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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法-CN200910237090.5无效
发明人：汪洋;赵玲娟;朱洪亮;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层；步骤2：在激光器区域制作布拉格光栅，然后大面积外延生长p型磷化铟光栅掩盖层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟盖层和p+铟镓砷电极接触层；步骤3：在外延片上刻蚀脊型光波导，使用He离子注入提高隔离区电阻，然后钝化及平坦化表面，最后制作p型和n型电极。
吸收调制注入分布反馈半导体激光器制作方法

[发明专利]一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法-CN200710099865.8无效
发明人：徐云;陈良惠;李玉璋;曹青;宋国峰;郭良 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法，包括：A.在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；B.在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；C.在外延片上通过两次光刻出双沟脊波导，制备脊形台面作为出光面；D.在脊形台面上淀积电绝缘膜；E.在电绝缘膜上制备P面电极；F.对N型衬底减薄抛光后制备N面电极。
一种量子发射半导体激光器制作方法

[发明专利]一种研磨材料制备方法-CN201510417887.9在审
发明人：沈丽华;王林丹;沈川江;吕阿琴 -专利权人：湖州华通研磨制造有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的研磨材料更加适合用于蓝宝石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化镓、砷化镓、砷化铟、磷化铟等硬脆材料的研磨中。本发明方法制备的研磨材料更加适合用于蓝宝石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化镓、砷化镓、砷化铟、磷化铟等硬脆材料的研磨中。
一种研磨材料制备方法

[实用新型]双测温感应烹饪器具-CN202223097364.5有效
发明人：管兴勇 -专利权人：杭州越磁科技有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： F24C7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双测温感应烹饪器具，所述双测温感应烹饪器具包括烹饪主体、铟镓砷探测器、热敏电阻组件以及控制组件，所述烹饪主体具有用于放置锅具的微晶面板以及设于所述微晶面板下方的加热线盘；所述铟镓砷探测器设于所述烹饪主体，用于接受锅具上发射的红外线并输出温度信号；所述热敏电阻组件设在所述微晶面板的下表面，用于测量锅具温度；所述控制组件设于所述烹饪主体且分别与所述铟镓砷探测器、热敏电阻组件电性连接。本器具在烹饪时，高温段下使用所述铟镓砷探测器测温，低温段下使用所述热敏电阻组件测温，所述控制组件控制线圈加热以控制温度，从而能够在全温度段进行精确测温并控温。
测温感应烹饪器具

[发明专利]红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法-CN200710099864.3无效
发明人：徐云;陈良惠;张玉芳;宋国峰;李玉璋;种明;郑婉华;曹青 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法，包括：在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；在外延片上光刻腐蚀出光台面；在出光台面上淀积电绝缘膜；在电绝缘膜上制备P面电极；对N型衬底减薄抛光后制备N面电极；将具有P、N电极的片子解理成条作为激光器的谐振腔面，并在激光器前后腔面蒸镀增透膜和高反膜
红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块制备方法

[发明专利]吉赫兹脉冲门控低通滤波红外单光子探测器-CN200910145018.X无效
发明人：赵天鹏;刘云;何德勇;徐军;赵义博;韩正甫;郭光灿 -专利权人：安徽问天量子科技股份有限公司
申请日： 2009-09-21 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：包括脉冲门控功率源，铟镓砷铟磷雪崩光电二极管电路，直流电压偏置电路，低通滤波器，高速宽带放大器，超高速比较器和计数器，以脉冲门控功率源输出的吉赫兹(GHz)脉冲信号作为铟镓砷铟磷雪崩光电二极管电路的门控信号，以低通滤波器对铟镓砷铟磷雪崩光电二极管的结电容微分效应引起的尖峰噪声信号进行低通滤波。
赫兹脉冲门控滤波红外光子探测器

[实用新型]吉赫兹脉冲门控低通滤波红外单光子探测器-CN200920187658.2无效
发明人：赵天鹏;刘云;何德勇;徐军;赵义博;韩正甫;郭光灿 -专利权人：安徽问天量子科技股份有限公司
申请日： 2009-09-21 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：包括脉冲门控功率源，铟镓砷铟磷雪崩光电二极管电路，直流电压偏置电路，低通滤波器，高速宽带放大器，超高速比较器和计数器，以脉冲门控功率源输出的吉赫兹(GHz)脉冲信号作为铟镓砷铟磷雪崩光电二极管电路的门控信号，以低通滤波器对铟镓砷铟磷雪崩光电二极管的结电容微分效应引起的尖峰噪声信号进行低通滤波。
赫兹脉冲门控滤波红外光子探测器

[发明专利]双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法-CN200410081009.6无效
发明人：侯廉平;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底上依次外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、空间层、有源区和较薄的磷化铟本征层，磷化铟本征层可防止有源区的氧化；去掉最上面的磷化铟本征层，用SiO₂把激光器部分掩蔽，采用湿法腐蚀工艺刻出模斑转换器上脊形状；然后利用自对准工艺刻出下脊形状，该下脊形状包括下波导层、空间层；第二次生长p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；用SiO₂把模斑转换器部分掩蔽，重新刻出激光器部分的上、下脊形状，该上脊形状包括有源区、p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；外延片衬底减薄至100μm，制作p/n电极后
波导技术制作半导体激光器转换器方法

[发明专利]砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法-CN200610171666.9无效
发明人：赵超;徐波;陈涌海;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-31 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种砷化铟和砷化镓的纳米结构，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，以避免衬底上的缺陷；一第一势垒层，该第一势垒层制作在缓冲层上，起到限制载流子作用；一铟或镓的第一液滴层，该铟或镓的第一液滴层制作在第一势垒层表面；一第二势垒层，该第二势垒层制作在铟或镓的液滴层的上面，保持原来的温度生长，以避免破坏纳米结构；一第三势垒层，该第三势垒层制作在第二势垒层上，采用高温生长，以得到好的晶体质量；一铟或镓的第二液滴层，该铟或镓的第二液滴层制作在第三势垒层表面
砷化铟砷化镓纳米结构及其制作方法

[发明专利]一种机场跑道表面冰水混合物含冰比的光学测量装置与方法-CN202210760887.9在审
发明人：刘鸿鹏;张嘉桐;孙高晶;台宏达;秦绍萌;武爱青;李立 -专利权人：中国民航大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N21/359 文献下载
摘要：本发明公开了一种机场跑道表面冰水混合物含冰比的光学测量装置与方法，包括第一近红外LED发光二极管与第一铟镓砷光电二极管探测器，所述第一近红外LED发光二极管一侧设置有第二近红外LED发光二极管，所述第二近红外LED发光二极管一侧设置有第三近红外LED发光二极管，所述第一铟镓砷光电二极管探测器一侧设置有第二铟镓砷光电二极管探测器，所述第二铟镓砷光电二极管探测器一侧设置有第三铟镓砷光电二极管探测器。
一种机场跑道表面冰水混合物光学测量装置方法

[发明专利]III/V族材料的高生长速率沉积-CN201880024678.X在审
发明人：洛里·D·华盛顿;大卫·P·布尔;格雷格·海格什;何甘 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：III/V族材料是包含砷化镓、砷化铝镓、砷化镓铟、砷化镓铟氮化物、磷化镓铝铟、其磷化物、其氮化物、其衍生物、其合金或其组合的外延生长层的薄膜。
砷化镓铟氮化物磷化镓铝铟外延生长层衬底移除电子器件气相沉积砷化铝镓外延生长小时和约磷化物砷化镓牺牲层衬底可用支撑沉积薄膜半导体太阳能合金剥离生长应用

[发明专利]III/V族材料的高生长速率沉积-CN201080046939.1有效
发明人： L·D·华盛顿;D·P·波尔;G·西伽士;G·何 -专利权人：埃尔塔设备公司
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：III/V族材料是外延生长层的薄膜，所述外延生长层的薄膜含有砷化镓、砷化镓铝、砷化镓铟、氮化砷化镓铟、磷化镓铝铟、其磷化物、其氮化物、其衍生物、其合金或其组合物。
iii 材料生长速率沉积

[发明专利]一种提高铟镓砷光电阴极近红外波段响应的激活方法-CN202010358231.5有效
发明人：张益军;舒昭鑫;荣敏敏;李诗曼;李姗;张锴珉;詹晶晶;钱芸生 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高铟镓砷光电阴极近红外波段响应的激活方法，包括依次采用卤素灯白光光源和1064nm激光光源照射的铯源、氧源交替两步激活。本发明可以得到近红外长波段量子效率更高的铟镓砷光电阴极。
一种提高铟镓砷光电阴极红外波段响应激活方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010760375.3有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;徐步青;杜勇;黎奔 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供硅衬底，在硅衬底上可以外延形成缓冲层，缓冲层可以包括锗膜和/或砷化镓膜，在缓冲层上外延形成磷化铟层。这样锗膜和/或砷化镓膜可以作为硅衬底和磷化铟层之间的缓冲层，改善硅衬底和磷化铟层之间的晶格失配，减少磷化铟层中的反向畴，减少磷化铟层中的缺陷，提高基于磷化铟层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体外延结构及其生长方法-CN202211118583.9有效
发明人：郭银涛;王俊;程洋;肖啸;夏明月;方砚涵 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：所述半导体外延结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的下波导层；位于所述下波导层上的有源区，所述有源区包括铟镓铝砷量子阱层和势垒层，所述势垒层位于所述量子阱层的两侧，所述势垒层为砷化镓、铝镓砷或镓砷磷中的一种或多种组合本申请避免有源区在高温下铟偏析，提高了激光器的稳定性。
一种半导体外延结构及其生长方法

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