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[发明专利]一种大功率COB封装用低光衰有机硅固晶胶-CN201410408000.5有效
发明人：陈维;张丽娅;吴军;王建斌;陈田安 -专利权人：烟台德邦先进硅材料有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C09J183/07 文献下载
摘要：本发明提供一种大功率COB封装用低光衰有机硅固晶胶，其原料组成及各组分的重量份为：甲基苯基乙烯基聚硅氧烷树脂65～80份，甲基苯基乙烯基硅油5～10份，交联剂10～25份，粘着力剂3～6份，纳米气相法白炭黑本发明的大功率COB封装用低光衰有机硅固晶胶折射率高，对PCB底板和芯片的粘着强度高，可靠性高，光效高，光衰低。
一种大功率 cob 封装用低光衰有机硅固晶胶

[发明专利]纳米晶热电半导体材料的非晶晶化制备方法-CN200410013394.0无效
发明人：唐新峰;宋波;熊聪;刘桃香;张清杰 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2004-06-29 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： C22C12/00 文献下载
摘要：一种纳米晶热电半导体材料的非晶晶化制备方法，首先采用高频加热方式在1100℃得到均匀的合金熔体，然后采用液相急冷法以10⁵～10⁶℃/sec的冷却速度将熔体冷却得到薄带状或细丝状非晶样品，将非晶样品碾碎后放入模具中，置于放电等离子体快速重结晶和致密化烧结设备中，重结晶和致密化温度为600℃、压力为30MPa、时间7－8min。得到纯度高、平均晶粒尺寸为70－80nm、晶粒大小均匀、性能优异的块体纳米晶热电半导体材料。本发明提供了一种适用于大规模制备块体纳米晶热电半导体材料的技术。
纳米热电半导体材料非晶晶化制备方法

[发明专利]一种固井用晶相改造型高温增强剂及其制备方法与固井用水泥浆-CN202111676358.2在审
发明人：郑友志;范宇;辜涛;郑有成;张华礼;余江;张占武;何雨;赵军;夏宏伟;胡锡辉;赵彬凌;王福云;杨涛;焦利宾 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C04B22/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种固井用晶相改造型高温增强剂及其制备方法与固井用水泥浆。以重量百分比计，该固井用晶相改造型高温增强剂的组成包括10‑30％铝酸钠、2‑10％微硅、30‑50％铝酸钙、30‑50％偏高岭土、1‑5％无机纤维。本发明还提供了上述增强剂的制备方法以及含其的固井用水泥浆。本发明的晶相改造型高温增强剂在掺入硅粉水泥石后，能够参与水泥水化反应，生成热稳定性更高的钙长石等物相，有效抑制180℃超高温条件下水化产物晶相转变引起的硅粉水泥石强度衰退。
一种固井用晶相改造型高温增强及其制备方法固井用水泥浆

[发明专利]一种固相法直接制备磷改性H型ZSM-5分子筛的方法-CN202310548510.1在审
发明人：蒋荣立;周子涵;高源;王兴文;陈学帅;刘波;许涵露 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种固相法直接制备磷改性H型ZSM‑5分子筛的方法，包括如下步骤：步骤1，将原料按照一定的比例称取，所述原料包括硅源、铝源、磷源和有机模板剂；步骤2，将原料充分研磨后得到粉末；步骤3，将粉末转移到反应釜中，在温度150～200℃下晶化X小时；步骤4，将步骤3处理后得到的物品进行煅烧，仅需一次煅烧即得到磷改性H型ZSM‑5分子筛。本发明通过一步法直接合成了磷改性的H型ZSM‑5分子筛，简化了合成步骤，对于改性分子筛的合成工序研究是极为有利的进展。
一种固相法直接制备改性 zsm 分子筛方法

[发明专利]一种应变锗器件的制备方法-CN201510947001.1在审
发明人：安霞;张冰馨;黎明;林猛;郝培霖;黄如;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该制备方法通过离子注入对源漏区域表面进行预非晶化，并在源漏区域中注入张应变诱导元素，然后对衬底进行退火，使非晶区域固相外延再结晶。本发明采用固相外延方法可以抑制应变诱导原子的扩散，使其集中分布在表面，从而提高源漏区域中张应变诱导元素的组分，使沟道中的应力增加，并且与现有工艺兼容，可以用于应变锗MOS器件的工艺基础。
一种应变器件制备方法

[发明专利]一种硫酸法钛白水解复合晶种的制备方法-CN202211108594.9有效
发明人：马维平;孙科;石瑞成;吴健春 -专利权人：攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硫酸法钛白水解复合晶种的方法，属于硫酸法制备钛白粉领域。该方法包括：步骤一：采用硫酸钛白钛液和碱液中和制备锐钛型晶种溶液并将锐钛型晶种溶液预热至95℃～98℃；步骤二：将二氯氧钛溶液预热至88～92℃，将预热好的二氯氧钛溶液与预热好的锐钛型晶种溶液混合均匀，升温至95℃～98℃，保温90min～120min，获得锐钛型‑金红石型复合晶种溶液；步骤三：对步骤二获得的锐钛型‑金红石型复合晶种溶液进行固液分离，固液分离之后得到的固体用去离子水稀释之后用作硫酸法钛白水解复合晶种该方法制备的复合晶种不仅稳定可以长时间保存，且具备水解晶种和煅烧晶种两种功能，煅烧前无需再添加煅烧晶种，有利地简化了硫酸法钛白制备工序。
一种硫酸钛白水解复合制备方法

[发明专利]多主元氧化物弥散强化超细晶铝基复合材料及其制备方法-CN202210544292.X有效
发明人：谢聿铭;黄永宪;孟祥晨;冒冬鑫 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种多主元氧化物弥散强化超细晶铝基复合材料及其制备方法，涉及复合材料制备技术领域，其制备方法包括如下步骤：步骤S1：将至少5种等摩尔比的金属氧化物粉体混合并球磨，得到高熵化的多主元氧化物混合物纳米粉体；步骤S2：在氩气保护氛围下，将高熵化的多主元氧化物混合物纳米粉体、铝粉和过程控制剂混合并球磨后，加热并保温，得到铝基复合材料粉体；步骤S3：通过大塑性变形固相烧结一步法对铝基复合材料粉体进行旋转挤压并保载后，得到多主元氧化物弥散强化超细晶铝基复合材料。本发明通过该制备方法，改变了金属氧化物颗粒自身尖锐特性外形和应力集中现象，并强化了对位错运动的钉扎作用，实现晶粒组织的超细晶化。
多主元氧化物弥散强化超细晶铝基复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高效合成B‑Al‑ZSM‑5分子筛的方法-CN201711037327.6在审
发明人：刘冠锋;孙振海;王银斌;洪鲁伟;刘洋;刘艳;汪洋;彭晓伟;刘航;于海斌;臧甲忠 -专利权人：中海油天津化工研究设计院有限公司;中海油能源发展股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效合成B‑Al‑ZSM‑5分子筛的方法，采用硼源、铝源、硅源、碱源、模板剂、表面活性剂、晶种为原料，于不锈钢反应釜中晶化，经过滤、洗涤、干燥、焙烧得B‑Al‑ZSM‑5分子筛。其特征在于通过添加表面活性剂，减少水用量，投料水硅比小于10，结合了固相和液相的合成优势，反应时间短，分子筛产物收率高，是传统水热法收率的3倍左右，以投料SiO2计产品收率大于85％，模板剂用量少，废水少
一种高效合成 al zsm 分子筛方法

[发明专利]一种利用电场辅助固相法单晶快速生长的方法-CN202310928985.3在审
发明人：马百胜;蒋文;谢绍中;朱艳 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明属于固相法单晶体生长技术领域，具体涉及一种利用电场辅助固相法单晶快速生长的方法，所述方法在利用固相法制备单晶的过程中，通过施加电场辅助热处理加快固相法单晶生长速度。
一种利用电场辅助固相法单晶快速生长方法

[发明专利]确定包晶合金定向凝固静置热稳定时液相形核间隔的方法-CN202010505256.3有效
发明人：彭鹏;张安桥;岳锦绵;张旭东;徐远丽;马智琨 -专利权人：兰州大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本发明公开了确定包晶合金定向凝固静置热稳定时液相形核间隔的方法，由于液相在形核后收到外加温度梯度作用，糊状区中同时发生溶质的扩散引起的熔化/凝固过程，通过过程向糊状区高温部分迁移并最终进入液相区。而自同一形核位置分别迁移的液相在糊状区内会留下迁移的痕迹。因此，本发明通过分析液相自初生相/包晶相这一固/固界面处形核后的迁移痕迹，表征并确定了液相自初生相/包晶相这一固/固界面处形核后的迁移时间间隔。液相形核后的迁移可分为不同阶段，每一阶段内液相迁移的速度均有不同。利用该方法可准确确定包晶合金定向凝固静置热稳定时液相形核间隔。
确定合金定向凝固静置热稳定相形间隔方法

[发明专利]PMOS器件及其制备方法及计算机-CN201711244556.5在审
发明人：左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种PMOS器件的制备方法，该制备方法包括：(a)选取Si衬底；(b)在所述Si衬底上制作晶化SiGe层；(c)在所述晶化SiGe层上制作N型应变Ge层；(d)在所述N型应变Ge层表面的第一指定区域制作栅极本发明通过激光再晶化工艺，使外延层发生固相‑液相‑固相的两次相变，通过横向释放高Ge组分SiGe与Si之间的失配位错，可极大提升高Ge组分SiGe/Si外延层的晶体质量，为后续应变锗的生长提供了重要前提
pmos 器件及其制备方法计算机

[发明专利]一种光激电拾的EL-QCM-D阵列化流体检测系统-CN201610307151.0有效
发明人：李光;孙喜洋;胡瑞芬 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01N5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光激电拾的EL‑QCM‑D阵列化流体检测系统，系统包括激励光源、检测腔室、石英晶振、接收线圈和信号处理单元。检测系统采用文丘里管式结构系统，从而可以实现检测过程中对气相和液相的可兼容性检测。本发明采用瞬态响应法进行检测，激励信号通过自谐振光激方式获取，在石英晶振阵列中间设置棱镜，使得透过激光入口的光可以被分散到每个石英晶振上面，通过法布里‑珀罗模型对无电极的石英晶振阵列进行激励，产生谐振。
一种光激电拾 el qcm 阵列流体检测系统

[发明专利]利用三氧化二铝的孔隙结构制备高性能铝酸盐荧光粉的方法-CN201210443900.4有效
发明人：徐鑫;邾强强;蔡超;胡巍巍 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明选择固相法常用的无定形多孔Al2O3作为铝源，利用Al2O3的孔隙结构的强吸附力，使各反应原料得到更均匀的混合和分散，并提高前驱粉体的活性，有利于获得高性能的铝酸盐荧光粉。本发明提供的制备方法综合了固相法和液相法的优点，使用固相法常用的原料，制备出了粒径小而均匀、分散性能好、发光强度高的多种铝酸盐荧光粉。该方法工艺简单，易于工业化连续生产，具有广阔的工业应用前景。
利用氧化孔隙结构制备性能铝酸盐荧光粉方法

[实用新型]一种带温度传感器的整流桥-CN201120193434.X有效
发明人：金红旗;李彦栋 -专利权人：美的集团有限公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H02M7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带温度传感器的整流桥，包括温度传感器（1）及三相整流桥模块（2），其中三相整流桥模块（2）包括两个以上二极管晶圆（23），其特征在于所述温度传感器（1）的感温头（12）固装在三相整流桥模块（2）上的其中一个二极管晶圆（23）的侧边。本实用新型由于将温度传感器的感温头固装在三相整流桥模块上的其中一个二极管晶圆的侧边，因此，能够较直接测试整流桥二极管晶圆温度，获得比较接近二极管晶圆温度的测试温度，有利于更好控制整流桥的温升，避免整流桥的过流能力降低甚至损坏，同时温度传感器和三相整流桥模块可进行一体化封装，方便生产装配，工艺一致性好，整体可靠性高。
一种温度传感器整流

[发明专利]一种硫酸法钛白酸解固相物光片样的制备方法-CN202110546290.X在审
发明人：高健 -专利权人：攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种硫酸法钛白酸解固相物光片样的制备方法，包括：将硫酸法钛白酸解固相物粉末平铺于热镶机样品槽底部，加入镶嵌料均匀覆盖于硫酸法钛白酸解固相物粉末表面，启动热镶机进行样品镶制，得到镶嵌样；将所述镶嵌样进行磨制，得到磨制样；将所述磨制样进行抛光，得到硫酸法钛白酸解固相物光片样。本发明提供的方法可有效解决传统冷镶树脂无法有效固结酸性较强的酸解固相物的问题，且固结强度高，固结后的样品内部及表面致密、无气孔，被固结的酸解固相物样品不易脱落，经磨制后的酸解固相物光片可直观用于电镜、矿物分析仪、能谱仪等大型设备，对硫酸法钛白酸解阶段所有物相组成、形貌、成分等特征进行研究。
一种硫酸钛白酸解固相物光片样制备方法