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[发明专利]铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088979.3无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其采用铟镓磷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、应变铟镓磷层、铟镓砷层；其中，第九层铟镓砷外延层作为帽层，第八层应变铟镓磷层外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铟铝砷外延层作为增强型的势垒层，第五层铟铝砷外延层作为隔离层，第四层铟镓砷作为沟道层。
铟镓磷增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[发明专利]带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构-CN200410032559.9无效
发明人：张洪波;韦欣;朱晓鹏;王国宏;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构，其中包括：一衬底；一铝镓砷层，该铝镓砷层制作在衬底上；一铝镓铟砷有源层，该铝镓铟砷铝镓铟砷有源层制作在铝镓砷上；一铝铟砷层，该铝铟砷铝铟砷层制作在铝镓铟砷有源层上；一铟磷层，该铟磷层制作在铝铟砷层上，该铟磷层的面积小于铝铟砷层的面积；一铟镓砷层，该铟镓砷层制作在铟磷层上；该铟磷层和铟镓砷层形成一脊型区域；一层介质膜，该层介质膜制作在脊型区域的两侧及铝铟砷层上；一层P面电极，该P面电极制作在脊型区域的上面及介质膜上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。
带有锥形增益波导功率半导体激光器结构

[发明专利]变形异质接面双极性晶体管-CN00124312.8无效
发明人：赵鹏盛;吴展兴;林燕津 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2000-09-04 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种变形异质接面双极性晶体管,特别是有关于一种具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆的材料结构的变形异质接面双极性晶体管。本发明材料结构包括有一半绝缘的伸化镓基板;一未掺杂的砷锑化铝镓或砷化铝铟镓或其他形式的变形缓冲层;一高掺杂的n－型砷化铟镓层;一低掺杂的n－型砷化铟镓或磷化铟或砷化铟铝层;一高掺杂的p－型砷化铟镓层;一n－型砷化铟铝或渐变的砷化铝铟镓或磷化铟层;以及一高掺杂的n－型砷化铟镓层。
变形异质接面双极性晶体管

[发明专利]单模量子级联激光器的器件结构及制作方法-CN200510126478.X无效
发明人：郭瑜;刘峰奇;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-12-14 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种单模量子级联激光器的器件结构，包括：一n型磷化铟衬底；一n型铟镓砷下波导层制作在n型磷化铟衬底上；35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源层制作在下波导层上；一n型铟镓砷上波导层制作在有源层上；一n型铟铝砷上包层制作在n型铟镓砷上波导层上；一n型铟镓砷高掺杂接触层制作在n型铟铝砷上包层上；一n型铟镓砷欧姆接触层制作在n型铟镓砷高掺杂接触层上；一SiO₂电绝缘层制作在整个材料的上表面及双沟脊形结构的侧壁，该SiO₂电绝缘层的之间为断开，形成电流注入窗口；一正面n型电极制作在SiO₂电绝缘层上；一背面n型电极制作在n型磷化铟衬底的背面。
单模量子级联激光器器件结构制作方法

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料-CN200510011893.0无效
发明人：李海鸥;尹军舰;和致经;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料，其采用铟镓磷/铝镓砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，生长超晶格层作为缓冲层，然后在超晶格层上顺序生长：铝镓砷层、铟镓砷层、铝镓砷层、平面掺杂层、铝镓砷层、铟镓磷层、砷化镓层；其中，第九层砷化镓外延层作为帽层，第八层铟镓磷外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铝镓砷外延层作为增强型的势垒层，第四层铟镓砷作为沟道层。本发明设计的材料结构制作出了具有良好性能的增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管器件，具有工艺重复性好、可靠性强的特点，在微波、毫米波化合物半导体器件制作和直接耦合场效应管逻辑电路中具有非常明显的实际应用价值
砷化镓基增强耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088980.6无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，为单片集成增强/耗尽型，其采用铟镓砷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、铟磷层、铟铝砷层、铟镓砷层。本发明设计的材料结构测得其沟道二维电子气浓度为1.57E+12cm^－2，电子迁移率为9790cm²/V.S，制作出了具有良好性能的增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管器件
砷化镓基增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[发明专利]磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法-CN200410057151.7无效
发明人：郭瑜;刘峰奇;李成明;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器材料的生长方法，包括如下生长步骤：利用分子束外延技术首先在磷化铟衬底上分别生长铟镓砷和铟铝砷层，最终得到与衬底匹配的铟镓砷和铟铝砷层中In、Ga及In、Al的束流值；然后在磷化铟衬底上生长匹配的多层铟镓砷或铟铝砷的N型掺杂台阶，得到生长磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料时各外延层所需的掺杂浓度对应的Si源炉温度；最后在磷化铟衬底上依次生长晶格匹配的下波导层、有源区、上波导层、上包层、接触层以及欧姆接触层，得到磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料。
磷化量子级联半导体激光器材料结构生长方法

[发明专利]一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器-CN201810944789.4有效
发明人：毛陆虹;李佳奇;谢生 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-19 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L31/167 文献下载
摘要：一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，包括有铟砷化镓基底层，铟砷化镓基底层上端面的一端设置有金金属漏极，另一端设置有金金属源极，在金属漏极和金属源极之间且位于铟砷化镓基底层上端面由下至上依次设置有作为沟道的砷化镓层、作为第一层势垒的铝化砷层、作为半导体量子阱的铟砷化镓层、作为第二层势垒的铝化砷层和作为吸光材料的N型铟砷化镓层，其中，铟砷化镓层、铝化砷层和N型铟砷化镓层两端与所对应的金属漏极和金属源极之间分别形成有氧化绝缘层，N型铟砷化镓层的上端面上设置有作为顶栅结构的金属铁电极层。
一种半导体光控赫兹量子振荡器

[发明专利]一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法-CN200410056982.2无效
发明人：郭瑜;王春华;刘俊岐;刘峰奇;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器，包括：一N型磷化铟衬底；一N型铟镓砷下波导层，该下波导层制作在N型磷化铟衬底上；一35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源区，该有源区制作在下波导层上；一N型铟镓砷上波导层，该上波导层制作在有源区上；一N型磷化铟上包层，该上包层制作在上波导层上；一N型磷化铟接触层，该接触层制作在上包层上；一N型铟镓砷欧姆接触层，该欧姆接触层制作在N型磷化铟接触层上；经刻蚀在表面形成双沟脊形台面，在该双沟脊形台面制作有绝缘层，该绝缘层之间断开形成电流注入窗口；一正面N型电极，该正面N型电极制作在绝缘层上；一背面N型电极，该背面N型电极制作在N型磷化铟衬底上。
一种磷化量子级联半导体激光器制作方法

[实用新型]一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车-CN201721642209.3有效
发明人：李华山 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车。其中晶体管包括砷化镓基板，砷化镓基板上设置有第一DBR层，第一DBR层上设置有N型砷化镓渐变层，N型砷化镓渐变层上设置有N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层，N型磷化铝镓铟层或者砷化镓铟层上设置有第二DBR层，第二DBR层上的一侧设置有P型磷化镓层，第二DBR层上的另一侧设置有VCSEL结构金属触点，P型磷化镓层上的一侧设置有LED结构金属触点，P型磷化镓层上的另一侧设置有N型砷化镓集电极衬底层。
晶体管集成晶体管磷化铝镓铟砷化镓基板砷化镓铟层渐变层砷化镓电路板本实用新型晶体管芯片电路设计结构金属金属触点衬底层集电极触点汽车芯片占用

[发明专利]一种超晶格波导半导体激光器结构-CN201310014975.5有效
发明人：李特;张月;李再金;郝二娟;邹永刚;芦鹏;曲轶;刘国军;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明属于光电子技术领域，是一种超晶格波导半导体激光器结构，从下到上依次包括:N型砷化镓衬底，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；N型砷化镓缓冲层，主要用以调节晶格适配度；N型下限制层，为铟镓砷磷四元化合物材料，用来限制光场向下的泄露；N型下波导层，为铟镓砷磷四元化合物材料，用来增加对光场模式的限制；量子阱层，该有源区材料为铟镓砷单量子阱；P型上超晶格波导层，为铝镓砷材料，用于调制波导的折射率；P型上波导层，为铝镓砷材料，用来增加对光场模式的限制；P型上限制层，为铝镓砷材料，用来限制光场向上的泄露；过渡层，为砷化镓材料；电极接触层，为砷化镓材料，用来与金属形成上电极。
一种晶格波导半导体激光器结构

[发明专利]连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成-CN02103495.8无效
发明人：张瑞英;王圩;董杰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2002-02-06 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：一种连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成方法，包括如下步骤：利用金属有机气相化学沉积技术在铟磷衬底上生长铟磷缓冲层、铟镓砷磷下波导限制层、铟磷隔离层、有源区结构、薄层铟镓砷磷上限制层和铟磷保护层；光刻腐蚀出模斑转换器部分；采用等离子体气相沉积技术生长二氧化硅；光刻腐蚀出有源区和模斑转换器区域；利用选择金属有机气相化学沉积技术依次生长铟镓砷磷层，P掺杂的铟磷盖层和铟镓砷磷保护层；生长二氧化硅；光刻出掩埋异质结条型结构；采用金属有机气相化学沉积技术生长p－n－p型铟磷电流阻挡层；腐蚀掉二氧化硅和铟镓砷磷层；生长p型铟磷盖层和P+－铟镓砷接触层；作电极；解理，镀膜。
连续对准半导体光电子器件转换器集成

[发明专利]低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计-CN200310110889.0无效
发明人：石瑞英;龚敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2003-11-10 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计，其中包括：砷化镓衬底；该衬底上生长一层重掺杂的N型砷化镓子收集区；该子收集区上是轻掺杂的N型砷化镓收集区；该收集区上为重掺杂的P型铟镓砷锑基区；该基区上为铟镓磷发射区
开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计

[发明专利]一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法-CN201310327079.4无效
发明人：杨波;邓洪海;朱龙源;邵秀梅;李雪;李淘;唐恒敬;魏鹏;王云姬;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法。对于传统的PIN型铟镓砷红外探测器，由于磷化铟帽层或者衬底的吸收，限制了铟镓砷探测器在可见光波段的量子效率。本发明使用加入阻挡层的铟镓砷外延材料制备器件，在探测器阵列器件制备后与读出电路耦合，采用湿法和干法相结合的技术减薄衬底，提高器件在可见光波段的量子效率。另外，采用这种新工艺制备的平面型铟镓砷红外探测器芯片，在实现波长延伸的同时，在常规波段也能保持和传统的铟镓砷探测器相当的量子效率和暗电流。
一种延伸波长平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法

[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人：牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

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