形成有背面结构的一侧;于第一基片的远离第二基片的一侧形成绝缘栅双极型晶体管的正面结构;去除牺牲层,将第二基片与第一基片分离。本申请使背面结构的制作工艺更简单,减少了用于制作绝缘栅双极型晶体管的背面结构的设备花费。
  • 绝缘栅双极型晶体管制备方法
  • [发明专利]一种天线单元、滤波天线及终端设备-CN202211012089.4有效
  • 吴祖兵;王新辉;叶保兵 - 成都天锐星通科技有限公司
  • 2022-08-23 - 2023-09-26 - H01Q1/36
  • 本申请提出一种天线单元、滤波天线及终端设备,包括:第一介质基片、第二介质基片、第三介质基片、辐射结构以及至少一组传输单元,传输单元包括第一馈电结构、第二馈电结构以及滤波结构;第二介质基片设置于第一介质基片和第三介质基片之间,辐射结构设置于第一介质基片远离第二介质基片的一侧,第二馈电结构开设于第二介质基片,滤波结构开设于第三介质基片,第一馈电结构与第二馈电结构以及滤波结构连接;第一馈电结构用于传输电磁波信号;第二馈电结构用于向辐射结构耦合馈电;滤波结构用于进行滤波。
  • 一种天线单元滤波终端设备
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110341245.0在审
  • 李巍;芮强 - 无锡华润华晶微电子有限公司
  • 2021-03-30 - 2022-10-04 - H01L21/331
  • 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括:提供具有第一导电类型的半导体基片,所述半导体基片包括相反的第一基片面和第二基片面;向所述半导体基片的第一基片面掺杂具有第一导电类型的杂质,从所述第二基片面到所述第一基片面,所述半导体基片中具有第一导电类型的杂质的浓度渐变增大,所述半导体基片的厚度方向上的至少部分区域构成了所述半导体结构的半导体衬底;采用掺杂后的所述半导体基片形成IGBT。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [实用新型]一种流量开关片式分流结构-CN201920852258.2有效
  • 谌铎文;赵川 - 广州嵩晨机电科技有限公司
  • 2019-06-06 - 2020-04-28 - F16N25/00
  • 本实用新型公开了一种流量开关片式分流结构,包括相互连通的左基片和右基片,左基片和右基片之间设置有结构相同的中间基片,所述基片内部贯穿有相互接触连通的传送腔,所述传送腔一端串联连通至润滑油泵,另一端并联分别连接至被润滑点;本实用新型实施中,根据需要增删中间基片,多点润滑时可单独通过调节每条支路针阀大小来调节支路润滑流量;左基片和右基片不可少,基片中每一片包括流量计、上片、流量开关,当需要对N个润滑点进行润滑的时候,添加N‑2个中间基片,中间基片与左基片和右基片结构尺寸一致,依靠O圈密封,采用螺钉贯穿安装孔进行紧固,润滑油由传送腔一端进入,被基片进行分流之后形成多路润滑。
  • 一种流量开关分流结构
  • [实用新型]绝缘片和电池-CN202221674043.4有效
  • 高顺航;杨红新;刘静 - 蜂巢能源科技股份有限公司
  • 2022-06-29 - 2022-10-25 - H01M50/249
  • 本申请公开了绝缘片和电池,绝缘片包括第一基片、第二基片、第三基片和第四基片,第一基片具有相对设置的第一边和第二边,相对设置的第三边和第四边;绝缘片按沿第二边、第三边以及第四边折起后为具有顶部开口的中空方体结构,第一基片形成中空方体结构的第一侧面,第二基片形成中空方体结构的底面,第三基片和第四基片共同形成中空方体结构除第一侧面外的其余侧面,第二基片折叠部搭接于中空方体结构的侧面的内表面上。
  • 绝缘电池

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