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[发明专利]一种石墨烯基介电弹性体复合材料及其制备方法-CN201410314148.2有效
发明人：宁南英;田明;马琴;张立群;刘苏亭 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C08L7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯基介电弹性体复合材料及其制备方法，该复合材料包括弹性体基体、氧化石墨烯基介电填料和交联体系，其中氧化石墨烯基介电填料是表层用聚多巴胺有机层包覆的氧化石墨烯，并且该介电填料以纳米水平层状分散在弹性体基体中，形成聚多巴胺有机层包覆的氧化石墨烯片层包裹胶乳粒子的隔离网络结构；该制备方法用多巴胺仿生修饰氧化石墨烯，显著降低了介电损耗，提高电击穿强度，并且聚多巴胺有机层厚度可以通过多巴胺修饰过程的参数调控，进而按需调控复合材料的介电常数、介电损耗和电击穿强度，可以制备出满足生物医疗领域安全性的石墨烯基介电弹性体复合材料。
一种石墨烯基介电弹性体复合材料及其制备方法

[发明专利]一种BMN基微波介电陶瓷材料及制备方法-CN201310141918.3无效
发明人：花银群;崔晓;薛青;陈瑞芳 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及微波介电陶瓷材料制造技术领域，具体地说是一种BMN基微波介电陶瓷材料及制备方法。本发明通过调整介电功能添加剂的合理比例，所述材料的组分按摩尔百分比计算为：Bi2O358%～59%，MgO6.8%～6.9%，Nb2O524%～33%为主体材料；Li2CO3为0.15%～0.2%，为介电功能添加剂；SnO2为1.2%～10.2%，为介电功能添加剂。利用传统固相合成法制备的铌镁酸铋基陶瓷材料，介电常数为143～175，介电损耗为0.00038～0.00049，介电温度系数为-536ppm/℃~-432ppm/℃，本发明的铌镁酸铋基微波介电陶瓷材料可用于集成电路中介质压控微波器件
一种 bmn 微波陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种铌镁酸铋基锂钛共替换微波介电陶瓷材料及制备方法-CN201310140252.X无效
发明人：花银群;崔晓;薛青;陈瑞芳 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及微波介电陶瓷材料制造技术领域，具体地说是铌镁酸铋基微波介电陶瓷材料及制备方法。本发明通过调整介电功能添加剂的合理比例，所述材料的组分按摩尔百分比计算为：Bi2O359%～60%，MgO6.9%～7.0%，Nb2O530%～33.2%为主体材料，Li2CO3、TiO2各为0.15%～3%，为介电功能添加剂。利用传统固相合成法制备的铌镁酸铋基陶瓷材料，介电常数为188～213，介电损耗为0.00027～0.00031，介电温度系数为-683ppm/℃~-523ppm/℃；本发明的铌镁酸铋基微波介电陶瓷材料可用于集成电路中介质压控微波器件
一种铌镁酸铋基锂钛共替换微波陶瓷材料制备方法

[发明专利]用于隔离多孔低K介电薄膜的结构和方法-CN02160418.5无效
发明人：科特·G·斯坦纳;苏珊·维特卡瓦格;斯蒂夫·莱特尔;杰拉尔德·吉伯森;斯科特·詹森 -专利权人：艾格瑞系统有限公司
申请日： 2002-12-30 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种薄膜结构，包括低k介电薄膜以及阻挡层薄膜、刻蚀中止薄膜和硬质掩模薄膜之类的N－H基源薄膜。在低k介电薄膜和邻近的N－H基薄膜之间插入抑制胺或其它N－H基从N－H基源薄膜向低k介电薄膜扩散的TEOS氧化物薄膜。由于在低k介电薄膜中没有基团中和化学增强抗蚀剂中的酸性催化剂，因此该薄膜结构可以采用DUV光刻和化学增强抗蚀剂制作图形。
用于隔离多孔薄膜结构方法

[发明专利]用于闪存单元的纳米硅尖薄膜-CN201510811717.9有效
发明人：苏祖辉;陈志明;蔡嘉雄;喻中一;王嗣裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：QNT薄膜包括第一介电层和布置在第一介电层上方的第二介电层。此外，QNT薄膜包括布置在第一介电层上方并且延伸至第二介电层内的QNT。QNT高宽比大于50％。本发明还提供了QNT基的闪存单元和一种用于制造SiNT基的闪存单元的方法。
用于闪存单元纳米薄膜

[发明专利]一种石墨烯-CCTO基陶瓷复合介电材料的制备方法-CN201910697433.X在审
发明人：曾和平;黄延伟;贺嘉杨 -专利权人：华东师范大学重庆研究院;华东师范大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯‑CCTO基陶瓷复合介电材料的制备方法，其包括以下步骤：将金属离子源分溶解于溶剂中，混匀后，得到CCTO基陶瓷材料的前驱体溶胶；将所述CCTO基陶瓷材料的前驱体溶胶静置进行老化后，加入氧化石墨烯分散液，混匀后，干燥得到石墨烯‑CCTO基陶瓷材料的前驱体干粉，将所述石墨烯‑CCTO基陶瓷材料的前驱体干粉研磨成细粉后，在低功率激光下进行辐照，得到石墨烯‑CCTO基陶瓷复合粉末；将所述石墨烯‑CCTO基陶瓷复合粉末经过压实成型后，在高功率激光下进行合成，得到所述石墨烯‑CCTO基陶瓷复合介电材料。本发明所得复合介电材料颗粒细小、致密性较好，具有巨介电、低损耗的特点，且该制备方法成本低廉、快速高效，适合巨介电材料在高密度存储器件中的大范围应用。
石墨烯陶瓷材料介电材料陶瓷复合制备陶瓷复合粉末前驱体溶胶前驱体干粉混匀高密度存储器件复合介电材料低功率激光高功率激光金属离子源巨介电材料氧化石墨烯辐照研磨低损耗分散液致密性溶剂介电细粉压实成型溶解合成老化应用

[发明专利]RCC基板及多层叠置软板-CN202010525840.5在审
发明人：黄黎明;周慧;宋赣军;周光大;林建华 -专利权人：浙江福斯特新材料研究院有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：该RCC基板包括铜箔和介电层，介电层接触设置在铜箔上，以重量百分比计，介电层包括60～90％的聚酰亚胺树脂和10～40％的环氧树脂，环氧树脂为三官能基环氧树脂、四官能基环氧树脂。本申请采用包括60～90％的聚酰亚胺树脂和10～40％的环氧树脂的介电层，其中的聚酰亚胺使介电层具有低Dk和低Df的特性，且在应用时也不需要进行亚胺化，简化了工艺；三官能基环氧树脂、四官能基环氧树脂保证了介电层具有足够的粘结力
rcc 多层叠置软板

[发明专利]薄膜电容器及制造方法、和薄膜电容器嵌入式印刷电路板-CN200810088819.2有效
发明人：李承恩;郑栗教;李汀苑;李寅衡;宋秉翼 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：介电层由不需高温热处理就具有预定介电常数的BiZnNb－基非晶质金属氧化物制成，并且调整BiZnNb－基非晶质金属氧化物的金属相铋含量以获得期望的介电常数。同样，可形成具有不同金属相铋含量的另一介电层。所述薄膜电容器包括：第一电极；包括形成于所述第一电极上的第一介电膜的介电层，所述介电层包括BiZnNb－基非晶质金属氧化物；以及形成于所述介电层上的第二电极，其中所述BiZnNb－基非晶质金属氧化物包含金属相铋
薄膜电容器制造方法嵌入式印刷电路板

[发明专利]一种用于LFT-D工艺的高流动阻燃PP基料，及低介电低应力无卤阻燃聚丙烯复合材料-CN202010003558.0有效
发明人：涂永鑫;刘雪婷;孙少文;陈景威;费晨洪;王绍杰 -专利权人：万华化学（宁波）有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于LFT‑D工艺生产的高流动无卤阻燃PP基料，其主要原料包括：聚丙烯、无卤阻燃剂、阻燃协效剂、抗氧剂、耐候助剂、润滑剂和相容剂，所述阻燃协效剂包括负载型磷钨酸粉末和改性水滑石；将无卤阻燃PP基料，通过LFT‑D工艺，引入低介电玻璃纤维，制得低介电低应力无卤阻燃聚丙烯复合材料。本发明制备高流动无卤阻燃基料，结合LFT‑D工艺，将低介电基料与低介电玻纤结合起来，相比传统的GMT和PP‑LGF工艺，达到优异性能的同时，实现高阻燃和低介电性能，DK(介电常数)为2.8(2.5GHz)以下，介电损耗(Df)＜3*10‑3(2.5GHz)，未来在5G时代具有广阔的发展前景。
一种用于 lft 工艺流动阻燃 pp 基料低介电低应力聚丙烯复合材料

[发明专利]一种石墨烯/聚酰胺介电复合材料的制备方法-CN201510065407.7在审
发明人：贾清秀;张慧敏;张玉芳 -专利权人：北京服装学院
申请日： 2015-02-08 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯/聚酰胺介电复合材料的制备方法，该复合材料包括生物基聚酰胺基体、氧化石墨烯基介电填料，其中氧化石墨烯基介电填料是用氧化石墨烯包覆碳纳米球，然后再用聚多巴胺包覆氧化石墨烯得到的，并且该介电填料以纳米水平分散在生物基聚酰胺基体中碳纳米球的加入降低了石墨烯的用量，多巴胺的加入改善了氧化石墨烯在聚酰胺基体的分散问题，同时还对氧化石墨烯有一定的还原作用，从而获得了高介电常数、低介电损耗的石墨烯/聚酰胺介电复合材料。
一种石墨聚酰胺复合材料制备方法

[发明专利]通过沉积调整来解决FCVD的线条弯曲-CN201580070028.5有效
发明人：梁璟梅;K·V·塔达尼;J·S·卡契安;N·拉贾戈帕兰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过用自由基处理含支柱的基板来形成处理表面。自由基可以是硅基的、氮基的或氧基的。该方法可包括通过使有机硅前体和氧前体反应来在处理表面上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。减少具支柱的基板的线条弯曲与表面粗糙度的方法包括通过使有机硅前体、氧前体和自由基前体反应来在含支柱的基板上面形成介电膜。该方法可包括在约150℃或以下的温度下，固化介电膜。自由基前体可选自由氮基自由基前体、氧基自由基前体和硅基自由基前体所组成的群组。
通过沉积调整解决 fcvd 线条弯曲

[发明专利]一种基于核壳动态硫化的碳基介电弹性体及制备方法-CN201710643089.7有效
发明人：陈玉坤;龚舟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于核壳动态硫化的碳基介电弹性体及制备方法。在塑料连续相中分散形成多个壳橡胶完全包覆交联的核橡胶的核壳结构；介电弹性体中碳基导电填料选择分散在核橡胶中，并被壳橡胶包覆形成一个个分散的微米级微电容；碳基介电弹性体在101‐106Hz频率范围内介电常数维持在55以上，介电损耗都能保持在0.1以下；本发明制备的介电弹性体，在宽频范围内保持低介电损耗的同时显著提高了介电常数
一种基于动态硫化碳基介电弹性体制备方法

[发明专利]RRAM下电极结构及其形成方法-CN202210635834.4在审
发明人：李晓波;仇圣棻 -专利权人：昕原半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种RRAM下电极结构及其形成方法，其中的方法包括：以平坦化的第一金属/介电层作为衬底，使所述第一金属/介电层的表面全部或部分裸露出第一金属；在预设温度氛围下以富含硅元素的等离子体轰击所述第一金属表面，以在所述第一金属表面形成第一金属硅化物层；在所述第一金属硅化物层上通入形成硅基介电薄膜的前驱体，以形成连续且平整的硅基介电薄膜；在所述硅基介电薄膜的表面形成RRAM Cell下电极；对所述RRAM Cell利用本发明，能够有效提高第一金属与硅基介电层界面的附着力，从而进一步提升第一金属的电迁移和应力迁移特性，提高器件的可靠性和良率。
rram 电极结构及其形成方法

[发明专利]二烯烃介电弹性体的制备方法-CN202110346238.X有效
发明人：郭宝春;仇慧子;吴思武;刘家良;陈艺夫 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C08L15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二烯烃介电弹性体的制备方法，首先，将二烯烃橡胶溶解于反应介质中，通过一锅反应法，先与环氧化试剂反应，再与氧化降解试剂反应，制得端醛基二烯烃液体橡胶；然后通过溶液混合法，将端醛基二烯烃液体橡胶、端氨基聚醚胺、高介电溶剂、多官能醛基交联剂在有机溶剂中混合，挥发溶剂后加热固化得到二烯烃介电弹性体。本发明以端醛基二烯烃橡胶为基体，端氨基聚醚胺为增容剂，通过醛胺缩合反应实现橡胶基体的扩链并提高分子链极性，提高橡胶基体与高介电溶剂间的相容性，并利用多官能醛基交联剂实现橡胶基体的交联，最终赋予二烯烃材料高的介电常数，同时保留低的力学模量、介电损耗及电导率。本发明属于介电弹性体的制备技术领域。
烯烃弹性体制备方法

[发明专利]聚合物基陶瓷复合介电材料及其制备方法-CN201110008545.3有效
发明人：刘晓林;陈建锋;窦晓亮;栗艳 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： B32B27/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚合物基陶瓷复合介电材料，其特征在于，由多层介电材料层构成，所述多层介电材料层包括：第一聚偏二氟乙烯层；以及复合材料层，所述复合材料层设在所述第一聚偏二氟乙烯层的一侧表面上且含有90～50vol根据本发明实施例的聚合物基陶瓷复合介电材料具有更高的介电常数、更良好的加工性能。本发明还提供了一种电容器以及聚合物基陶瓷复合介电材料的制备方法。
聚合物陶瓷复合材料及其制备方法