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[发明专利]具有内部电压发生电路的半导体集成电路-CN200910145634.5无效
发明人：冈本利治 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：半导体集成电路装置包括：RAM，即随机访问存储器；和内部电源电路(10)。RAM电路包括多个RAM电路块，即RAM1至RAMn。内部电源电路(10)将电压提供给从多个RAM电路块即RAM1至RAMn选择的选择RAM块，其中所述电压对应于选择RAM电路块的安排位置。
具有内部电压发生电路半导体集成电路

[发明专利]一种数据保存和校验方法-CN201210217594.2有效
发明人：蔡珂;乡国伟;杨展涛 -专利权人：惠州市德赛西威汽车电子有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G06F11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据保存和校验方法，其方法为：将RAM中有用的相关数据块进行堆栈；等待RAM初始化完毕，将相关数据块出栈，并存放至相关的RAM数据块中；通过数据块的校验位校验RAM数据块，若校验通过，则将校验通过数据块存放至EEPROM中；若RAM数据块校验发现异常时，则读取上一次存放到EEPROM中的对应数据块并进行数据校验，校验无误后将该数据块恢复到对应RAM数据块中，若所读取的EEPROM数据校验出现异常，则使用预设的默认数据恢复相关RAM数据块。本发明使用RAM空间保存和校验数据，降低EEPROM数据存储的风险。在电压波动和冲击时，使用RAM空间处理保证EEPROM数据的安全存储。
一种数据保存校验方法

[发明专利]一种动态可重构的RAM读写方式-CN202110228889.9在审
发明人：朱珂;王李伟;陶常勇;汪欣;王元磊;王盼;王永胜;李晓颖;刘长江;李文强 -专利权人：井芯微电子技术（天津）有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态可重构的RAM读写方式，在原始的顺序读写RAM的基础上，增加按奇偶元素分别存储两块RAM的读写方式、按上下三角元素分别存储两块RAM的读写方式、按奇偶行分别存储两块RAM的读写方式以及按行顺序存储到RAM的读写方式。通过寄存器设置能够实现RAM读写方式的改变，从而在硬件电路层面实现RAM读写方式的可重构。
一种动态可重构 ram 读写方式

[发明专利]一种动态可重构的RAM读写方式-CN202210059238.6在审
发明人：朱珂;王永胜;林谦;顾艳伍;赵金萍;储志博 -专利权人：井芯微电子技术（天津）有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态可重构的RAM读写方式，在原始的顺序读写RAM的基础上，增加按奇偶元素分别存储两块RAM的读写方式、按上下三角元素分别存储两块RAM的读写方式、按奇偶行分别存储两块RAM的读写方式以及按行顺序存储到RAM的读写方式。通过寄存器设置能够实现RAM读写方式的改变，从而在硬件电路层面实现RAM读写方式的可重构。
一种动态可重构 ram 读写方式

[发明专利]块存储器拼接方法、拼接模块、存储装置及现场可编程门阵列-CN201811307938.2有效
发明人：吴洋;许莉;贾红;程显志;陈维新;韦嶔 -专利权人：西安智多晶微电子有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种块存储器拼接方法，包括：根据待处理数据地址的第一数据位宽、第一数据深度计算拼接所用的RAM块的数量；根据第一数据深度选取待处理数据地址的判断位的位数和取值；根据判断位的位数确定RAM区的数量，并使RAM块平均分配到每个RAM区中；根据判断位的取值将待处理数据地址发送到对应的RAM区中。本发明的方法通过根据对待处理数据的位宽、深度等特征，对RAM块进行区域划分，使得不同的地址按照预定的规则分配到对应RAM块中，避免了不同地址深度的数据被分配到同一块RAM中或者短时间大量数据都被分配到同一块RAM中进行处理的问题，使每个RAM块交替、独立的工作，从而节省了运行时间，提升了运行速率。
存储器拼接方法模块存储装置现场可编程门阵列

[发明专利]块存储器拼接方法、拼接模块、存储装置及现场可编程门阵列-CN201811308535.X有效
发明人：张东晓;许莉;贾红;程显志;陈维新;韦嶔 -专利权人：西安智多晶微电子有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G11C8/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种块存储器拼接方法，包括：根据待处理数据地址的第一数据位宽、第一数据深度计算拼接所用的RAM块的数量；判断所述第一数据位宽与RAM块数据位宽是否满足预设条件，若是，则按照第一规则将所述待处理数据地址存储在所述RAM块中；若否，则按照第二规则将所述待处理数据地址存储在所述RAM块中。本发明通过根据对待处理数据的位宽、深度等特征，计算得到需要拼接的RAM块数量，然后根据本发明提供的具体规则进行分配，让每个RAM块的数据存储及读写分散开，以避免当数据位宽较大的时候，某些RAM块使用很频繁，某些RAM块使用次数少的问题，将使用较为频繁的位均匀的分到多个RAM块上，从而提升运行速度。
存储器拼接方法模块存储装置现场可编程门阵列

[发明专利]一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器-CN201610903249.2有效
发明人：杨艺;刘虹;兰海洋;王耀辉 -专利权人：凌云光技术集团有限责任公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明是关于一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器，该坏块管理方法，通过在FPGA模块内建立与Nand Flash模块中的块数目相同的随机存取存储器RAM，并将每个RAM的地址分别作为NandFlash模块中每个块的块地址，然后，将检测得到的Nand Flash模块中的每个块的块状态存储在相应地址的RAM，这样，便可以根据各RAM的地址以及RAM中存储的块状态数据，进行相应的读写操作。本发明实施例将RAM的地址作为NAND flash模块中各块的块地址，从而节省了RAM存储块地址占用的空间，并且RAM地址只需用一个计数器来表示，不占用FPGA模块的存储空间，进而节省了FPGA模块的内部资源
一种 nand flash 管理方法装置存储器

[发明专利]基于FPGA的图像数据传输方法、装置和计算机设备-CN202211467583.X在审
发明人：郭慧;张见;戚涛;姚毅 -专利权人：凌云光技术股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：本申请涉及图像数据处理技术领域，具体而言，涉及一种基于FPGA的图像数据传输方法、装置和计算机设备，一定程度上可以将每个通道的图像数据分别缓存在每个块RAM的存储方式存在因对块RAM的宽度利用不充分，而造成浪费块RAM资源的问题。所述方法包括：基于每个通道的通道宽度和通道个数确定块RAM个数；在每个通道中，将连续预设个数个时刻内接收的图像数据进行拼接，得到拼接图像数据；在预设个数个时刻内，依次将所有通道的拼接图像数据分别写入相应块RAM的不同地址，其中，同一拼接图像数据的图像数据写入相同的块RAM的相同地址中；在一行图像数据都写入块RAM后，从所有块RAM的相同地址依次读取图像数据。
基于 fpga 图像数据传输方法装置计算机设备

[发明专利]一种提高RAM利用效率的方法-CN200610033386.1有效
发明人：范嘉旗;张玉泉;李星;何军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： G06F5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高PLD中RAM的利用效率的方法，将RAM读写数据的时钟频率与外部时钟频率分离，使用倍频时钟作为RAM的时钟，在多个RAM时钟周期内依次读写一个外部读写数据周期所读写的数据，使得位宽小的RAM可以适用于位宽大的PLD中的功能模块，同样也使得一块RAM块可以适用于一个以上的PLD中的功能模块，有效地提高了RAM块的利用效率，节约了资源。
一种提高 ram 利用效率方法

[发明专利]一种基于FPGA的SNAT系统及方法-CN201910252693.6有效
发明人：苏庆会;余军;武元杰;刘武忠;吴世勇;王斌;杨光;李银龙;王凯霖;徐诺 -专利权人：郑州信大捷安信息技术股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H04L61/2503 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于FPGA的SNAT系统及方法，包括RAM块单元、A端口单元、B端口单元和内网接口单元、外网接口单元；RAM块单元用于联合A端口单元进行SNAT转换和SNAT链接跟踪；A端口单元用于FPGA接收内网接口单元或外网接口单元传输的IP数据包，并通过RAM块单元采用HASH散列循环查找的方式进行SNAT转换和SNAT链接跟踪；B端口单元用于进行RAM块单元中SNAT表项的周期维护；内网接口单元和外网接口单元用于接收本发明通过设计FPGA中的内部资源RAM块单元，采用8个RAM块并行，减少因为没有散列到而浪费的概率，使得RAM资源得到较好的利用，较大发挥了FPGA的性能。
一种基于 fpga snat 系统方法

[发明专利]一种数据标定方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310671394.2在审
发明人：许凯程;孙忠刚;姜珊;王兆麒 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F8/41 文献下载
摘要：该方法包括：获取标定工具的标定请求，解析所述标定请求得到标定量地址；在所述标定量地址为Flash地址的情况下，将所述Flash地址对应的目标Flash块与空闲RAM块的映射关系配置到Overlay寄存器；根据所述映射关系获取所述目标Flash块映射后的目标RAM地址，基于所述目标RAM地址进行数据标定。本发明实施例的技术方案，通过将需要修改的Flash块的标定数据映射到空闲RAM块，避免将完整的标定数据段从Flash映射至RAM，减少对RAM资源占用，缓解了RAM资源紧缺的问题。
一种数据标定方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种数据指针老化的检测方法-CN202210599567.X在审
发明人：罗超;高志;吴小林 -专利权人：成都北中网芯科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明通过数据ram存储数据，数据ram的读写运用地址进行管理，使用另一块ram对这块数据ram的地址进行管理，称为管理ram，使用一块用于老化的ram，称为老化ram；在数据ram某一地址进行数据写的时候就往该地址对应的管理ram的bit写1，写入1表示该地址已被占用；当数据ram的某一地址的指针被释放时，释放地址对应的管理ram和老化ram的值都由1变为0；每隔检查时间间隔T将管理ram的状态刷新至老化ram中，若管理ram中的1写入对应位置老化ram时，若此时该老化ram的对应位置为0，则直接更新为1；若此时该老化ram的对应位置也为1，即视为该指针已经老化。
一种数据指针老化检测方法

[发明专利]一种实现无损伤虚级联恢复的方法-CN200510098300.9无效
发明人：周炼 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2005-09-05 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现无损伤虚级联恢复的方法，其包括下列步骤：将补偿RAM按照虚级联成员的最多个数划分成多个存储块，每个成员对应其中一个存储块；按照时隙编号的顺序将成员数据写入各自对应的存储块；根据成员的顺序和临时删除指示，通过内部交叉RAM生成补偿RAM的读地址高位；生成读出方向时序，在读出方向的净荷指示下，增加读地址低位，生成补偿RAM的读地址低位；用上述生成的补偿RAM的读地址从补偿RAM中读出数据。本发明方法通过用交叉RAM生成补偿RAM的高位地址，达到顺序重排的目的，使用临时删除指示控制交叉RAM的读写，在有成员发生临时删除同时其余成员有添加删除的情况下也不会丢失数据。
一种实现损伤级联恢复方法

[发明专利]一种RAM存储器及其使用方法-CN201010131963.7无效
发明人：宋健;陆增援;韦俊伟;刘大红 -专利权人：宋健;陆增援;韦俊伟;刘大红
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种RAM存储器，包括一读指针和一写指针，分别记录读出和写入包的起始位置，其中该RAM存储器非以最长包的长度，而是选取以太网包中的较小的包的长度作为RAM的基本块的大小。且，该RAM存储器还包括第一计数器，用以统计RAM的使用块数的数目，及一第二计数器，用以统计RAM存储器内完整包的数目。当写入一个新的RAM块时，第一计数器数据加1，当读取一个RAM块时，第一计数器减1。当写入一个新的完整包时，第二计数器数据加1，当读取一个完整包时，第二计数器减1。使用上述设置，可以提高RAM存储器的使用率。
一种 ram 存储器及其使用方法

[发明专利]一种大容量NAND Flash数据存储方法-CN201811020161.1在审
发明人：曾建军 -专利权人：军创（厦门）自动化科技有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大容量NAND Flash数据存储方法，包括：当RAM中的数据容量小于待处理块单元中的数据大小时，选取任意未使用块单元作为数据缓存单元与所述RAM进行数据交互，以使所述待处理块单元中的数据写入到所述RAM中执行数据处理后不会丢失。本发明解决了RAM中的数据存储容量小于块单元数据大小时，导致数据无法全部存储的问题；通过采用将未使用块单元作为数据缓存单元的“虚拟RAM”方法，不仅能够保证数据全部存储且不丢失，而且减少了RAM芯片的数量
块单元存储数据缓存单元大容量未使用数据存储容量数据交互数据容量数据处理写入虚拟保证

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