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[发明专利]介电薄膜、其制作方法及导电插塞-CN202310645608.9有效
发明人：薛翔;张伟;汪民武;林智伟;郭廷晃 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本发明提供了介电薄膜、其制作方法及导电插塞。该介电薄膜包括非硅基介电膜和掺杂至非硅基介电膜中的氟自由基。其中，由于膜层的介电性与形成膜层的材料的极性有关，即材料的极性越大，膜层的介电常数越小，基于此，在低介电常数的非硅基介电膜中掺杂低极性基团的氟自由基之后，该氟自由基能够增加膜层材料的疏水性，从而减少了膜层材料与空气中的潮气的反应，进而减少了羟基基团等高极性基团的形成，且氟自由基本身为低极性基团，因此，氟自由基对非硅基介电膜的介电性的影响较小，从而能够使得介电薄膜达到理论上的最小k值。
薄膜制作方法导电

[发明专利]用于隔离多孔低K介电薄膜的结构和方法-CN02160418.5无效
发明人：科特·G·斯坦纳;苏珊·维特卡瓦格;斯蒂夫·莱特尔;杰拉尔德·吉伯森;斯科特·詹森 -专利权人：艾格瑞系统有限公司
申请日： 2002-12-30 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种薄膜结构，包括低k介电薄膜以及阻挡层薄膜、刻蚀中止薄膜和硬质掩模薄膜之类的N－H基源薄膜。在低k介电薄膜和邻近的N－H基薄膜之间插入抑制胺或其它N－H基从N－H基源薄膜向低k介电薄膜扩散的TEOS氧化物薄膜。由于在低k介电薄膜中没有基团中和化学增强抗蚀剂中的酸性催化剂，因此该薄膜结构可以采用DUV光刻和化学增强抗蚀剂制作图形。
用于隔离多孔薄膜结构方法

[发明专利]一种用于LFT-D工艺的高流动阻燃PP基料，及低介电低应力无卤阻燃聚丙烯复合材料-CN202010003558.0有效
发明人：涂永鑫;刘雪婷;孙少文;陈景威;费晨洪;王绍杰 -专利权人：万华化学（宁波）有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于LFT‑D工艺生产的高流动无卤阻燃PP基料，其主要原料包括：聚丙烯、无卤阻燃剂、阻燃协效剂、抗氧剂、耐候助剂、润滑剂和相容剂，所述阻燃协效剂包括负载型磷钨酸粉末和改性水滑石；将无卤阻燃PP基料，通过LFT‑D工艺，引入低介电玻璃纤维，制得低介电低应力无卤阻燃聚丙烯复合材料。本发明制备高流动无卤阻燃基料，结合LFT‑D工艺，将低介电基料与低介电玻纤结合起来，相比传统的GMT和PP‑LGF工艺，达到优异性能的同时，实现高阻燃和低介电性能，DK(介电常数)为2.8(2.5GHz)以下，介电损耗(Df)＜3*10‑3(2.5GHz)，未来在5G时代具有广阔的发展前景。
一种用于 lft 工艺流动阻燃 pp 基料低介电低应力聚丙烯复合材料

[发明专利]一种5G用低介电高耐热阻燃聚丙烯复合材料及其制备方法-CN202011581927.0有效
发明人：李其龙;程书文;孙华旭;陆湛泉;姜向新;何浏炜;杨霄云 -专利权人：武汉金发科技有限公司;金发科技股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种5G用低介电阻燃聚丙烯复合材料及其制备方法，包含以下重量份的成分：低介电聚丙烯树脂65‑97份、高效溴系阻燃剂1‑10份、低介电空心微粉1‑10份。本发明的一种5G用低介电阻燃聚丙烯复合材料具有低介电、高耐热、阻燃性能优良，良外观的特点，符合5G用阻燃高分子材料要求；其中，高效溴系阻燃剂在燃烧过程中通过溴自由基捕捉摊自由基中止燃烧反应，低介电空心微粉通过降低材料的密度降低材料的介电常数同时，本发明还公开一种所述5G用低介电高耐热阻燃聚丙烯复合材料的制备方法。
一种用低介电高耐热阻燃聚丙烯复合材料及其制备方法

[发明专利]一种低介电热塑性树脂基纤维复合材料及其用途-CN201710063185.4有效
发明人：王飞 -专利权人：王飞
申请日： 2017-02-04 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：本发明属于复合材料领域，涉及一种低介电热塑性树脂基纤维复合材料及其应用。具体讲，该低介电纤维产品增强树脂基复合材料的具有介电性能和力学性能优异的特征，所得复合材料适用于高频高速通讯领域的应用。
一种电热塑性树脂纤维复合材料及其用途

[发明专利]处理低介电常数介电层的方法-CN200510088590.9有效
发明人：王静亚;曾伟雄;罗冠胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种处理低介电常数介电层的方法，藉以改善机械力及/或修复等离子体蚀刻伤害，此处理低介电常数介电层的方法包括提供含低介电常数氧化硅介电绝缘层；以及对此含低介电常数氧化硅介电绝缘层进行一超临界流体处理，此超临界流体包括超临界二氧化碳以及共溶剂，其中此共溶剂包括硅键形成取代基，且此硅键形成取代基的键结能大于硅氢(Si－H)键结能，以通过此硅键形成取代基取代至少一部分的多个硅氢键结。
处理介电常数介电层方法

[发明专利]乙烯苄基醚化‑DOPO化合物树脂组合物及制备和应用-CN201310699895.8有效
发明人：李长元;谢镇宇;王亚璐;赵宗严;胡志龙 -专利权人：中山台光电子材料有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明属于低介电性能树脂技术领域，公开一种乙烯苄基醚化‑DOPO化合物树脂组合物及其制备方法和应用。该组合物包含乙烯苄基醚化‑DOPO化合物树脂和乙烯基聚苯醚树脂。本发明通过对DOPO树脂进行乙烯苄基醚化，可得到低介电特性的乙烯苄基醚化‑DOPO化合物树脂，其本身无羟基，交联反应过程中不会产生羟基官能基；且乙烯苄基醚化‑DOPO化合物树脂含有磷原子，具有阻燃效果。本发明通过将制备得到的乙烯苄基醚化‑DOPO化合物树脂和无羟基、低介电的乙烯基聚苯醚树脂复合，得到低介电常数及低介电损耗的树脂组合物，应用于金属积层板及印刷电路板中可实现优异的介电特性能和阻燃效果。
乙烯苄基 dopo 化合物树脂组合制备应用

[发明专利]高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法-CN201510710127.7有效
发明人：翁凌;鞠培海;刘立柱;张笑瑞 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： B32B27/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（1）、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层（2），其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置本发明应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法

[实用新型]高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜-CN201620048776.5有效
发明人：翁凌;鞠培海;刘立柱;张笑瑞 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（1）、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层（2），其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置本实用新型应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜

[发明专利]降低多孔低K膜的介电常数的方法-CN201380036771.X在审
发明人： K·陈;J·徐;K·S·伊姆;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的实施例一般是关于降低半导体制造中所使用的低k介电质薄膜的介电常数之方法。在一实施例中，一种用于降低低k的含硅介电质薄膜的介电常数(k)的方法包括使多孔的低k的含硅介电质薄膜暴露于氢氟酸溶液，接着使该低k的含硅介电质薄膜暴露于硅烷化作用剂。硅烷化作用剂与该多孔的低k介电质薄膜中的Si-OH官能基反应，以增加低k介电质薄膜中的碳浓度。
降低多孔介电常数方法

[发明专利]通过气相化学暴露的低K介电质损伤修复-CN201380039886.4在审
发明人： K·陈;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供了一种用于修复及降低半导体制造中所使用的低k介电层的介电常数的方法。在一个实施例中，一种修复损伤低k介电层的方法包括使多孔的低k介电层暴露于含乙烯基硅烷的化合物；及可选择地使该多孔的低k介电层暴露于紫外线(UV)固化工艺。
通过化学暴露介电质损伤修复

[发明专利]一种低介电阻燃环氧树脂的制备方法-CN202210475552.2在审
发明人：庄春艳;梅凤策;段好东;周冲;武军;曾冲;吴妹;李晓;侯计金;王忠卫 -专利权人：青岛富斯林化工科技有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C08G59/14 文献下载
摘要：本发明公开一种低介电阻燃环氧树脂的制备方法，包括以下步骤：a、制备含氟DPO基阻燃剂；选用二苯基氧化膦、2‑氟‑5‑三氟甲基苯胺和苯甲醛为原料，反应制得含氟DPO基阻燃剂；b、制备低介电阻燃环氧树脂；将步骤a制得的含氟DPO基阻燃剂与环氧树脂本体反应，得到反应液；然后向反应液中加入固化剂，得到混合液；再将混合液倒入模具中固化，制得低介电阻燃环氧树脂。本发明先对DPO进行衍生化，制得含氟DPO基阻燃剂，然后将其与环氧树脂本体进行接枝反应，并添加固化剂进行固化，最终制得改性环氧树脂，该环氧树脂具有优异的低介电、阻燃特性，可在电子电气领域推广使用。
一种低介电阻燃环氧树脂制备方法

[发明专利]一种环氧树脂基低介电复合材料及其制备方法-CN202310688737.6在审
发明人：陈振坤;黄兴良;刘金良;徐喜成 -专利权人：北京同益中新材料科技股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种环氧树脂基低介电复合材料及其制备方法；该制备方法包括以下步骤：a)将超高分子量聚乙烯纤维织物进行浸胶后，依次经固化和热压成型，得到环氧树脂基低介电复合材料；所述浸胶的胶粘剂采用多官能团环氧树脂复合体系与现有技术相比，本发明提供的制备方法以超高分子量聚乙烯纤维织物为基材，以特定环氧树脂复合体系为胶粘剂，配合特定工艺步骤，实现整体较好的相互作用，制备得到的环氧树脂基低介电复合材料强度高、抗冲击性能好，同时具有低介电常数和低介电损耗
一种环氧树脂基低介电复合材料及其制备方法

[发明专利]低K介电膜修复方法-CN200880012841.7有效
发明人：尹秀敏;马克·威尔考克森;约翰·M·德拉里奥斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种用于修复低k介电膜层中的贫碳的低k材料的设备、系统及方法，包括确定含有烃基的修复化学制剂，该修复化学制剂配置为修复贫碳的低k材料，且将所确定的修复化学制剂弯月面应用于低k介电膜层，从而低k介电膜层中的贫碳的低k材料被充分暴露于该修复化学制剂弯月面而基本上修复低k材料。该修复后的低k材料显示出基本上等同的低k介电膜层的低k电介质特性。
介电膜修复方法

[发明专利]一种轻质低介电耐热聚芳硫醚基复合材料及其制备和应用-CN202211592317.X在审
发明人：严永刚;邓光进;焦雪菲;任浩浩;严大卫 -专利权人：中鼎凯瑞科技成都有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C08L81/02 文献下载
摘要：本发明属于高分子合成领域，具体涉及一种轻质低介电耐热聚芳硫醚基复合材料及其制备和应用。本发明提供一种轻质低介电耐热聚芳硫醚基复合材料的制备方法，所述制备方法为：先在聚芳硫醚的合成的过程中引入吸光剂制得聚芳硫醚/吸光剂复合物；然后加入多酚型抗氧剂搅拌混匀制得聚芳硫醚/吸光剂/多酚型抗氧剂复合体；最后将所述复合体与表面改性处理的硅酸铝纤维通过熔融共混和加工成型制得所述轻质低介电耐热聚芳硫醚基复合材料。本发明制备了一种轻质低介电耐热的聚芳硫醚基复合材料，并且其高温色泽也好，不会变暗；即制得了一种综合性能优异的聚芳硫醚基复合材料。
一种轻质低介电耐热聚芳硫醚基复合材料及其制备应用

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