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- [发明专利]非易失性存储器的形成方法-CN202111344598.2有效
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郭伟;曹秉霞
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2021-11-15
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2022-02-22
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H01L27/11517
- 本发明提供了一种非易失性存储器的形成方法，包括：在衬底内依次形成低压阱区、高压阱区和cell区；在高压阱区和cell区的衬底上形成图案化的第一多晶硅层；在图案化的第一多晶硅层上形成ONO层；在低压阱区的衬底上和ONO层上形成第二多晶硅层；依次刻蚀高压阱区和cell区上的第二多晶硅层、ONO层和图案化的第一多晶硅层，以形成第二栅极、栅间介质层和第一栅极，第二栅极、栅间介质层和第一栅极均为柱状结构并均对齐，且横截面积均相同；刻蚀低压阱区的衬底上的第二多晶硅层形成第三栅极，去除高压阱区上的第二栅极和栅间介质层露出第一栅极；在第三栅极的表面、第一栅极的表面和第二栅极的表面均形成接触孔。
- 非易失性存储器形成方法
- [实用新型]一种显示面板和显示装置-CN202020333667.4有效
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林润
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上海和辉光电有限公司
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2020-03-17
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2020-09-01
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G09F9/30
- 该显示面板包括显示区以及位于显示区一侧的弯折区；显示面板还包括衬底基板；位于衬底基板一侧且位于弯折区的多层中间膜层，多层中间膜层包括远离衬底基板一侧的第一中间膜层；位于第一中间膜层远离衬底基板一侧且至少位于弯折区的弯折保护层；至少部分第一中间膜层靠近弯折保护层的一侧表面形成有图案化图形，弯折保护层填充图案化图形。本实用新型实施例，通过在至少部分第一中间膜层靠近弯折保护层的一侧表面形成有图案化图形，且弯折保护层填充图案化图形，避免因显示面板弯折造成弯折保护层与第一中间膜层分离的现象，增加弯折保护层与第一中间膜层的粘附力，保护弯折区走线。
- 一种显示面板显示装置
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