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[实用新型]一种SGT MOSFET器件结构-CN202321182501.7有效
发明人：田甜;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SGTMOSFET器件结构，该器件结构为双层浓度的外延结构，包括用于降低器件比导通电阻的顶部外延层(3)和用于降低器件反偏漏电的底部外延层(4)。本器件结构采用双层浓度的外延结构，顶部浓度的外延层用于降低器件比导通电阻(Rsp)，底部浓度的外延层起降低反偏漏电作用，既有效地降低了器件的比导通电阻，又保证了器件反偏时的低漏电。
一种 sgt mosfet 器件结构

[发明专利]用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略-CN200780034881.7有效
发明人： J·A·罗杰斯;R·G·诺奥;M·梅尔特;高興助;J·尹;E·梅纳德;A·J·巴卡 -专利权人：伊利诺伊大学评议会
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了如下的方法，其通过提供具有多个功能层和多个松脱层的多层结构，并通过利用分离一个或多个松脱层而将功能层从多层结构分离以产生多个可转移结构，来制造器件或器件构件。所述可转移结构被印刷到器件衬底或由器件衬底支撑的器件构件上。所述方法和系统提供了用于高质量且价格低廉地制造光电器件、可转移半导体结构、(光)电器件和器件构件的方式。
用于制造转移半导体结构器件构件策略

[发明专利]基于结构函数的半导体分立器件封装质量检测方法及系统-CN201510697392.6在审
发明人：杨少华;周斌;李汝冠 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供半导体分立器件的封装质量检测方法和系统，该方法包括：通过采集至少在三个温度条件下的被检测器件在第一检测电流下的结压值从而得到被检测器件的温敏系数；利用电学法检测得到被检测器件和参照器件结压变化曲线和参照器件的结压变化曲线，根据所述温敏系数将所述被检测器件的结压变化曲线和参照器件的结压变化曲线分别转换为所述被检测器件的结构函数曲线和所述参照器件的结构函数曲线；将所述被检测器件的结构函数曲线与参照器件的结构函数曲线进行比较确定所述被检测器件的封装质量该半导体分立器件封装质量检测方法简单，无需损坏被检测器件的内部结构。
基于结构函数半导体分立器件封装质量检测方法系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910749782.1在审
发明人：张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供包括多个相邻的器件单元区的基底，基底上形成有横跨多个器件单元区的初始器件栅极结构；刻蚀相邻器件单元区交界处的部分厚初始器件栅极结构，形成顶部开口；在顶部开口侧壁上形成侧墙层；刻蚀侧墙层露出的剩余初始器件栅极结构，在剩余初始器件栅极结构内形成露出基底的底部开口，且剩余初始器件栅极结构作为器件栅极结构；在顶部开口和底部开口内形成隔离结构。侧墙层用于调节底部开口的宽度，使底部开口宽度小于顶部开口宽度，因此能够适当增大顶部开口宽度，以增大形成顶部开口的工艺窗口，从而使相邻器件单元区较好地实现隔离，同时提高器件栅极结构的完整性，进而有利于提高晶体管的性能
半导体结构及其形成方法

[发明专利]声波器件的制作方法及声波器件-CN202011243085.8在审
发明人：廖珮淳 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种声波器件的制作方法及声波器件，所述声波器件包括谐振结构，所述方法包括：在衬底表面形成围绕器件区的连线层；其中，所述器件区用于设置所述谐振结构；在所述连线层表面形成导电的支撑结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；在所述支撑结构的顶部形成覆盖所述器件区的封装层；其中，所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成围绕所述器件区的密封腔体。
声波器件制作方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201810803369.4有效
发明人： H.胡贝尔;M.克纳布尔;M.米希茨;C.斯贾罗韦洛;C.特拉万;A.C.G.伍德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了用于制造半导体器件的方法。根据一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法的实施例，该方法包括形成包括多个相同半导体器件结构的结构层；以及在该结构层上提供保护层。在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构上的保护层。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]包括绝热层的半导体器件及其制造方法-CN202211406604.7在审
发明人：李雨哲;具元泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。公开的半导体器件包括衬底、设置在衬底之上的器件图案结构以及设置在器件图案结构上的绝热层。器件图案结构包括金属有机框架。
包括绝热半导体器件及其制造方法

[发明专利]多层半导体器件结构-CN201310706258.9有效
发明人：奧野泰利;林以唐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件结构和一种半导体器件结构的制造方法。在衬底上方形成第一器件层，其中，在第一器件层中图案化对准结构。在第一器件层上方提供介电层。介电层被图案化以包括位于对准结构上方的开口。在介电层上方形成第二器件层。使用掩模层来图案化第二器件层，其中，掩模层包括相对于对准结构对准的结构。对准结构在图案化第二器件层期间通过开口是可见的。
多层半导体器件结构

[发明专利]一种存储器件-CN202010967814.8在审
发明人：杨美音;崔岩;罗军;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供的一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的第一底电极、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极，第二器件结构包括依次层叠的第二底电极、隧道结和第二顶电极，第一底电极与第二底电极连接这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构中，第二器件结构中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。
一种存储器件

[发明专利]SOI器件新结构-CN201410216651.4在审
发明人：徐帆;牟志强;蒋乐乐 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中主要包括埋层结构，埋氧层在源端和漏端成U型。
soi 器件结构

[发明专利]倒置OLED器件结构-CN201510058560.7在审
发明人：廖良生;马杰;丁磊;汤洵 -专利权人：苏州大学
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒置OLED器件结构，在基板上旋涂一层聚合物薄膜，使基底表面平整化，然后制备OLED透明阴极薄膜，在阴极之上采用真空蒸镀的方法形成一层强氧化性材料作为电子注入层，然后蒸镀一层超薄金属或金属氧化物薄膜作为阴极缓冲层该强氧化性材料电子注入层/金属或金属氧化物/n型掺杂的电子传输层的结构能够有效地降低倒置器件结构中空穴注入高势垒的问题，能够有效的降低器件的驱动电压，从而提高器件性能。
倒置 oled 器件结构

[发明专利]ESD NMOS器件结构-CN201610510501.3在审
发明人：颜丙勇;杜宏亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种ESD NMOS器件结构，包括：衬底、形成在衬底内的P阱和N阱、形成在P阱中的NMOS器件源极区域和NMOS器件漏极区域、形成在N阱上部的N型漏极区、形成在P阱区域上方的介于NMOS器件源极区域和NMOS器件漏极区域之间的栅极结构；其中，NMOS器件漏极区域和N型漏极区通过第一浅沟槽隔离隔开。P阱中形成有通过第二浅沟槽隔离与NMOS器件源极区域隔开的保护环区域。
esd nmos 器件结构

[发明专利]OLED器件封装结构-CN201510579607.4在审
发明人：郎丰伟;任海 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED器件封装结构，包括底部基板，底部基板的上表面中心处设有发光区域，发光区域的外围设有四边形的密封剂框架，密封剂框架与底部基板之间通过黏贴剂密封连接；透明基板覆盖在密封剂框架上，位于底部基板上的发光区域正上方本发明所提供的OLED器件封装结构，利用密封剂框架将透明基板封装在底部基板上，并将除湿剂放置在密封剂框架和发光区域之间，提高了OLED器件的开口率和能见度。
oled 器件封装结构

[发明专利]有机发光器件结构-CN201510012815.6在审
发明人：张斌;邹忠哲;李艳虎 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光器件结构，包括：基板，以及制备于所述基板上的阳极层、空穴传输层、复合发光层、电子传输层以及阴极层；其中，所述复合发光层包括掺杂发光层和非掺杂发光层，所述掺杂发光层内散布有发光主体和掺杂客体本发明的有机发光器件结构，通过在所述掺杂发光层内散布有发光主体和掺杂客体，在所述非掺杂发光层内仅散布有发光主体，可以增加发光主体和掺杂客体之间形成的界面的数量，进而提高激子在界面上复合发光的几率，改善了有机发光器件的发光效率
有机发光器件结构

[发明专利]电路结构与器件-CN201811643579.8在审
发明人：韦松成 -专利权人：北京行易道科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种电路结构与器件。该电路结构包括：线路板，包括底层、顶层、电源内层和地内层，且电源内层有多个和/或地内层有多个；芯片，位于顶层的远离底层的表面上，包括本体和位于本体表面上的多个电接触结构，多个电接触结构包括第一电接触结构和第二电接触结构，第一电接触结构与电源内层电连接，第二电接触结构与地内层电连接，至少有两个第一电接触结构电连接的电源内层相互绝缘且不是同一个电源内层，和/或至少两个第二电接触结构电连接的地内层相互绝缘且不是同一个地内层；多个去耦电容，位于顶层的外面上或者底层的表面上，去耦电容与电接触结构连接。
电接触结构内层电连接电源电路结构顶层电容去耦绝缘线路板去耦回路噪声干扰电路芯片缓解申请