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[发明专利]一种发光器件-CN202111348623.4在审
发明人：伏兵;姜斌;李晓静;黄璐;马英杰 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光器件，该发光器件的至少一个电极为忆阻器结构，从而可以预先设置忆阻器结构在发光器件的实际供电电压下的阻态，并调整忆阻器结构在该阻态下的电阻值，以便于当发光器件的实际供电电压大于其正常工作电压时，利用预先设置好电阻值的忆阻器结构对发光器件进行分压，防止流经发光器件的电流过大而使发光器件失效或光强不稳定，并且，由于忆阻器结构集成在发光器件内部，因此，无需像现有技术那样在发光器件的支路中额外增加分压器件，从而大大简化了电路结构，减小了器件的体积和成本，也减小了器件的工艺复杂度，当发光器件为LED时，还有助于实现显示屏中像素密度的提高。
一种发光器件

[发明专利]电路结构及其驱动方法、神经网络-CN201710322907.3有效
发明人：李辛毅;吴华强;宋森;张清天;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：一种电路结构及其驱动方法、神经网络。该电路结构包括：至少一个电路单元，每个电路单元包括第一组阻变器件和第二组阻变器件，第一组阻变器件包括阻值渐变器件，第二组阻变器件包括阻值突变器件，第一组阻变器件和第二组阻变器件串联连接，在未加电压的情况下，第一组阻变器件的阻值大于第二组阻变器件的阻值。该电路结构利用阻值渐变器件和阻值突变器件串联连接形成类神经元结构，以实现模拟人脑神经元的功能。阻值渐变器件的阻值在外加电压下缓慢变化，可以用于模拟生物树突的S型生长曲线的行为。该电路结构具有结构简单、功耗低、面积小、可以实现复杂功能以及与标准CMOS工艺容易兼容等优点。
电路结构及其驱动方法神经网络

[发明专利]一种OLED器件-CN202111552389.7在审
发明人：穆东华;康建喜;朱映光;张国辉;李晓松;胡永岚;陈旭;赵扬 -专利权人：固安翌光科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种OLED器件，所述OLED器件的外部设有导电复合气凝胶结构；所述导电复合气凝胶结构用做所述OLED器件的密封结构和/或压敏电阻器件结构。本申请的技术方案中，通过设置导电复合气凝胶结构，尤其是当导电复合气凝胶结构由碳化钛和聚酰亚胺纳米纤维制备成时，将其用作所述OLED器件的密封结构和/或压敏电阻器件结构；由于导电复合气凝胶具有良好的疏水性，可以提高OLED器件的抗水性，因此对于OLED器件具有保护作用。
一种 oled 器件

[发明专利]生成器件结构预测模型的方法和器件结构仿真设备-CN202211020165.6在审
发明人：马阿米;卢弦均;李伸旭;任东哲;张圭伯;郑载勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F9/455 文献下载
摘要：提供了一种器件结构仿真设备和创建预测目标器件的结构的模型的方法。该器件结构仿真设备包括：存储器，其存储器件结构仿真程序；以及处理器，其被配置为执行存储在存储器中的器件结构仿真程序。通过执行器件结构仿真程序，器件结构仿真设备还被配置为接收目标器件的谱数据，通过对谱数据执行预处理来生成输入数据集，并且基于输入数据集来训练模型，使得模型被配置为预测目标器件的结构。
生成器件结构预测模型方法仿真设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202180055186.9在审
发明人：王金刚;隋振超 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，包括器件单元区和位于器件单元区外周的隔离区；隔离结构，位于隔离区的基底内；器件栅极结构，位于器件单元区的基底上；源漏掺杂层，嵌入于器件栅极结构两侧器件单元区的基底内，源漏掺杂层包括源漏主体层，且位于器件单元区边缘的源漏主体层的侧壁与隔离结构之间相间隔。本发明实施例的半导体结构中，位于器件单元区边缘的源漏主体层侧壁与隔离结构之间相间隔，从而位于器件单元区边缘的源漏主体层的侧壁与隔离结构之间未相接触，有利于防止源漏主体层中的掺杂离子向隔离结构中扩散，进而有利于防止器件的延伸(Extension)电阻升高的问题、改善扩散区长度(LOD)效应，提升了半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统-CN202111014636.8有效
发明人：杨连乔;张驰;简毛亮;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06F17/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统。该方法包括：对待分析半导体器件进行寿命循环试验；对寿命循环试验后的待分析半导体器件进行热测试，得到待分析半导体器件的瞬态响应曲线；根据瞬态响应曲线确定待分析半导体器件的结构函数；待分析半导体器件的结构函数包括积分结构函数和微分结构函数；积分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容之间的函数，微分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容对热阻一阶导数之间的函数；根据积分结构函数和微分结构函数对待分析半导体器件内部的各层结构进行分析，得到待分析半导体器件的寿命分析结果本发明可以实现半导体内部结构的分析，从而指导半导体性能的优化。
一种基于结构函数半导体器件寿命分析方法系统

[发明专利]多阈值器件制造方法及器件结构-CN202111409311.X在审
发明人：李楠;关天鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种多阈值器件制造方法及器件结构，包括：提供一SOI衬底；制作沟槽隔离；两次离子注入形成五个第一导电类型阱和五个第二导电类型阱；仅在第二导电类型阱一和第一导电类型阱四上的氧化埋层上形成第一导电类型离子注入沟道层
阈值器件制造方法结构

[发明专利]功率器件的终端结构及功率器件-CN202211488318.X在审
发明人：孙博韬;修德琦;张敬伟;邱艳丽;徐妙玲;张晨;韩丽楠 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种功率器件的终端结构及功率器件，该终端结构在传统高掺杂场限环终端结构的基础上，在隔离区叠加阵列排布的多个第一点状结构，使得第一点状结构和隔离区的外延层及隔离区背离衬底的表面的界面态相互耗尽，使得隔离区背离衬底的表面呈自然耗尽的准中性状态，那么，在功率器件不断的开通关断过程中，隔离区背离衬底的表面因呈准中性状态而不参与充放电过程，从而抑制器件应用及可靠性试验中缺陷的生长，提高器件击穿电压的稳定性同时，由于隔离区中第一点状结构和隔离区的第二外延层及隔离区背离衬底的表面的界面态相互耗尽，因此，隔离区在整体上呈低掺杂或准中性状态，从而提高器件击穿电压。
功率器件终端结构

[发明专利]具有器件隔离结构的半导体器件-CN201010541311.0有效
发明人：韩昇煜;山田悟;崔荣振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有器件隔离结构的半导体器件。示例半导体器件包括：沟槽，形成在半导体基底中，以限定有源区；填充介电层，设置在沟槽中；氧化物层，设置在填充介电层和沟槽之间；氮化物层，设置在氧化物层和填充介电层之间；阻挡层，设置在氧化物层和氮化物层之间
具有器件隔离结构半导体器件

[发明专利]OLED器件的封装结构和OLED器件-CN201710713633.0有效
发明人：洪瑞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，具体涉及OLED器件的封装结构和OLED器件。该OLED器件的封装结构，包括无机阻隔层和有机密封层，还包括紧邻所述有机密封层设置的牺牲保护层，所述牺牲保护层相对与其紧邻的所述有机密封层更远离OLED发光结构，所述牺牲保护层的致密性大于所述有机密封层的致密性该OLED器件的封装结构，通过在有机密封层之前、紧邻有机密封层设置牺牲保护层，有机密封层用于覆盖OLED器件制程中产生的颗粒，减少因颗粒杂质导致的封装缺陷；牺牲保护层设置在有机密封层之上，避免因后续工艺制成中高能粒子对有机密封层的轰击造成的表面受损或碳化
oled 器件封装结构

[发明专利]具有高压器件的半导体器件结构-CN201811416706.0有效
发明人：林宏洲;邱奕正;卡思克·穆鲁克什;陈益民;林炫政;江文智;张震谦;詹智元;吴国铭;蔡俊琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种高压半导体器件结构。高压半导体器件结构包括半导体衬底，半导体衬底中的源极环和半导体衬底中的漏极区域。高压半导体器件结构还包括围绕源极环的侧面和底部的掺杂环以及围绕漏极区域和掺杂环的侧面和底部的阱区。阱区的导电类型与掺杂环的导电类型相反。高压半导体器件结构还包括导体，该导体电连接到漏极区域并且在阱区的外围上方并且横穿阱区的外围延伸。另外，高压半导体器件结构包括在导体和半导体衬底之间的屏蔽元件环。本发明实施例涉及具有高压器件的半导体器件结构。
具有高压器件半导体器件结构

[发明专利]射频器件的封装结构及射频器件-CN201710346380.8有效
发明人：刘培涛;卜斌龙;陈礼涛;苏国生;邱建源 -专利权人：京信通信技术（广州）有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H04B1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频器件的封装结构，包括由多个封装壁围合而成的腔体；所述腔体外凸设有至少一个焊接槽；所述焊接槽的槽体由第一槽侧壁、槽底壁及第二槽侧壁依次连接而成；其中，所述第一槽侧壁由任一所述封装壁提供该射频器件的封装结构，不仅不会影响焊接操作的便利性，还能有效的减小焊点在金属腔体上的传输路径，降低热容率，大幅提升焊接效率和焊接质量；借助第二槽侧壁还能对传输电缆起到较好防松脱作用，在长期使用过程中能提升互调指标本发明还公开了一种射频器件，包括上述封装结构及设于腔体内的射频电路。
射频器件封装结构

[实用新型]半导体器件及半导体器件结构-CN201320613433.5有效
发明人： P·莫恩斯;A·维拉莫;P·范米尔贝克;J·罗伊格-吉塔特;F·伯格曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件及半导体器件结构。一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。在一个实施例中，提供具有从主表面延伸的局部化超结结构的半导体基板。然后在局部化超结结构附近形成掺杂区以在其特征在于产生电荷失衡。在一个实施例中，掺杂区可以是在局部化超结结构内形成的离子注入区域。在另一实施例中，掺杂区可以是邻接局部化超结结构的具有分级掺杂剂分布的外延层。电荷失衡可提高UIS性能等。根据本实用新型的方面的实施例，可以提供提高了UIS性能的超结半导体器件的结构。
半导体器件结构

[实用新型]半导体器件及半导体器件结构-CN201320612975.0有效
发明人： J·罗伊格-吉塔特;P·莫恩斯;P·范米尔贝克 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及具有局部化电荷平衡结构的半导体器件。一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。在一个实施例中，半导体器件具有邻接低掺杂n型区域形成的超结结构。低掺杂p型区域在低掺杂n型区域上面邻接超结结构形成，并被配置为提高Eas特性。与低掺杂p型区域相邻地形成体区，并且，与体区相邻地形成用于控制体区内的沟道区域的控制电极结构。根据本实用新型的方面的实施例，可以提供提高了优化电荷平衡和/或选择电荷平衡窗口的Eas性能的电荷平衡半导体器件。
半导体器件结构

[实用新型]射频器件的封装结构及射频器件-CN201720545001.3有效
发明人：刘培涛;卜斌龙;陈礼涛;苏国生;邱建源 -专利权人：京信通信系统（中国）有限公司;京信通信技术（广州）有限公司;京信通信系统（广州）有限公司;天津京信通信系统有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H04B1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频器件的封装结构，包括由多个封装壁围合而成的腔体；所述腔体外凸设有至少一个焊接槽；所述焊接槽的槽体由第一槽侧壁、槽底壁及第二槽侧壁依次连接而成；其中，所述第一槽侧壁由任一所述封装壁提供该射频器件的封装结构，不仅不会影响焊接操作的便利性，还能有效的减小焊点在金属腔体上的传输路径，降低热容率，大幅提升焊接效率和焊接质量；借助第二槽侧壁还能对传输电缆起到较好防松脱作用，在长期使用过程中能提升互调指标本实用新型还公开了一种射频器件，包括上述封装结构及设于腔体内的射频电路。
射频器件封装结构